公开(公告)号：CN104081217B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201280068264.X

申请日：2012-12-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 铃木健一 ,  近松努 ,  小川昭雄 ,  崔京九 ,  桥本龙司

IPC: G01R33/12

CPC classification number: G01R33/12 ,  G01R33/10 ,  G01R33/1215

Abstract: 本发明在于提供可以测量薄板状的磁性体试样的微小区域的磁特性的磁场测量装置。其中，在对磁性体试样(5)施加磁场并使之磁化之后，通过由测量部(2)扫描从而检测磁性体试样(5)的泄漏磁通。通过对磁性体试样(5)的第1区域和第2区域在彼此相反的方向上使其磁化并减小退磁场(Hd)，从而使磁通泄漏到外部。具体而言，由具有一对以上磁极的磁场产生部(6)来进行多极着磁，或者由磁场产生部(6)施加阻尼振荡磁场来进行着磁，或者由一边施加交流磁场一边扫描试样表面的局部磁场产生部(3)来进行着磁。

公开(公告)号：CN104124018B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201410166833.5

申请日：2014-04-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桥本龙司 ,  铃木健一 ,  崔京九

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F10/126

Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B和(Y、La)-T-B，从而形成R1-T-B系结晶层和(Y、La)-T-B系结晶层的层叠构造，一边可以维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场一边可以得到(Y、La)-T-B系结晶层的温度系数的改善效果。通过将(Y、La)-T-B系结晶层的稀土类元素设为Y和La这2个元素，从而缓和层叠构造整体的晶格畸变，并得到高的剩余磁通密度。

公开(公告)号：CN104124020B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410171646.6

申请日：2014-04-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桥本龙司 ,  铃木健一 ,  崔京九 ,  西川健一

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F10/126

Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比不会显著降低磁特性并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B和Y-T-B，从而形成R1-T-B系结晶层和Y-T-B系结晶层的层叠构造，维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场，同时得到Y-T-B系结晶层的温度系数的改善效果。

公开(公告)号：CN104124019B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201410168557.6

申请日：2014-04-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桥本龙司 ,  铃木健一 ,  崔京九

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F10/126

Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且能够在低温下制造的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B系结晶层和Ce-T-B结晶层，从而形成R1-T-B系结晶层和Ce-T-B系结晶层的层叠构造，可以在维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场的同时由Ce-T-B系结晶层降低结晶化温度。

公开(公告)号：CN104124017A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410160457.9

申请日：2014-04-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 桥本龙司 ,  铃木健一 ,  崔京九

IPC: H01F1/057

CPC classification number: H01F1/057 ,  H01F10/126

Abstract: 本发明提供与现有的R-T-B系永久磁铁相比较，不会显著降低磁特性，并且在温度特性方面表现优异的永久磁铁。在R-T-B系的构造中，通过交替地层叠R1-T-B和（Y、Ce）-T-B，从而形成R1-T-B系结晶层和（Y、Ce）-T-B系结晶层的层叠构造，一边可以维持R1-T-B系结晶层的高的各向异性磁场一边可以得到（Y、Ce）-T-B系结晶层的温度系数的改善效果。通过将晶格畸变小的Ce-T-B系结晶层加到Y-T-B系结晶层从而可以得到高的矫顽力。

公开(公告)号：CN101996990B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201010260969.4

申请日：2010-08-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大塚隆史 ,  崔京九 ,  浪川达男 ,  山口仁

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/02 ,  H01G9/004 ,  H01G9/008

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L28/86 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法，使电子部件的向外部基板的更加高密度安装成为可能，此外，能够任意且按期望地调整端子电极的高度，由此，能够消除电子部件的检查时的现有的不良情况，并且改善电子部件的安装的成品率从而提高生产性。作为一种电子部件的电容器(1)具有：形成于基板(2)上的第一上部电极(5a)、与该第一上部电极(5a)邻接形成的第一台座(10)和第二台座(11)、覆盖第一上部电极(5a)以及第一台座(10)和第二台座(11)的保护层(6、8)、经由贯通它们的通孔导体(Va、Vc)而与第一上部电极(5a)连接并且在第一台座(10)和第二台座(11)上形成的端子电极(9a)。

公开(公告)号：CN101996766B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201010260967.5

申请日：2010-08-23

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 大塚隆史 ,  崔京九 ,  浪川达男 ,  山口仁

IPC: H01G4/228 ,  H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C1/14 ,  H01C17/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L28/55 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  Y10T29/417 ,  Y10T156/1056 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种电子部件及其制造方法，其能够提高向外部基板的焊接安装时的电子部件的固定强度，由此，能够充分地提高电气特性以及可靠性等。作为电子部件的电容器(1)形成有，在基板(2)上形成的电路元件(5)、与电路元件(5b)连接的电极层(5a)、覆盖电极层(5a)的保护层(6、8)、经由贯通保护层(6、8)的通孔导体(Va、Vb)而与电极层(5a)相连接并且覆盖保护层(6、8)的侧壁面而形成的端子电极(9a、9b)，由此，垫片电极(9a、9b)被形成为覆盖从保护层(6、8)的最上面直至侧壁面，因而焊料与垫片电极(9a、9b)接触的面积增大，并能够提高焊接安装时的电容器(1)的固定强度。

公开(公告)号：CN1732540A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200380107746.2

申请日：2003-12-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 坂下幸雄 ,  崔京九

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/10 ,  H01G4/228 ,  H01L27/016 ,  H01L28/57 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明的目的是提供一种尺寸小、电容大、且介电特性优异的薄膜电容器及其制造方法。根据本发明的薄膜电容器包括其表面沿[001]方向定向的支持衬底、形成在支持衬底上且其表面沿[001]方向定向的缓冲层、形成在缓冲层上且其表面沿[001]方向定向的下电极薄膜、形成在下电极薄膜上且其表面沿[001]方向亦即其c轴定向的包含铋层结构化合物的介质薄膜、以及形成在介质薄膜上的上电极薄膜。

公开(公告)号：CN1720595A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200380105038.5

申请日：2003-12-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 崔京九 ,  村濑琢 ,  平塚信之 ,  柿崎浩一

IPC: H01F10/16

CPC classification number: H01F1/26 ,  B82Y25/00 ,  H01F1/0063 ,  H01F10/007 ,  H05K9/0075 ,  H05K9/0083

Abstract: 本发明提供一种具有软磁特性的粒状物(1)，其含有由非磁性绝缘材料构成的基体(3)以及分散于基体(3)中的平均粒径为50nm或以下的强磁性金属粒子(2)，且基体(3)的体积比为5～50％。该粒状物(1)在具有膜状的情况下，所具有的特性是：1GHz的复数导磁率的实数部(μ′)为40或以上，且性能指数Q(Q＝μ′/μ″；μ″：复数导磁率的虚数部)为1或以上以及饱和磁化为5kG或以上。