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公开(公告)号：CN100550415C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200580039042.5
申请日：2005-11-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/812 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/808 , H01L29/80 , H01L29/861 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0843 , H01L29/0847 , H01L29/0891 , H01L29/2003 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/7788 , H01L29/8122
Abstract: 一种半导体器件，其具有漏极22、半导体基板32、覆盖半导体基板32的表面的一部分并且在半导体基板32的表面上留下非覆盖表面55的电流调节层42、覆盖电流调节层42表面的半导体层50，以及形成在半导体层50表面的源极62。漂移区56、通道形成区54和源区52形成在半导体层50内。漏极22连接到电源的第一端子，并且源极62连接到电源的第二端子。根据该半导体器件50，可以增加耐受电压或者减少漏电的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100568530C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200680003142.7
申请日：2006-01-20
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/20
CPC classification number: H01L29/452 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 半导体器件(10)包括在p-型氮化镓(GaN)制成的下半导体层(26)和n-型氮化铝镓(AlGaN)制成的上半导体层(28)之间的异质结，其中所述上半导体层(28)具有的带隙比所述下半导体层(26)的带隙大。所述半导体器件(10)进一步包括在所述上半导体层(28)的顶面的部分上形成的漏极(32)，在所述上半导体层(28)的顶面的不同部分上形成的源极(34)，和与所述下半导体层(26)电连接的栅极(36)。所述半导体器件(10)可工作为常闭。
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公开(公告)号：CN101107714A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680003142.7
申请日：2006-01-20
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/20
CPC classification number: H01L29/452 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 半导体器件(10)包括在p－型氮化镓(GaN)制成的下半导体层(26)和n－型氮化铝镓(AlGaN)制成的上半导体层(28)之间的异质结，其中所述上半导体层(28)具有的带隙比所述下半导体层(26)的带隙大。所述半导体器件(10)进一步包括在所述上半导体层(28)的顶面的部分上形成的漏极(32)，在所述上半导体层(28)的顶面的不同部分上形成的源极(34)，和与所述下半导体层(26)电连接的栅极(36)。所述半导体器件(10)可工作为常闭。
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公开(公告)号：CN101027780A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580024191.4
申请日：2005-06-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其具有p－GaN层(32)、Si－GaN层(62)、AlGaN层(34)被层叠的层叠结构，并且具有形成在AlGaN层(34)的顶表面侧的栅电极(44)。AlGaN层(34)具有比p－GaN层(32)和Si－GaN层(62)更宽的带隙。而且，Si－GaN层(62)的杂质浓度小于1×1017cm－3。可以实现具有稳定的常断操作的、包括III－V族半导体的半导体器件。
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公开(公告)号：CN100530687C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200580024191.4
申请日：2005-06-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其具有p-GaN层(32)、SI-GaN层(62)、AlGaN层(34)被层叠的层叠结构，并且具有形成在AlGaN层(34)的顶表面侧的栅电极(44)。AlGaN层(34)具有比p-GaN层(32)和SI-GaN层(62)更宽的带隙。而且，SI-GaN层(62)的杂质浓度小于1×1017cm-3。可以实现具有稳定的常断操作的、包括III-V族半导体的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101057336A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580039042.5
申请日：2005-11-14
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/812 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/808 , H01L29/80 , H01L29/861 , H01L29/08 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0843 , H01L29/0847 , H01L29/0891 , H01L29/2003 , H01L29/41 , H01L29/778 , H01L29/7788 , H01L29/8122
Abstract: 一种半导体器件，其具有漏极22、半导体基板32、覆盖半导体基板32的表面的一部分并且在半导体基板32的表面上留下非覆盖表面55的电流调节层42、覆盖电流调节层42表面的半导体层50，以及形成在半导体层50表面的源极62。漂移区56、通道形成区54和源区52形成在半导体层50内。漏极22连接到电源的第一端子，并且源极62连接到电源的第二端子。根据该半导体器件50，可以增加耐受电压或者减少漏电的发生。
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