公开(公告)号：CN101180734B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680018146.2

申请日：2006-05-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地彻 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7832

Abstract: 本发明旨在抑制III-V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO2)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。

公开(公告)号：CN101180734A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200680018146.2

申请日：2006-05-25

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 杉本雅裕 ,  加地彻 ,  上杉勉 ,  上田博之 ,  副岛成雅

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/207 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7832

Abstract: 本发明旨在抑制III－V族化合物半导体的半导体区中包含的p型杂质(一般为镁)扩散到邻接的其它半导体区中。本发明的半导体器件(10)包括：由氮化镓(GaN)制成的第一半导体区(28)，具有包含镁的p型杂质；由氮化镓制成的第二半导体区(34)；以及由氧化硅(SiO2)制成的杂质扩散抑制层(32)，其位于第一半导体区(28)和第二半导体区(34)之间。