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    涂布型绝缘膜形成用组合物
    32.
    发明公开
    涂布型绝缘膜形成用组合物 失效

    公开(公告)号：CN106605293A

    公开(公告)日：2017-04-26

    申请号：CN201580047073.9

    申请日：2015-08-25

    申请人： 株式会社大赛璐

    发明人： 赤井泰之 ,  铃木阳二 ,  横尾健

    IPC分类号： H01L21/312

    CPC分类号： H01B3/441 ,  C08L2201/56 ,  C09D7/20 ,  C09D145/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282

    摘要： 本发明提供形成绝缘膜的有机材料的溶解稳定性及安全性优异、可通过涂布法而形成相对介电常数低、绝缘电阻值高、润湿性高、可通过涂布法来形成上位层的绝缘膜的绝缘膜形成用组合物。本发明的绝缘膜形成用组合物含有下述环状烯烃共聚物和下述溶剂，环状烯烃共聚物是环状烯烃和链状烯烃的共聚物；溶剂包含以下述式(1)表示且标准沸点为100℃以上且低于300℃的化合物。式(1)中，环Z为选自5～6元的饱和或不饱和环式烃、及苯环中的环，R1为烃基或酰基。环Z至少具有R1O基作为取代基，在具有2个以上取代基的情况下，2个取代基任选相互键合并与构成环Z的碳原子共同形成环。

    光电子半导体器件
    33.
    发明授权
    光电子半导体器件 有权

    公开(公告)号：CN103503181B

    公开(公告)日：2017-02-22

    申请号：CN201280022079.7

    申请日：2012-03-28

    申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

    发明人： 格特鲁德·克劳特

    IPC分类号： H01L33/56 ,  H01L21/312 ,  H01L21/02 ,  C09D183/16 ,  H01L33/50

    CPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/44 ,  H01L33/501 ,  H01L33/56

    摘要： 提出一种光电子半导体器件，具有：至少一个发射辐射的半导体芯片（2），所述半导体芯片具有辐射耦合输出面（22），在半导体芯片（2）中产生的电磁辐射的至少一部分穿过所述辐射耦合输出面离开半导体芯片（2）；至少一个至少局部地在半导体芯片（2）的下游设置在其辐射耦合输出面（22）上的辐射可穿透的本体（3），所述本体与半导体芯片（2）至少间接地接触，其中辐射可穿透的本体（3）由至少一种聚合物形成或者包含至少一种聚合物，并且聚合物的每个单体由至少一种硅氮烷形成。

    半导体结构的形成方法
    34.
    发明公开
    半导体结构的形成方法 无效

    公开(公告)号：CN106298501A

    公开(公告)日：2017-01-04

    申请号：CN201510289361.7

    申请日：2015-05-29

    申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

    发明人： 陈彧

    IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/312

    CPC分类号： H01L21/02337 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/027

    摘要： 一种半导体结构的形成方法，采用气态六甲基二硅胺对掺硼二氧化硅介电层进行处理，在其表面形成一层包含甲基基团的硅氧烷。该硅氧烷具有疏水性，排斥其上附着的水汽颗粒，使得水汽颗粒在其上为点接触，降低了处理后掺硼二氧化硅介电层表面的水汽附着量。通过水汽附着量的降低，降低了掺硼二氧化硅介电层中所掺的B与水汽中的O结合形成B2O3的几率，提高了后续形成的光刻胶在介电层上的附着性能，使得光刻胶在光刻过程中不易剥离，提高了光刻胶图案的保真度，从而减小了掺硼二氧化硅介电层中形成的凹槽或通孔的形貌与预定形貌之间的偏差。

    一种曲面上精密薄膜电路制作方法
    35.
    发明公开
    一种曲面上精密薄膜电路制作方法 有权

    公开(公告)号：CN106206402A

    公开(公告)日：2016-12-07

    申请号：CN201610669817.7

    申请日：2016-08-16

    申请人： 苏州华博电子科技有限公司

    发明人： 王列松 ,  薛新忠 ,  高永全 ,  朱小明

    IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/312

    摘要： 本发明公开了一种曲面上精密薄膜电路制作方法，包括以下步骤：a)在需要制作电路的工件表面一次性溅射或蒸发多层电路金属层和由内到外为Cr/Cu的双金属辅助层；b)在双金属辅助层上表面对应于需要腐蚀掉的多层电路金属层的位置上微接触印刷烷烃硫醇分子形成腐蚀双金属辅助层的掩膜；c)腐蚀掉烷烃硫醇分子掩膜保护区域外的双金属辅助层；d)脱附烷烃硫醇分子掩膜；e)腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cu，形成Cr掩膜；f)以剩余辅助层的Cr为掩膜对多层电路金属层电镀金；g)以电镀的金为掩膜腐蚀掉剩余双金属辅助层的金属Cr以及金掩膜外的多层电路金属层，形成所需薄膜电路。

    锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法
    36.
    发明授权
    锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法 失效

    公开(公告)号：CN104449404B

    公开(公告)日：2016-08-10

    申请号：CN201410781702.8

    申请日：2014-12-16

    申请人： 河北工业大学

    发明人： 牛新环 ,  檀柏梅 ,  王如 ,  孙鸣 ,  王胜利

    IPC分类号： H01L21/312

    摘要： 本发明涉及一种锗晶体化学机械抛光的抛光液及使用方法，包括粗抛液和精抛液，所述粗抛液按重量％计主要由下列原料组成：磨料粒径15?110nm、浓度≥40wt％、硬度≤7 Mohs的SiO2水溶胶磨料10?50％、氧化剂0.2?1.5％、pH调节剂0.5?2％、螯合剂0.2?1.5％、表面活性剂0.1?1％；精抛液主要有表面活性剂0.1?0.5％，余量为去离子水。选择两步抛光法进行化学机械抛光，第一步选用粗抛液，第二步选用精抛液，两步抛光在同一台抛光机上完成。有益效果：可以解决锗晶体材料化学机械抛光过程中速率低、粗糙度高、金属离子及颗粒沾污等问题。

    ONO结构及其制作方法、存储器及其制作方法
    38.
    发明授权
    ONO结构及其制作方法、存储器及其制作方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102522332B

    公开(公告)日：2016-03-02

    申请号：CN201110436603.2

    申请日：2011-12-22

    申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

    发明人： 王硕 ,  许忠义 ,  张永福

    IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

    摘要： 本发明提供一种ONO结构及其制作方法、存储器及其制作方法，所述ONO结构包括：底层氧化层；位于底层氧化层上的氮化硅层，氮化硅层包括第一氮化硅层、第二氮化硅层，第一氮化硅层中包含D，第二氮化硅层中包含H；位于氮化硅层上的顶层氧化硅层。氮化硅层中的D能阻止H与底层氧化层界面处的Si结合成不稳定、极易断裂的Si-H键，并能与底层氧化层界面处的Si结合成Si-D键。Si-D键是一种稳定的化学键，使得氮化硅层与底层氧化硅层界面处不会产生界面陷阱或界面陷阱的密度较小，从而提高了ONO结构的电学性能。