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    具有卤代磺酰基烷基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
    1.
    发明授权
    具有卤代磺酰基烷基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN106662820B

    公开(公告)日：2021-06-22

    申请号：CN201580037039.3

    申请日：2015-07-09

    申请人： 日产化学工业株式会社

    发明人： 柴山亘 ,  高濑显司 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

    IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G77/24

    摘要： 本发明提供一种在将上层抗蚀剂膜进行曝光而用碱显影液或有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜和用于形成其的组合物。一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或它们的组合，该水解性硅烷包含式(1)表示的水解性硅烷。[式(1)中，R1为式(2)表示的有机基团，(式(2)中，R4表示可以被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R5表示磺酰基或磺酰胺基，R6表示含卤的有机基团。]。上述式(2)中的R6为含氟的有机基团。上述式(2)中的R6为三氟甲基。通过将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上并进行烧成而得到的抗蚀剂下层膜。还包含作为水解催化剂的酸。还含有水。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1) ‑R4‑R5‑R6 (2)。

    能够湿式除去的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    2.
    发明授权
    能够湿式除去的含有硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN107077072B

    公开(公告)日：2021-05-25

    申请号：CN201580056230.2

    申请日：2015-11-06

    申请人： 日产化学工业株式会社

    发明人： 若山浩之 ,  中岛诚 ,  柴山亘 ,  远藤雅久

    IPC分类号： G03F7/11 ,  H01L21/027

    摘要： 本发明的课题是提供用于形成可以作为硬掩模使用，通过使用了硫酸/过氧化氢等药液的湿蚀刻的方法能够除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含(A)成分和(B)成分，(A)成分包含水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷包含式(1)：R1aR2bSi(R3)4‑(a+b)式(1)〔式(1)中，R1表示式(2)：所示的有机基团且通过Si‑C键与硅原子结合。R3表示烷氧基、酰氧基或卤基。a表示1的整数，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。〕所示的水解性硅烷，(B)成分为包含具有烷氧基甲基或羟基甲基的环结构的交联性化合物、或者具有环氧基或封端异氰酸酯基的交联性化合物。

    具有含脂肪族多环结构的有机基团的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
    3.
    发明公开
    具有含脂肪族多环结构的有机基团的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN112558410A

    公开(公告)日：2021-03-26

    申请号：CN202011433145.2

    申请日：2015-07-10

    申请人： 日产化学工业株式会社

    发明人： 柴山亘 ,  志垣修平 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

    IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  G03F7/16

    摘要： 本发明的课题是提供，在将上层抗蚀剂曝光并利用碱性显影液、有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜及其形成用组合物。本发明的解决方法是一种含有脂肪族多环结构的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，脂肪族多环结构是式(1)(式(1)中，R1是含有脂肪族多环结构且通过Si‑C键与Si原子结合的有机基团。R3表示乙氧基。a表示1，b表示0～2的整数，a+b表示1～3的整数。)所示的水解性硅烷具有的结构、或者以可具有双键、羟基、或环氧基的脂肪族多环化合物、脂肪族多环式二羧酸、或脂肪族多环式二羧酸酐的形式添加的化合物中包含的结构。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)。

    包含具有碳酸酯骨架的水解性硅烷的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物
    4.
    发明授权
    包含具有碳酸酯骨架的水解性硅烷的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN107209460B

    公开(公告)日：2020-12-18

    申请号：CN201680007509.6

    申请日：2016-01-25

    申请人： 日产化学工业株式会社

    发明人： 柴山亘 ,  中岛诚 ,  后藤裕一 ,  坂本力丸

    IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G77/14 ,  C08G77/44 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

    摘要： 本发明的课题是提供，用于形成可以作为硬掩膜使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷包含选自式(1)、式(2)和式(3)所示的水解性硅烷中的至少一种水解性硅烷。本发明的解决方法还涉及一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序，在该有机下层膜上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烧成，形成抗蚀剂下层膜的工序，在前述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂膜形成用组合物，形成抗蚀剂膜的工序，将前述抗蚀剂膜进行曝光和显影，获得抗蚀剂图案的工序，然后依次进行蚀刻的工序。

    用于SOC图案上的图案反转的被覆用组合物
    5.
    发明授权
    用于SOC图案上的图案反转的被覆用组合物 有权

    公开(公告)号：CN106575090B

    公开(公告)日：2020-02-07

    申请号：CN201580043291.5

    申请日：2015-08-11

    申请人： 日产化学工业株式会社

    发明人： 谷口博昭 ,  中岛诚 ,  柴山亘 ,  武田谕 ,  若山浩之 ,  坂本力丸

    IPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

    摘要： 本发明的课题是提供对于被加工基板上所形成的高低差基板，可以良好地填埋于其图案间，并且形成平坦的膜的图案反转用树脂组合物。作为解决本发明课题的方法涉及用于下述工序的被覆用聚硅氧烷组合物，所述工序为：在半导体基板上2形成有机下层膜3的工序(1)，在有机下层膜3上涂布硅硬掩模形成用组合物进行烧成而形成硅硬掩模4的工序(2)，在上述硅硬掩模上涂布抗蚀剂组合物而形成抗蚀剂膜5的工序(3)，将该抗蚀剂膜5进行曝光，曝光后将抗蚀剂膜显影而获得抗蚀剂图案的工序(4)，硅硬掩模4的蚀刻工序(5)，有机下层膜3的蚀刻工序(6)，在经图案化的有机下层膜3上涂布本发明的被覆用聚硅氧烷组合物，通过回蚀使该有机下层膜的上表面露出的工序(7a、7b)，对有机下层膜3进行蚀刻而将图案反转的工序(8)。

    具有酯基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物
    10.
    发明公开
    具有酯基的含硅抗蚀剂下层膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN104737076A

    公开(公告)日：2015-06-24

    申请号：CN201380055105.0

    申请日：2013-10-24

    申请人： 日产化学工业株式会社

    发明人： 菅野裕太 ,  中岛诚 ,  武田谕 ,  若山浩之

    IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

    摘要： 本发明的课题是提供一种用于形成可以作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用途的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种光刻用途的抗蚀剂下层膜形成用组合物，作为硅烷含有水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)的硅烷、或式(1)与式(2)的硅烷组合，且该式(1)的硅烷、或式(1)与式(2)的硅烷组合基于全部硅烷低于50摩尔％。式(1)[式中，R1为含有式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-4)或式(1-5)的有机基团，a表示整数1，b表示整数0或1，a+b表示整数1或2。]，式(2)[式中，R4为含有式(2-1)、式(2-2)或式(2-3)的有机基团，a1表示整数1，b1表示整数0或1，a1+b1表示整数1或2。]。