公开(公告)号：CN101057336A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580039042.5

申请日：2005-11-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅 ,  加地徹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/812 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/8122

Abstract: 一种半导体器件，其具有漏极22、半导体基板32、覆盖半导体基板32的表面的一部分并且在半导体基板32的表面上留下非覆盖表面55的电流调节层42、覆盖电流调节层42表面的半导体层50，以及形成在半导体层50表面的源极62。漂移区56、通道形成区54和源区52形成在半导体层50内。漏极22连接到电源的第一端子，并且源极62连接到电源的第二端子。根据该半导体器件50，可以增加耐受电压或者减少漏电的发生。

公开(公告)号：CN102473602A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034296.9

申请日：2010-08-04

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 关章宪 ,  杉本雅裕 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种用于p型SiC半导体的欧姆电极和形成欧姆电极的方法。所述欧姆电极具有欧姆电极层，其具有非晶结构并由Ti(1-x-y)Si(x)C(y)三元膜制成，所述三元膜的组成比例在由用式x＝0(0.35≤y≤0.5)、式y＝1.778(x-0.375)2+0.1(0≤x≤0.375)、式y＝-1.120x+0.5200(0.1667≤x≤0.375)和式y＝-2.504x2-0.5828x+0.5(0≤x≤0.1667)表示的两条直线和两条曲线所包围的并且排除由式x＝0表示的所述直线的组成范围内。所述欧姆层直接层叠在p型SiC半导体的表面上。

公开(公告)号：CN101180734B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680018146.2

申请日：2006-05-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地彻 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7832

Abstract: 本发明旨在抑制III-V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO2)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。

公开(公告)号：CN100550415C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200580039042.5

申请日：2005-11-14

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅 ,  加地徹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/812 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/80 ,  H01L29/861 ,  H01L29/08 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0843 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0891 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/8122

Abstract: 一种半导体器件，其具有漏极22、半导体基板32、覆盖半导体基板32的表面的一部分并且在半导体基板32的表面上留下非覆盖表面55的电流调节层42、覆盖电流调节层42表面的半导体层50，以及形成在半导体层50表面的源极62。漂移区56、通道形成区54和源区52形成在半导体层50内。漏极22连接到电源的第一端子，并且源极62连接到电源的第二端子。根据该半导体器件50，可以增加耐受电压或者减少漏电的发生。

公开(公告)号：CN101180734A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680018146.2

申请日：2006-05-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地彻 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7832

Abstract: 本发明旨在抑制III－V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO2)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。

公开(公告)号：CN102668040A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080042659.3

申请日：2010-09-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  関章宪 ,  川桥宪 ,  高桥康夫 ,  前田将克

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有相对于氮化物半导体的接触电阻较低的电极。该制造方法具有：含碳层形成工序，在氮化物半导体层上形成含有碳的含碳层；含钛层形成工序，在含碳层上形成含有钛的含钛层。在含钛层和氮化物半导体层之间形成TiN和TiC的无限固溶体Ti(C，N)的层。由此，含钛层在其边界部整体上相对于氮化物半导体层被欧姆接触。

公开(公告)号：CN100568530C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200680003142.7

申请日：2006-01-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地徹 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 半导体器件(10)包括在p-型氮化镓(GaN)制成的下半导体层(26)和n-型氮化铝镓(AlGaN)制成的上半导体层(28)之间的异质结，其中所述上半导体层(28)具有的带隙比所述下半导体层(26)的带隙大。所述半导体器件(10)进一步包括在所述上半导体层(28)的顶面的部分上形成的漏极(32)，在所述上半导体层(28)的顶面的不同部分上形成的源极(34)，和与所述下半导体层(26)电连接的栅极(36)。所述半导体器件(10)可工作为常闭。

公开(公告)号：CN101107714A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680003142.7

申请日：2006-01-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地徹 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/452 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 半导体器件(10)包括在p－型氮化镓(GaN)制成的下半导体层(26)和n－型氮化铝镓(AlGaN)制成的上半导体层(28)之间的异质结，其中所述上半导体层(28)具有的带隙比所述下半导体层(26)的带隙大。所述半导体器件(10)进一步包括在所述上半导体层(28)的顶面的部分上形成的漏极(32)，在所述上半导体层(28)的顶面的不同部分上形成的源极(34)，和与所述下半导体层(26)电连接的栅极(36)。所述半导体器件(10)可工作为常闭。

公开(公告)号：CN101027780A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580024191.4

申请日：2005-06-22

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地徹 ,  中野由崇 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其具有p－GaN层(32)、Si－GaN层(62)、AlGaN层(34)被层叠的层叠结构，并且具有形成在AlGaN层(34)的顶表面侧的栅电极(44)。AlGaN层(34)具有比p－GaN层(32)和Si－GaN层(62)更宽的带隙。而且，Si－GaN层(62)的杂质浓度小于1×1017cm－3。可以实现具有稳定的常断操作的、包括III－V族半导体的半导体器件。

公开(公告)号：CN111384158B

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN201911364732.8

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L29/24 ,  H01L23/367 ,  H01L29/732 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物半导体、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴的结晶性氧化物半导体时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物半导体，该结晶性氧化物半导体至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。