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公开(公告)号：CN101674068B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200910204758.6
申请日：2004-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3688 , G09G2310/0275 , G11C19/00
Abstract: 一种显示装置驱动电路，包括单一导电类型的TFT，并输出标准幅度的输出信号。一个脉冲被输入TFT101和104以导通这些TFT，节点α的电位升高。当节点α的电位达到(VDD-VthN)时，该节点α变为浮置状态。相应地，TFT105导通，当时钟信号变为高电平时，一个输出节点的电位升高。另一方面，当所述输出节点的电位升高时，由于电容装置107的操作使得TFT105的栅极电位进一步升高，从而TFT105的栅极电位变得高于(VDD-VthN)。这样，输出节点的电位升高到VDD，而不会由于TFT105的阈值电压导致电压下降。然后在下一级一个输出被输入到TFT103，势TFT103导通，同时节点α的电位()。结果，输出节点的电位变为低电平。
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公开(公告)号：CN103035192A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210378806.5
申请日：2012-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G11C19/184 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , H01L27/0248 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。
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公开(公告)号：CN101166023B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN200710180816.7
申请日：2007-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 三宅博之
CPC classification number: H01L27/1251 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G11C19/00 , G11C19/184 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H03K3/36
Abstract: 本发明的目的在于：在移位寄存器中抑制晶体管的阈值电压的变动以防止在非选择期间中晶体管错误工作。本发明的特征在于：在设置在移位寄存器中的脉冲输出电路中，在不输出脉冲的非选择期间中对处于浮动状态的晶体管的栅电极定期供给电位以使栅电极接通。此外，其特征还在于：通过定期使其他晶体管接通或截止，来对晶体管的栅电极供给电位。
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公开(公告)号：CN102783030A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180011903.4
申请日：2011-02-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/0175 , H03K19/094 , H03K19/0952
CPC classification number: G11C19/28 , G09G3/3677 , G09G3/3696 , G09G2300/0809 , G09G2310/0286 , G11C19/184 , H01L25/03 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L2924/0002 , H03K19/0013 , H05K7/02 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够稳定地操作的脉冲信号输出电路和一种包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。根据本公开的发明的一个实施例的脉冲信号输出电路包括第一晶体管至第十晶体管。第一晶体管的沟道宽度W与沟道长度L的比率W/L和第三晶体管的W/L各大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L大于第六晶体管的W/L。第五晶体管的W/L等于第七晶体管的W/L。第三晶体管的W/L大于第四晶体管的W/L。利用这样的结构，脉冲信号输出电路能够稳定地操作，并且能够提供包括脉冲信号输出电路的移位寄存器。
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公开(公告)号：CN102751295A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210271486.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/1368 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/45 , H01L29/78645
Abstract: 本发明涉及半导体装置与用于制造半导体装置的方法。半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102473733A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033672.2
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1262 , H01L29/45 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是降低半导体装置的制造成本。一个目的是改进半导体装置的孔径比。一个目的是使半导体装置的显示部分显示较高清晰度图像。一个目的是提供能够以高速度来操作的半导体装置。半导体装置包括一个衬底之上的驱动器电路部分和显示部分。驱动器电路部分包括：驱动器电路TFT，其中源和漏电极使用金属来形成，并且沟道层使用氧化物半导体来形成；以及使用金属来形成的驱动器电路布线。显示部分包括：像素TFT，其中源和漏电极使用氧化物导体来形成，并且半导体层使用氧化物半导体来形成；以及使用氧化物导体来形成的显示布线。
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公开(公告)号：CN101154342B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710152981.1
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136286 , G09G3/20 , G09G3/2022 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3275 , G09G3/342 , G09G3/3426 , G09G3/3677 , G09G3/3685 , G09G2300/043 , G09G2300/0852 , G09G2310/0248 , G09G2310/0262 , G09G2310/027 , G09G2310/0275 , G09G2310/0286 , G09G2310/0297 , G09G2320/0233 , G09G2320/043 , G09G2330/021 , G09G2340/02 , G09G2352/00 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/156 , H01L27/3232 , H01L27/3276 , H01L29/42384 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种电路技术，其能够减少显示装置的功耗并具有高清晰度。为晶体管的栅电极提供由启动信号控制的开关，所述晶体管的栅电极连接至自举晶体管的栅电极。当输入该启动信号时，电势通过该开关提供到该晶体管的栅电极，并且晶体管关闭。该晶体管关闭，从而可以防止从该自举晶体管的栅电极的电荷泄漏。相应地，可以缩短用于存储该自举晶体管的栅电极中的电荷的时间，并且可以高速地执行操作。
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公开(公告)号：CN100483938C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410058841.4
申请日：2004-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/20 , G09G2310/0275 , H03F1/301 , H03F3/505
Abstract: 当电源线的电势根据流动的电流变化时，晶体管的栅-源电压Vgs也发生变化，导致各源跟随器之间的恒定电流发生变化。为了解决该问题，作为恒流源的晶体管的栅端的电势Vb与连接到该晶体管的源端的电源线VSS作相同方式的变化。因此，抑制了该恒定电流的变化，并且因此抑制了该源跟随器的输出的变化。此外，通过将具有源跟随器的电路与信号线驱动电路的输出侧连接，可以防止在半导体器件的显示部分中识别出条形的亮度不均匀。
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公开(公告)号：CN101281715A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810090721.0
申请日：2008-03-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , H03K17/687 , H01L29/786 , H01L29/51
CPC classification number: G09G3/3677 , G09G3/3216 , G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G3/3266 , G09G3/3696 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2310/0281 , G09G2310/08 , G09G2320/043 , G11C19/28 , H01L29/78618
Abstract: 本发明提供一种显示装置，在该显示装置中，即使TFT的阈值电压移动，驱动电路也可以确保高可靠性。所述显示装置包括：输出电路；按顺序选择正向偏压及反向偏压的任何一个的阈值控制电路；以及将被选择的正向偏压及反向偏压的任何一个供应到输出电路所具有的晶体管的栅极的电源控制电路，其中对晶体管的栅极施加反向偏压的时间单值地取决于对晶体管的栅极施加正向偏压的时间。
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公开(公告)号：CN101154343A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710162011.X
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/124 , G09G3/2092 , G09G3/3266 , G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G2300/0809 , G09G2310/0205 , G09G2310/0248 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , G09G2310/0291 , G09G2310/061 , G09G2320/0646 , G09G2320/0666 , G11C19/28 , H01L27/0207 , H01L27/1222 , H01L27/1225
Abstract: 一种显示设备，用于抑制晶体管的阈值电压的波动，减少显示面板和驱动器IC的连接的数量，实现显示设备的功耗的减少，和实现显示设备的大小和高清晰度的提高。容易劣化的晶体管的栅极连接至高电位通过第一开关晶体管供应给其的布线和低电位通过第二开关晶体管供应给其的布线；时钟信号输入到第一开关晶体管的栅极；反向时钟信号输入到第二开关晶体管的栅极。因而，高电位和低电位交替施加到容易劣化的晶体管的栅极。
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