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公开(公告)号：CN104735907A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410657833.5
申请日：2014-11-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/0227 , H05K1/0222 , H05K1/0251 , H05K1/115 , H05K1/116 , H05K3/4685 , H05K2201/09854 , Y10T29/49165
Abstract: 本发明公开一种具传输孔的电路板及其制造方法。该具传输孔的电路板包括一基板、一接地导体、一浮动导体及一信号导体。基板包括依序迭置的一第二板层、一第二接地层、一芯层、一第一接地层、及一第一板层。接地导体贯穿芯层且与第一接地层及第二接地层电性连接。浮动导体贯穿芯层且与第一接地层、第二接地层及接地导体电性绝缘。信号导体贯穿基板，并位于接地导体及浮动导体之间，且与第一接地层、第二接地层、接地导体及浮动导体电性绝缘。
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公开(公告)号：CN102548210B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201010623839.2
申请日：2010-12-31
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H05K1/16 , H01L23/498 , H01L23/64
CPC classification number: H05K1/0231 , H01G9/012 , H01G9/15 , H01L23/49822 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H05K1/162 , H05K3/4608 , H05K2201/0187 , H05K2201/09309 , H05K2203/0315
Abstract: 本发明公开一种内藏电容基板模块，包括有一基板、一金属基板以及一固态电解电容材料，其中固态电解电容材料形成于金属基板之上，以与基板形成一固态电解电容；此外，内藏电容基板模块更包括有一电极引出区，系由基板以及金属基板延伸形成，其中金属基板作为一第一电极，基板作为一第二电极；绝缘材料形成于基板与金属基板之间。根据本发明所公开的实施例的内藏电容基板模块，不但保留传统固态电容大电容值的优点，还可在内埋于印刷电路板之后再进行钻孔电镀与其它电路电性连接。
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公开(公告)号：CN102569216A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110068111.2
申请日：2011-03-18
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L25/165 , H01L23/3107 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种功率元件封装结构，是将功率元件封装结构的金属基板作为电容单元的下电极，并于该金属基板上依序设置介电材料层与上金属层，该上金属层为上电极，而该金属基板为下电极，使形成电容单元，简化并整合电容单元于功率元件封装结构中。
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公开(公告)号：CN101562433B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910130723.2
申请日：2009-02-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H03H1/02 , H01G4/40 , H05K1/0231 , H05K1/0233 , H05K1/162 , H05K1/165 , H05K1/181 , H05K1/185 , H05K2201/1006
Abstract: 本发明公开了一种电容器装置。该电容器装置包括至少一个电容器。该电容器装置还包括第一电容器和连接该第一电容器与导电区域的第一滤波器，其中该第一电容器具有第一共振频率，并且该第一滤波器被配置为工作在覆盖该第一共振频率的第一频带内。
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公开(公告)号：CN101930846A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010105736.7
申请日：2010-01-28
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/162 , H01G4/1209 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01G4/35 , H01L28/86 , H05K3/429 , H05K2201/0187 , H05K2201/09309 , H05K2201/09663 , H05K2201/09672 , H05K2201/09718 , Y10T29/43
Abstract: 本发明公开一种多层电容器及其制造方法。该电容器元件包括第一电极、第二电极、第三电极、第一介电层以及第二介电层。第一电极与电容器元件的第一电极接点电性耦合。第二电极位于第一电极的下方且与电容器元件的第二电极接点电性耦合。第二电极与第一电极电性绝缘。第三电极位于第一电极以及第二电极的下方，第三电极与第二电极电性绝缘并与第一电极电性耦合。第一介电层位于第一电极与第二电极之间，而且第一介电层具有第一介电常数。第二介电层位于第二电极与第三电极之间，而且第二介电层具有第二介电常数。在一实施例中，第二介电常数比第一介电常数至少大五倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100592842C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200710188130.2
