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公开(公告)号：CN107378747A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710561848.5
申请日：2017-07-11
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，所述化学机械抛光工艺包括：S1：提供一待抛光MEMS器件晶圆；S2：固定待抛光MEMS器件晶圆；S3：对所述MEMS器件晶圆进行粗抛光；S4：对所述MEMS器件晶圆进行水抛光；S5：循环步骤S3、S4达n次或达到预设时间t；S6：对所述对MEMS器件晶圆进行精抛光；S7：冲洗抛光盘及晶圆，完成抛光。根据本发明实施例的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺步骤简单、可以减少抛光过程中的蝶形坑或粗糙度大等问题、保证器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN107363712A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710713502.2
申请日：2017-08-18
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: B24B37/013 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种用于化学机械抛光工艺的在线终点检测控制系统及方法，该系统包括：数据获取模块，数据获取模块与抛光盘的电机驱动器相连，用于在化学机械抛光设备抛光晶圆的过程中，获取电机驱动器中的电机功率信号；终点判断模块，用于判断电机功率信号的变化是否满足抛光工艺终点的条件，并在判断出电机功率信号的变化满足抛光工艺终点的条件时，控制化学机械抛光设备停止抛光晶圆。该实施例提出一种基于电机功率信号确定化学机械抛光工艺终点的控制系统及方法，准确判断化学机械抛光工艺终点，控制晶圆抛光过程，避免过抛光或者欠抛光情况的发生，保证了抛光工艺质量。
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公开(公告)号：CN107336126A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710776053.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: B24B37/005
Abstract: 本发明公开了一种抛光设备的抛光压力控制方法、装置和抛光设备，该方法包括以下步骤：对抛光设备所加工的晶圆的多个施压区域分别施加对应的抛光压力以进行抛光处理；获取多个施压区域中每个施压区域的抛光厚度，并获取抛光时间；根据每个施压区域的抛光厚度和抛光时间计算每个施压区域的去除速率；在抛光预设数量的晶圆后，根据获取的每个施压区域的预设数量的去除速率计算每个施压区域的平均去除速率；根据每个施压区域的平均去除速率对每个施压区域的抛光压力进行调整。根据本发明的抛光设备的抛光压力控制方法，可以延长抛光垫的使用周期、提高抛光设备的使用效率、降低生产成本、提高晶圆的良品率，且简单有效、稳定性高。
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公开(公告)号：CN107243826A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710548155.2
申请日：2017-07-06
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: B24B37/005 , B24B49/04
Abstract: 本发明公开了一种调整CMP(化学机械抛光)后晶圆膜厚均匀性的方法，调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法包括：提供一待抛光晶圆；对晶圆进行CMP制程；在晶圆上取多个测量点，多个测量点在晶圆上阵列排布；测量每个测量点处晶圆的膜厚值；在晶圆上以晶圆的圆心为原点建立坐标系，其中每个测量点在坐标系内的横坐标为X，纵坐标为Y；根据横纵坐标绘制统计图，每个测量点在统计图中的纵坐标为对应测量点的膜厚值，每个测量点在统计图中的横坐标为观察分析统计图中曲线轮廓，并调整对晶圆的各区的抛光压力。根据本发明实施例的调整CMP后晶圆膜厚均匀性的方法，具有便于控制抛光压力、晶圆表面厚度均匀性好等优点。
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公开(公告)号：CN106891244A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710117233.3
申请日：2017-03-01
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
CPC classification number: B24B37/11 , B24B41/002
Abstract: 本发明提出一种抛光头，该抛光头包括基板、驱动件、上浮动件、下浮动件、传动件，以及吸附件，其中，驱动件包括：第一连接端，和第一传动端；上浮动件包括：第二连接端和上浮动端，第二连接端与第一连接端同轴心固定相连，上浮动端为凹球面或者凹圆锥面；下浮动件包括：下浮动端和第三连接端，下浮动端为凸球面；下浮动端的凸球面与上浮动端的凹球面或者凹圆锥面相适配，且可拆卸地相连，且上浮动件与下浮动件之间进行浮动的转动中心不高于工件的抛光表面。通过本发明能够减小接触点变形，减少工件与抛光盘间的偏摆，弥补抛光头与抛光盘之间的平行度误差，使工件贴合在抛光盘表面，且提升抛光效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106625207A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610854420.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: B24B37/34 , B24B55/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种晶圆片的卸片方法、辅助装置、装置和具有其的CMP设备，所述晶圆片的卸片方法包括以下步骤：将所述晶圆片运载至卸载面的上方；释放所述晶圆片以使所述晶圆片朝向所述卸载面运动，并在所述晶圆片运动的过程中朝所述晶圆片的下表面喷射液体以提供所述晶圆片运动的缓冲力。根据本发明实施例的晶圆片的卸片方法,能够防止晶圆片在卸片时被划伤和摔碎，从而可以提高晶圆片的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。
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公开(公告)号：CN104384127B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410536152.3
申请日：2014-10-11
Applicant: 清华大学
IPC: B08B3/02
Abstract: 本发明公开了一种用于清洗修整器的清洗装置，所述修整器包括摆臂和设在所述摆臂上的修整头，所述清洗装置包括：基座，所述基座内具有清洗液通道，所述清洗液通道具有进液口；环形的防溅射挡板，所述防溅射挡板设在所述基座上，所述防溅射挡板与所述基座之间形成容纳腔，所述防溅射挡板上设有排液口，其中所述防溅射挡板的形状与所述修整器的形状适配；和喷嘴，所述喷嘴设在所述基座上且位于所述容纳腔内，所述喷嘴与所述清洗液通道连通。根据本发明实施例的用于清洗修整器的清洗装置可以防止清洗液溅射到清洗装置外。
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公开(公告)号：CN106449454A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610875764.4
申请日：2016-09-29
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种晶圆表面铜层厚度多点测量系统，包括：机械臂；晶圆转盘，用于吸附晶圆并带动晶圆旋转；电涡流传感器，传感器探头设置于机械臂上，以随机械臂直线运动；控制模块，用于根据XY模式或全局模式控制晶圆的旋转运动与传感器探头的直线运动相互配合，以完成晶圆表面铜层的多点测量。该测量系统可以通过电涡流检测方法多点测量晶圆铜层厚度，从而对晶圆表面铜层厚度进行准确有效的测量，进而为后续的工艺参数优化提供可靠依据，提高了测量的准确度。
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公开(公告)号：CN103231303B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310180314.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光设备。所述化学机械抛光设备包括：用于存放晶圆的晶盒装载装置；用于输送晶圆的晶圆转移装置；第一机械手；化学机械抛光机；用于放置晶圆的晶圆过渡装置；第二机械手；晶圆清洗装置，晶圆清洗装置包括具有第一容纳腔的第一本体、设在第一容纳腔内的第一晶圆支撑组件和设在第一本体上的晶圆清洗组件；晶圆刷洗装置，晶圆刷洗装置包括具有第二容纳腔的第二本体以及设在第二容纳腔内的晶圆刷洗组件和第二晶圆支撑组件；晶圆干燥装置，晶圆干燥装置包括具有第三容纳腔的第三本体以及设在第三容纳腔内的晶圆干燥组件和第三晶圆支撑组件；和第三机械手。根据本发明实施例的化学机械抛光设备具有清洗效果好等优点。
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