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公开(公告)号：CN102751295B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210271486.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/1368 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/45 , H01L29/78645
Abstract: 本发明涉及半导体装置与用于制造半导体装置的方法。半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。
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公开(公告)号：CN102751295A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210271486.3
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/1368 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/45 , H01L29/78645
Abstract: 本发明涉及半导体装置与用于制造半导体装置的方法。半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。
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公开(公告)号：CN101997007B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201010248886.3
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/40 , H01L29/786 , H01L23/52 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/32 , H01L27/3248 , H01L29/45
Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素，该驱动电路包括第一薄膜晶体管，该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分接触并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的外围和侧表面接触的氧化物绝缘层、第一源电极层以及第一漏电极层。第二薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二氧化物半导体层、以及都使用透光材料形成的第二源电极层和第二漏电极层。
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公开(公告)号：CN102576861A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080040086.0
申请日：2010-09-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/136 , C01G53/00 , H01G9/058 , H01M4/58 , H01M10/052 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M4/58 , H01M4/136 , H01M4/366 , H01M10/0525 , H01M10/0585 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及负电极活性材料、负电极和蓄电装置。目标是改善蓄电装置的特性和实现长寿命。在氮化锂用于蓄电装置的负电极活性材料的情况下，将多个具有不同锂浓度的氮化锂层层叠。例如，在将第一氮化锂层和第二氮化锂层层叠在集流体上的情况下，第一氮化锂层中所含的锂比第二氮化锂层中所含的锂的浓度低。在该情况下，第一氮化锂层的过渡金属的浓度高于第二氮化锂层的过渡金属的浓度。注意，可以使用另外的碱金属来替代锂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101997007A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010248886.3
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/40 , H01L29/786 , H01L23/52 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/32 , H01L27/3248 , H01L29/45
Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素，该驱动电路包括第一薄膜晶体管，该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分接触并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的外围和侧表面接触的氧化物绝缘层、第一源电极层以及第一漏电极层。第二薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二氧化物半导体层、以及都使用透光材料形成的第二源电极层和第二漏电极层。
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公开(公告)号：CN102576861B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080040086.0
申请日：2010-09-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/136 , C01G53/00 , H01G11/22 , H01M4/58 , H01M10/052 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M4/58 , H01M4/136 , H01M4/366 , H01M10/0525 , H01M10/0585 , Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及负电极活性材料、负电极和蓄电装置。目标是改善蓄电装置的特性和实现长寿命。在氮化锂用于蓄电装置的负电极活性材料的情况下，将多个具有不同锂浓度的氮化锂层层叠。例如，在将第一氮化锂层和第二氮化锂层层叠在集流体上的情况下，第一氮化锂层中所含的锂比第二氮化锂层中所含的锂的浓度低。在该情况下，第一氮化锂层的过渡金属的浓度高于第二氮化锂层的过渡金属的浓度。注意，可以使用另外的碱金属来替代锂。
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公开(公告)号：CN102576732B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201080019588.5
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/1368 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/45 , H01L29/78645
Abstract: 半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。
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公开(公告)号：CN104882473A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510351815.9
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/32 , H01L27/3248 , H01L29/45
Abstract: 本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素，该驱动电路包括第一薄膜晶体管，该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分接触并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的外围和侧表面接触的氧化物绝缘层、第一源电极层以及第一漏电极层。第二薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二氧化物半导体层、以及都使用透光材料形成的第二源电极层和第二漏电极层。
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公开(公告)号：CN102576732A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080019588.5
申请日：2010-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/1368 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L29/45 , H01L29/78645
Abstract: 半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。
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