本发明提供一种在将上层抗蚀剂膜进行曝光而用碱显影液或有机溶剂进行显影时可以形成优异的抗蚀剂图案形状的抗蚀剂下层膜和用于形成其的组合物。一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或它们的组合，该水解性硅烷包含式(1)表示的水解性硅烷。[式(1)中，R1为式(2)表示的有机基团，(式(2)中，R4表示可以被取代的碳原子数1～10的亚烷基，R5表示磺酰基或磺酰胺基，R6表示含卤的有机基团。]。上述式(2)中的R6为含氟的有机基团。上述式(2)中的R6为三氟甲基。通过将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上并进行烧成而得到的抗蚀剂下层膜。还包含作为水解催化剂的酸。还含有水。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) (1) ‑R4‑R5‑R6 (2)。