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公开(公告)号：CN104797747A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380059807.6
申请日：2013-11-15
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L21/0445 , C30B29/36 , C30B31/22 , C30B33/02 , C30B33/08 , C30B33/12 , H01L21/3065 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种可高精度地控制单晶SiC基板的蚀刻速度、并能准确地把握蚀刻量的表面处理方法。该表面处理方法中，藉由在Si的蒸汽压力下的加热处理进行蚀刻单晶SiC基板的处理。并且，在进行该蚀刻时，藉由调整单晶SiC基板周围的气体环境中的惰性气体压力来控制蚀刻速度。藉此，能够准确地把握蚀刻量。
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公开(公告)号：CN112585724A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201980054946.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , H01L21/302
Abstract: 在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的SiC芯片(40)进行蚀刻量小于或等于10μm的蚀刻，以去除加工变质层，其中，在所述研磨工序中，一边使用氧化剂在SiC芯片(40)上产生反应生成物，一边使用磨粒去除该反应生成物。在研磨工序后的SiC芯片(40)上，起因于加工变质层而会在较该加工变质层更深的内部产生内部应力，通过利用加工变质层去除工序去除该加工变质层，以减小SiC芯片(40)的内部应力。
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公开(公告)号：CN107004592B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201580062705.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/12
Abstract: 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。
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公开(公告)号：CN110431654A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880019339.2
申请日：2018-03-20
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , H01L21/20
Abstract: 在改性SiC晶片(41)的制造方法(SiC晶片的表面处理方法)中，且于制造改性SiC晶片(41)的方法中进行以下的表面改性工序，其中，该改性SiC晶片(41)，处理形成外延层(42)之前的处理前SiC晶片(40)而将表面改性。也就是说，处理前SiC晶片(40)含有平行于(0001)面的位错即BPD、和TED，且以处理前SiC晶片(40)的表面的属BPD的部分在外延层(42)的形成时作为TED进行传播的比例变高的方式使表面的性质变化。
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公开(公告)号：CN106029960B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580009773.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供一种即使在使用切断加工过的SiC籽晶进行MSE法的情况下也不会降低生长速度的方法。将作为亚稳定溶剂外延法(Metastable solvent epitaxy：MSE法)的籽晶使用的SiC籽晶通过在Si气氛下进行加热而对表面进行蚀刻，除去因切断加工产生的加工变质层。由于已经知道SiC籽晶产生的加工变质层会阻碍MSE法的生长，所以通过除去该加工变质层能够防止生长速度的降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103270202B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201180062380.6
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶基板12具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。
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公开(公告)号：CN106062929A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580009762.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/302 , C30B29/36 , C30B33/08 , H01L21/205 , H01L21/265
Abstract: 将进行过机械加工的SiC基板(40)在SiC气氛下进行加热处理而对该SiC基板(40)进行蚀刻之际，通过调整SiC基板(40)的周围的惰性气体压力来控制蚀刻速度。由此，在SiC基板(40)存在潜伤等的情况下，能够除去该潜伤等。因此，即使进行外延生长和热处理等，SiC基板(40)的表面也不会粗糙不平，所以能够制造高品质的SiC基板。
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公开(公告)号：CN101659409B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200910163506.3
申请日：2004-10-09
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B35/536 , C01P2006/80 , C04B35/522 , C04B35/64 , C04B35/83 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/723 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T428/2918 , Y10T428/30 , Y10T428/31504 , C04B41/4531
Abstract: 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×1018原子/cm3或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×1016原子/cm3或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。
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公开(公告)号：CN103270203A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062452.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B19/00 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
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公开(公告)号：CN1623894A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410092101.2
申请日：2004-10-09
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B35/536 , C01P2006/80 , C04B35/522 , C04B35/64 , C04B35/83 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/723 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T428/2918 , Y10T428/30 , Y10T428/31504 , C04B41/4531
Abstract: 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×1018原子/cm3或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×1016原子/cm3或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。
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