公开(公告)号：CN1871711A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480031537.9

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  今井馨太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/56

Abstract: 根据本发明，提供了一种显示器件，在该显示器件中，TFT与发光元件连接，在发光元件处具有产生称为电致发光的发光的有机物质或包括夹在电极之间的有机物质与无机物质的混和物的介质，本方面将通过形成至少一个多个诸如用于形成预定图形的掩模层之类的导电层来制造显示屏，所述导电层形成引线或电极和制造显示屏所需的图形，所述预定图形通过能够选择性地形成图形的方法来形成。点滴滴注方法能够依照具体物体通过选择性地滴注合成物的点滴和通过形成导电层或绝缘层来形成预定图形，被作为能够选择性地形成图形的方法来使用。

公开(公告)号：CN1819273A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610059905.1

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。

公开(公告)号：CN1649454A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200510007056.0

申请日：2005-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中村理 ,  前川慎志 ,  藤井严 ,  伊佐敏行

IPC: H05B33/08 ,  H05B33/22 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/0022 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/3225 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/0251 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/055 ,  H01L51/529

Abstract: 本发明通过提高材料的有效性以及简化步骤来提供了一种显示器件及其制造方法。本发明还提供了形成诸如用于形成显示器件的引线之类的图形的技术，使之具有极佳的可控性的预定形状。制造显示器件的方法包括以下步骤：形成疏液性区域；将激光束选择性地照射到疏液性区域，以形成亲液性区域；在亲液性区域中排放包含导电材料的合成物，以形成栅极电极层；在栅极电极层上形成栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上排放包含导电材料的合成物，以形成源极电极层和漏极电极层；以及在源极电极层或漏极电极层上形成像素电极层。

公开(公告)号：CN102569342B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201110373008.9

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。

公开(公告)号：CN103730513A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201410008748.6

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种电子器件、半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。

公开(公告)号：CN101924124B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010197639.5

申请日：2005-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L51/0018 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/10

Abstract: 考虑到有机TFT的有机半导体层有可能由于水、光、氧气等而受到破坏的问题，本发明的一个目的是简化生产步骤并且提供用来高可靠性地生产具有有机TFT的半导体装置。根据本发明，含有有机材料的半导体层是通过使用掩模形成图案而形成的，因此有机TFT是在掩模没有被除去而是保留在半导体层上的状态下完成的。另外，通过使用保留的掩模可以保护半导体层免受水、光、氧气等的破坏。

公开(公告)号：CN1871711B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200480031537.9

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  今井馨太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/56

Abstract: 根据本发明，提供了一种显示器件，在该显示器件中，TFT与发光元件连接，在发光元件处具有产生称为电致发光的发光的有机物质或包括夹在电极之间的有机物质与无机物质的混和物的介质，本方面将通过形成至少一个多个诸如用于形成预定图形的掩模层之类的导电层来制造显示屏，所述导电层形成引线或电极和制造显示屏所需的图形，所述预定图形通过能够选择性地形成图形的方法来形成。点滴滴注方法能够依照具体物体通过选择性地滴注合成物的点滴和通过形成导电层或绝缘层来形成预定图形，被作为能够选择性地形成图形的方法来使用。

公开(公告)号：CN101452893B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200810185705.X

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福地邦彦 ,  藤井岩 ,  中村理 ,  前川慎志

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78678 ,  C25D5/022 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造法。根据本发明的一个方面，通过液滴喷射方法形成制造显示装置所需的至少一个或多个图案，例如形成布线或电极的导电层以及掩模。那时，其中不在半导体层下的一部分栅极绝缘薄膜在本发明的制造步骤过程中被除去。

公开(公告)号：CN1734736B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200510091030.9

申请日：2005-08-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  本田达也 ,  小路博信 ,  中村理 ,  铃木幸惠 ,  川俣郁子

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1277 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。

公开(公告)号：CN101006588B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200580028621.X

申请日：2005-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/0018 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/10

Abstract: 考虑到有机TFT的有机半导体层有可能由于水、光、氧气等而受到破坏的问题，本发明的一个目的是简化生产步骤并且提供用来高可靠性地生产具有有机TFT的半导体装置。根据本发明，含有有机材料的半导体层是通过使用掩模形成图案而形成的，因此有机TFT是在掩模没有被除去而是保留在半导体层上的状态下完成的。另外，通过使用保留的掩模可以保护半导体层免受水、光、氧气等的破坏。