申请日：2007-11-09
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种电路板的电性连通结构与具有此结构的电路板，其是将电子元件的电源接点与接地接点分别连接至电路板的电源层与接地层，电性连通结构包括第一导电结构及第二导电结构，此二个导电结构的一端均为导接段，二导接段各别电性连接于电源接点与接地，各导电结构的另一端则自其导接段延伸形成多个对偶段，此两导电结构的二对偶段是成对配置，此两导电结构的成对对偶段是呈交错数组方式配置，以形成两个电流方向相反的回路，产生磁通量相互抵消的效果，使得电子电路电源系统中的去耦合电容的阻抗随着电子元件切换频率上升而增加的情形趋缓。
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公开(公告)号：CN101431859A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200710188130.2
申请日：2007-11-09
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种电路板的电性连通结构与具有此结构的电路板，其是将电子元件的电源接点与接地接点分别连接至电路板的电源层与接地层，电性连通结构包括第一导电结构及第二导电结构，此二个导电结构的一端均为导接段，二导接段各别电性连接于电源接点与接地，各导电结构的另一端则自其导接段延伸形成多个对偶段，此两导电结构的二对偶段是成对配置，此两导电结构的成对对偶段是呈交错数组方式配置，以形成两个电流方向相反的回路，产生磁通量相互抵消的效果，使得电子电路电源系统中的去耦合电容的阻抗随着电子元件切换频率上升而增加的情形趋缓。
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公开(公告)号：CN100431394C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200510117656.2
申请日：2005-11-08
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H05K1/024 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01P3/081 , H01P3/085 , H05K1/0298 , H05K3/386 , H05K2201/0187 , H05K2201/0195 , H05K2201/09881 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种具有复合介质的基板及其所组成的多层基板，所述基板包括：一第一介电层、一第一讯号信号传输线路以及一第一导体层。此第一介电层具有第一介质区和第二介质区，其中第二介质区系位于第一介电层的表面，并且与第一介质区系是不同介电材料，以及第一讯号信号传输线路系位于第二介电层中，而第一导体层则系位于第一介电层下。于在此，第二介质区的介电常数可高于或低于第一介质区的介电常数，或者系是其介电损耗可低于第一介质区的介电损耗。本发明主要是在介电层中局部分布一种以上的介电材料，也就是说，在信号传输线路周边/上方/下方的介电材料不同于邻近的介电材料，借此以符合于高频电路中的特定需求。
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公开(公告)号：CN101295580A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810003421.4
申请日：2008-01-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01G4/06 , H01G4/12 , H01G4/1227 , H01G4/14 , H01G4/20 , H01G4/206 , H05K1/162 , H05K3/4611 , H05K2201/0187 , H05K2201/0195 , H05K2201/09672 , H05K2201/2036 , Y10T29/417
Abstract: 本发明提供一种电容器元件及其制造方法。该电容器元件可包括至少一电容性器件。该至少一电容性器件可包含：一对彼此对置的第一导电层；至少一第一介电层，其可形成于该第一导电层中的至少一者的一表面上；以及一第二介电层，其可夹于该第一导电层之间。该第一介电层可具有一第一介电常数，且该第二介电层可具有一第二介电常数。该电容器元件的该电容可视该第一介电层以及该第二介电层的介电参数而定。该介电参数可包含该至少一第一介电层的该第一介电常数及厚度，以及该第二介电层的该第二介电常数及厚度。本发明有效规避了两金属间透过薄介电层而发生短路的危险，或在该介电层中形成可能影响电容效应及特性的细微气泡或其它结构上的缺陷的危险。
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公开(公告)号：CN101179898A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200610143540.0
申请日：2006-11-10
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 在此提出一种互补镜像式内藏平面电阻架构，其内藏平面电阻设计是将内藏平面电阻的接地面或电极面做互补式的镂空结构，使得寄生电容最小，此可有效提高应用频率。另外，由于内藏平面电阻有时候下方会有其他信号线通过，若完全无区隔也会造成严重的干扰或是串音(Cross Talk)现象，因此邻近内藏平面电阻的接地面、电极面或电源层的互补式镂空可以设计成网格形状以减少干扰或是串音，此时可以使整个电阻结构在电路中具有最好的高频电气特性。
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