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公开(公告)号：CN1869811A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200610092874.X
申请日：2006-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法，其中，该反射掩模包括：基板，以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层，以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层，在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层，该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响，并且可以消除不必要的EUV光线，使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料，掩模制作过程能够简易地处理。
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公开(公告)号：CN1763987A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510098148.4
申请日：2005-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F9/902 , C23C16/18 , C23C16/45531 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616
Abstract: 本发明公开了一种锑前体和使用其的相变存储器件。该锑前体包括锑、氮和硅。因此，可以减小改变相变膜的晶体结构所需要施加的电流强度，使得能够实现高集成、高容量和高速驱动的半导体存储器件。
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公开(公告)号：CN1738052A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510089744.6
申请日：2005-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/65
Abstract: 本发明公开了一种铁电电容器，该铁电电容器包括第一电极，所述第一电极包括含有元素周期表中的第一金属元素和第二金属元素的合金，所述第一金属元素选自Ir和Ru构成的组。在所述第一电极上设置铁电层，其中所述铁电层包括含有所述第二元素的铁电材料。在所述铁电层上设置第二电极。可以将所述铁电电容器设置为铁电存储器的存储单元的一部分。
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公开(公告)号：CN1198328C
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02130549.8
申请日：2002-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 铁电电容器的制造方法。该方法包括：在具有晶体管和位线的衬底上形成层间绝缘层，从而晶体管和位线由层间绝缘层覆盖；在层间绝缘层上形成接触孔，以部分地露出衬底；在层间绝缘层上形成具有预定厚度的导电层，导电层填充接触孔；在导电层上形成防氧化层；顺序地在防氧化层上形成下部电极、铁电层、上部电极。因而，彼此面对的用作存储节点的导电层与下部电极的界面的抗氧化性增加，因此形成铁电薄膜的温度也有所增加。因而，可以得到具有优良特性的铁电薄层。
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公开(公告)号：CN107452763B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710223454.9
申请日：2017-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供半导体器件。根据某些实施方式的半导体器件可以形成为单个半导体芯片，该单个半导体芯片包括：多个发光二极管，每个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层以及设置在两者之间的有源层，该多个发光二极管包括第一组发光二极管和第二组发光二极管；第一布线，作为第一电节点的部分；第二布线，作为第二电节点的部分；第三布线，作为第三电节点的部分；第四布线，作为第四电节点的部分；以及第一、第二、第三和第四芯片垫，分别电连接到第一、第二、第三和第四电节点，并且第一、第二、第三和第四电节点可以彼此不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106816505B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201611090753.1
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种发光装置，包括：衬底，其包括顶表面和第一侧表面，其中，顶表面的面积大于第一侧表面的面积；以及衬底的第一侧表面上的发光结构，该发光结构具有第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层，其中，发光结构发射具有第一峰值波长的第一光，并且其中，发射通过衬底的顶表面的第一光的发射面积大于发射通过衬底的第一侧表面的第一光的发射面积。
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公开(公告)号：CN104576861B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201410562329.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供半导体缓冲结构、半导体器件以及制造半导体器件的方法。该半导体缓冲结构包括硅衬底、形成在硅衬底上的成核层以及形成在成核层上的缓冲层。缓冲层包括由具有均匀的组分比的氮化物半导体材料形成的第一层、在第一层上的由与成核层相同的材料形成的第二层以及在第二层上的由与第一层相同的材料以相同的组分比形成的第三层。
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公开(公告)号：CN107342352A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710217743.8
申请日：2017-04-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/38 , H01L33/08 , H01L33/00 , H01L25/075 , G09F9/33
CPC classification number: H01L33/08 , G09G3/2003 , G09G3/32 , H01L25/0756 , H01L33/382 , H01L33/46 , H01L33/504 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/16145 , G09F9/33 , H01L25/0753 , H01L33/0075 , H01L33/38
Abstract: 一种LED光源模块包括发光堆叠体，以及穿过发光堆叠体的一部分的第一穿通电极结构和第二穿通电极结构。发光堆叠体包括：基础绝缘层；顺序堆叠在基础绝缘层上的发光层，发光层的每个包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和设置在第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；以及设置在发光层之间的层间绝缘层。第一穿通电极结构连接到发光层的每个的第一导电类型半导体层，第二穿通电极结构连接到发光层的每个的第二导电类型半导体层中的任一个或任何组合。
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公开(公告)号：CN102130177B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201010569845.4
申请日：2010-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。
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公开(公告)号：CN102420278B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110295166.7
申请日：2011-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/02507 , H01L21/0259 , H01L21/02642 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括基底、位于所述基底上的缓冲层和位于所述缓冲层上的多个氮化物半导体层。所述半导体器件还包括位于所述多个氮化物半导体层之间的至少一个掩蔽层和至少一个夹层。所述至少一个夹层位于所述至少一个掩蔽层上。
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