公开(公告)号：CN1909188B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200510091142.4

申请日：2005-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  藤井厳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/208 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C26/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明的目的是提供一种可以简单的步骤制造具有绝缘膜、半导体膜、导电膜等的膜图案的衬底的方法，以及以低成本、高产量、高成品率来制造半导体器件的方法。本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一膜；在所述第一膜上排放含有掩模材料的溶液以在所述第一膜上形成掩模；使用所述掩模对所述第一膜进行图案化以在所述衬底上形成低润湿性区域和高润湿性区域；去除所述掩模；以及，向夹在所述低润湿性区域之间的高润湿性区域中排放含有绝缘膜、半导体膜或导电膜材料的溶液，以形成绝缘膜、半导体膜或导电膜的图案。

公开(公告)号：CN100565910C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200610006916.3

申请日：2006-01-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊佐敏行 ,  森末将文 ,  川俣郁子

IPC: H01L29/40 ,  H01L23/522 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L51/0022 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供提高材料的使用效率且简化制造步骤的半导体装置、显示装置以及其制造技术。此外，另一个目的在于提供将构成这些半导体装置、显示装置的布线等的图形以高控制性形成为所希望的形状的技术。在喷射由包含导电性材料的组合物构成的多个液滴的第一喷射步骤中，将第一液滴喷射为其中心位置位于第一线上，在喷射多个液滴的第二喷射步骤中，将第二液滴向第一液滴之间喷射并使其中心位置位于平行于第一线的第二线上，来形成具有连续波状形状的侧端部分的导电层。

公开(公告)号：CN100492594C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510129041.1

申请日：2005-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/288 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种制造半导体器件的方法，其中可以有利地填充具有高宽高比开口的接触孔，而不采用传统的CMP工艺。本发明的另一个目的是提供一种采用比传统方法更少的步骤形成引线的方法，并且提供一种在高成品率下制造高度集成的半导体器件的方法。根据本发明，在具有多个空气孔的绝缘膜的表面上形成具有斥水性表面的膜，通过采用光照射具有斥水性表面的膜的一部分而形成具有亲水性表面的区域，以及通过在所述具有亲水性表面的区域上释放并且烘焙具有导电颗粒的液体材料而形成导电膜。

公开(公告)号：CN100483702C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200510128721.1

申请日：2005-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井厳 ,  森末将文

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置或显示装置，它们可通过改善材料的使用效率并简化制造过程加以制造，以及这些装置的制造技术。此外，本发明的另一目的在于提供一种以期望形状和良好的附着力形成构成半导体装置或显示装置的配线图案等的技术。通过在它们之间形成包含至少一个孔的导电缓冲层来增加第一和第二导电层之间的附着力。通过用借助烘培固化的颗粒形状的导电材料装填包含至少一个孔的缓冲层的孔形成第二导电层。孔中被固化的导电层起到类似于楔子的作用，且第二导电层以良好的附着力和稳定性形成于第一导电层上。

公开(公告)号：CN101162703A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710181907.2

申请日：2007-10-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田中幸一郎 ,  森末将文

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311

CPC classification number: G02F1/136227 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76817 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/66765 ,  Y02P80/30

Abstract: 在绝缘层的开口形成区域上与绝缘层接触地配置管子，并且经过该管子将处理剂(蚀刻气体或蚀刻液)喷出到绝缘层上。借助于喷出了的处理剂(蚀刻气体或蚀刻液)选择性地去除绝缘层，以在绝缘层中形成开口。因此，具有开口的绝缘层形成在第一导电层上，从而位于绝缘层下的第一导电层露出在开口的底面。在开口中与露出了的第一导电层接触地形成第二导电层，而在设置于绝缘层中的开口中使第一导电层和第二导电层电连接。

公开(公告)号：CN101038857A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200710085416.8

申请日：2007-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  神保安弘 ,  藤井严 ,  木村肇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/04 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133711 ,  G02F1/133734 ,  G02F1/133784 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78633 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/1896 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于制造半导体装置的方法，包括：在具有透光性质的衬底上形成光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层；在具有透光性质的衬底上形成元件形成层，使光催化层和与所述光催化层接触的有机化合物层夹在所述衬底和元件形成层之间；在使用光通过具有透光性质的衬底照射光催化层之后，将所述元件形成层与具有透光性质的衬底分离。

公开(公告)号：CN1934687A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009603.7

申请日：2005-03-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 森末将文 ,  藤井严

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种通过使用微滴排放方法以自对准的方式制造薄膜晶体管的方法，其不必考虑微滴排放装置的排放位置精度。根据本发明，可以采用有机树脂膜或类似物，并通过内腐蚀、曝光、显影等处理成为预定的形状。通过利用具有预定形状的有机树脂膜作为掩模，可以刻蚀掉含有一种导电类型杂质的半导体层。通过利用具有预定形状的有机树脂膜，可以对区域进行不同的润湿。