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公开(公告)号：CN108010840A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201610947670.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/318 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/0217
Abstract: 本发明涉及掺杂半导体器件的制备方法和半导体器件。根据本发明的方法包括以下步骤：步骤一，对半导体基材进行掺杂后，在半导体基材的表面上形成Si3N4保护层；步骤二，将带有Si3N4保护层的半导体基材进行退火。根据本发明的方法，使用Si3N4作为半导体基材的退火保护层。在退火之后，可将Si3N4层用作半导体器件的绝缘层，从而不必将Si3N4层完全去除，这简化了生产步骤。
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公开(公告)号：CN107785270A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610786019.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/223
Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件氮化方法，包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理，优选所述氮化处理在1200-1500℃，优选1250-1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法，通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化，简化了氮化钝化气体体系，避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低，避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险，简化了尾气处理系统。
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公开(公告)号：CN107785258A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610785087.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种4H-SiC P型绝缘栅双极型晶体管的制备方法。该方法通过在发射极P+欧姆接触区域浅注入一层高浓度的铝离子，有利于控制欧姆接触退火后欧姆合金层中铝的组分，从而降低了P型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻率，由此解决了4H-SiC P型绝缘栅双极型晶体管发射极P+源区和N+源区同时形成良好的欧姆接触P+源区比接触电阻率高的问题。本发明提供的4H-SiC P型绝缘栅双极型晶体管的制备方法具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105931963A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610526004.2
申请日：2016-07-06
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/868
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅PiN二极管的结终端结构的制造方法，首先在晶圆上生长衬垫氧化层和衬垫氮化硅；然后利用光刻和腐蚀工艺定义需要生长氧化层的区域；再利用衬垫氧化层和衬垫氮化硅作为阻挡层生长氧化层；组后通过湿法腐蚀的方式去除衬垫氮化硅和衬垫氧化硅，留下所需要的氧化层。通过这种方法能够避免在获得碳化硅PiN二极管的结终端结构的过程中由于刻蚀造成的损伤，通过由于进行了氧化，提高了载流子的寿命，从而改善了器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112713199B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201911025571.X
申请日：2019-10-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本公开提供一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。该二极管包括：第一导电类型碳化硅衬底、位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层、位于所述漂移层上方的第二导电类型阻挡层和位于所述阻挡层上方的第一导电类型过渡层，所述过渡层包括用于设置所述肖特基二极管的结势垒区和位于所述结势垒区两侧的结终端保护区。本公开通过在SiC JBS漂移层上形成导电类型相反的碳化硅阻挡层，在不增加正向导通电阻的前提下，解决了SiC JBS反向漏电过大的问题，特别是反向偏压低电压时，肖特基反向漏电随电压增长而快速增大的问题。
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公开(公告)号：CN112786680B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201911090164.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET元胞结构及功率半导体器件，包括：第一导电类型衬底层；位于第一导电类型衬底层上方的第一导电类型漂移区；在第一导电类型漂移区上方依次设置第一导电类型阻挡层、第二导电类型阱区和第一导电类型增强源区，其中第一导电类型阻挡层浓度大于第一导电类型漂移区的浓度；在第一导电类型漂移区表面还设置有源极金属和肖特基金属，并分别形成欧姆接触和肖特基接触；本发明通过在碳化硅MOSFET元胞内集成SBD，使模块封装时无需额外封装SBD，降低了封装成本，减少了键合线的寄生电感。同时通过在MOSFET元胞中第二导电类型阱区与第一导电类型漂移区的PN结附近漂移区侧设置有高浓度的第一导电类型阻挡层，有效的抑制第二导电类型阱区载流子向第一导电类型漂移区的注入，改善了碳化硅双极退化现象，并提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112786680A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911090164.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L27/06
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET元胞结构及功率半导体器件，包括：第一导电类型衬底层；位于第一导电类型衬底层上方的第一导电类型漂移区；在第一导电类型漂移区上方依次设置第一导电类型阻挡层、第二导电类型阱区和第一导电类型增强源区，其中第一导电类型阻挡层浓度大于第一导电类型漂移区的浓度；在第一导电类型漂移区表面还设置有源极金属和肖特基金属，并分别形成欧姆接触和肖特基接触；本发明通过在碳化硅MOSFET元胞内集成SBD，使模块封装时无需额外封装SBD，降低了封装成本，减少了键合线的寄生电感。同时通过在MOSFET元胞中第二导电类型阱区与第一导电类型漂移区的PN结附近漂移区侧设置有高浓度的第一导电类型阻挡层，有效的抑制第二导电类型阱区载流子向第一导电类型漂移区的注入，改善了碳化硅双极退化现象，并提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112786587A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911089113.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/07 , H01L23/552 , H01L29/423 , H01L29/47
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件的元胞结构，包括：位于第一导电类型衬底上方的第一导电类型漂移区；在第一导电类型漂移区表面设置主沟槽，并在主沟槽的底部和侧壁设置肖特基金属，在第一导电类型漂移区表面内且于主沟槽周边设置第二导电类型阱区，于阱区表面内设置源区，源区之上设置源极金属，分裂为两部分的栅极绝缘层和栅极设置在源区、阱区及第一导电类型漂移区的靠近主沟槽一侧。本发明通过在碳化硅MOSFET器件的元胞内集成SBD，有效抑制了MOSFET器件体内PIN二极管的开启，改善了双极注入效应，提高了MOSFET器件长期使用的可靠性；同时把肖特基金属和源极金属进行有效设置，使模块封装时无需额外封装SBD，降低了封装成本，减少了杂散电感。
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公开(公告)号：CN211350608U
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201921955406.X
申请日：2019-11-13
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , G03F7/20
Abstract: 本实用新型提出了一种能够降低晶片吸附翘曲度的辅助装置及投影光刻机，本实用新型的辅助装置包括压紧基体及升降机构，所述压紧基体通过联结部与升降机构相连，所述压紧基体能够在升降机构的控制下沿竖直方向上下运动。本实用新型的能够降低晶片吸附翘曲度的辅助装置及投影光刻机，能够通过压环将翘曲片压在载片台上，可以使晶片和载片台之间形成密闭腔，完成真空吸附，同时可以保证其吸附后的平坦度达到正常晶片的水准。
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