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公开(公告)号：CN101685772B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200910175626.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN101685772A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200910175626.5
申请日：2009-09-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32027 , H01J37/32045 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32137 , H01J37/32532 , H01J2237/3341 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67253 , H01L22/14 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，其能够有效地抑制电极上的基板的电压变化，抑制射向基板的离子的入射能量的变动。基板处理装置包括：将基板保持在主面上的第一电极；与第一电极相对的第二电极；向第一电极施加频率为40MHz以上的RF电压的RF电源；和叠加在RF电压上，向第一电极施加电压与时间对应地下降的脉冲电压的脉冲电压施加部。
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公开(公告)号：CN101540277A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910129459.0
申请日：2009-03-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32577 , H01J37/32642
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置，其能够在广RF频率区域中且在广RF功率区域中提高等离子体处理的面内均匀性。在腔室(10)内，载置半导体晶片(W)的基座(下部电极)(12)和上部电极(38)平行相向地配置。在基座(12)上，从第一高频电源(32)施加等离子体生成用的第一高频。基座(12)的侧面和上表面周边部(边缘部)夹着电介质(16)被从腔室(10)的底壁向垂直上方延伸的RF接地部件(18)覆盖。在安装在排气通路(20)的上部的排气环(22)之上设置有翼部件(25)。
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公开(公告)号：CN1261995C
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN01811344.3
申请日：2001-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/205 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/6835 , C23C16/4585 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L24/90 , H01L2924/01004 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082
Abstract: 本发明的被处理体的保持装置具有：基座本体，第一电介质膜和第二电介质膜。该基座本体为凸台形状，由放置在等离子体处理装置内并保持所放置的被处理体的保持部，和设置在用于嵌入聚焦环的保持部的外周边缘上的凸缘构成。该第一电介质膜利用库仑力将放在上述保持部上的被处理体吸附在基座本体上。该第二电介质膜利用约翰逊-拉贝克力，借助比上述第一电介质膜强的吸附力，将放置在上述凸缘上的上述聚焦环吸附在基座本体上。本装置增大了聚焦环在基座本体上的静电吸附力，提高了冷却效果，并且在聚焦环附近的等离子体处理特性不会随时间改变，可以均匀地处理整个被处理体。
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公开(公告)号：CN113451101A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110659565.0
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103943489B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410028242.1
申请日：2014-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01L21/3081 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供一种对在第1氧化膜与第2氧化膜之间设有有机膜的多层膜进行蚀刻的多层膜的蚀刻方法。在该方法中，对有机膜进行蚀刻的工序（b）中的等离子体生成用的高频电力大于对第1氧化膜进行蚀刻的工序（a）和对第2氧化膜进行蚀刻的工序（c）中的高频电力。工序（a）和工序（c）中的吸引离子用的高频偏压电力大于工序（b）中的高频偏压电力。另外，在工序（a）、工序（b）以及工序（c）中，形成具有这样的强度分布的磁场：沿着相对于被处理体的中心轴线而言的放射方向的水平磁场成分在离开中心轴线的位置处具有峰值；工序（b）中的水平磁场成分的峰值位置比工序（a）和工序（c）中的水平磁场成分的峰值位置靠近中心轴线。
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公开(公告)号：CN103247511B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310047993.3
申请日：2013-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/465 , C23C14/35 , C23C14/351 , C23C14/352 , H01J37/32091 , H01J37/3266 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J37/345 , H01J37/3452 , H01L21/32136
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其能够防止电荷在栅电极中蓄积，能够可靠地抑制栅氧化膜的绝缘破坏。在被供给高频电力的基座（12）和与该基座（12）相对配置的上部电极（13）之间的处理空间S产生电场E，使用由该电场（E）产生的等离子体对载置于基座（12）的晶片W实施等离子体处理时，通过配置于上部电极（13）的上表面（13a）的多个电磁铁（25）和电磁铁（26）在处理空间S中产生磁场B，使通过电场E产生的等离子体的Ne（电子密度）的分布形态和由磁场B产生的等离子体的（Ne）的分布形态重叠，来调整处理空间S的Ne的分布，使晶片W表面的Vdc（负偏压电位）均匀化。
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公开(公告)号：CN102110574B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201010623408.6
申请日：2010-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32577 , H01J37/32605
Abstract: 提供一种可以对等离子体生成所消耗的高频波的电场强度分布进行控制的等离子体处理装置。等离子体蚀刻装置(10)，具有在内部对被处理体进行等离子体处理的处理容器(100)；在处理容器(100)内部互相相对，并在相互之间形成处理空间的上部电极(105)和下部电极(110)；与下部电极(110)连接，向处理容器(100)内输出高频电力的第一高频电源(150)。在上部电极(105)和下部电极(110)的至少任一个，具有由板状金属形成的基材，和在内部埋设有金属的板电极的状态下嵌入上述基材的、一部分从上述基材露出的电介质。
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公开(公告)号：CN104810272A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510206545.2
申请日：2008-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供等离子体蚀刻方法，能够大幅改善充电损伤的发生，实现等离子体处理的稳定性和可靠性的提高。在能够真空排气的处理容器(10)内相对地平行配置上部电极(38)和下部电极(12)，由第一高频电源(32)通过第一匹配器(34)向下部电极(12)施加第一高频。控制部(68)以使得用于生成等离子体的第一高频具有生成等离子体的第一振幅的第一期间、和具有实质上不生成等离子体的第二振幅的第二期间以规定的周期交替重复的方式控制第一高频电源(32)。
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公开(公告)号：CN101853770B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010155002.X
申请日：2010-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/02 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理方法，对激励电力施加部的输出变动和偏置电力施加部的输出变动的时刻进行调整，抑制偏置用高频电力的振幅的增大，事先防止异常放电等问题发生。在使用基板处理装置的基板处理方法中，以在规定的时刻改变激励电力施加部(35)的输出使气体激励用高频电力间歇地变化的方式进行控制，并且利用激励电力施加部(35)的控制使收容室内成为等离子体不存在的状态或余辉的状态时，以使偏置电力施加部(27)断开或使其输出在与激励电力施加部的输出为设定输出情况下的偏置电力施加部的输出相比下降的方式进行控制，其中，基板处理装置具有：载置台(23)、与其相对配置的上部电极(24)、向上部电极(24)施加气体激励用高频电力的激励电力施加部(35)、和向下部电极(23)施加偏置用高频电力的偏置电力施加部(27)。
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