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公开(公告)号：CN102272963B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201080003893.5
申请日：2010-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/187 , H01L41/09 , B41J2/14 , G01C19/5628 , H01L41/316 , H01L41/319 , H01L41/332
CPC classification number: B41J2/14233 , G01C19/5628 , H01L41/0973 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H01L41/319 , H01L41/332
Abstract: 本发明提供一种含有无铅强介电材料，且具有低介电损耗、高机电耦合系数以及与钛酸锆酸铅(PZT)相同的高压电常数的无铅压电体薄膜。本发明的压电体薄膜具有由钙钛矿型复合氧化物(Bi、Na、Ba)TiO3构成的(Bi、Na、Ba)TiO3膜。(Bi、Na、Ba)TiO3膜具有(001)取向，还含有Ag。在(Bi、Na、Ba)TiO3膜中的摩尔比Ag/Ti在0.001以上0.01以下。
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公开(公告)号：CN103348501A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201380000444.9
申请日：2013-01-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/187 , B41J2/045 , B41J2/055 , G01C19/5628 , H01L41/09 , H01L41/107 , H01L41/39
CPC classification number: H02N2/18 , B32B18/00 , B41J2/045 , B41J2/055 , B41J2/14233 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/475 , C04B35/50 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3298 , C04B2235/787 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C30B23/02 , C30B29/22 , G01C19/56 , G01C19/5607 , G01C19/5628 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/0973 , H01L41/113 , H01L41/1132 , H01L41/1136 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H01L41/1878 , H01L41/316 , H02N2/186 , Y10T428/12667
Abstract: 本发明提供一种具有高结晶取向性、低介质损耗、高极化消失温度、高压电常数以及施加电场与变形量之间的高线性的非铅压电体膜。本发明是具备以下部分的压电体膜。本发明的压电体膜包括：仅具有（001）面取向的NaxLa1-x+yNyO3-x层；和仅具有（001）面取向的（1-α）（Bi，Na，Ba）TiO3-αBiQO3层。上述（1-α）（Bi，Na，Ba）TiO3-αBiQO3层形成在上述NaxLa1-x+yNi1-yO3-x层上。Q表示Fe、Co、Zn0.5Ti0.5或者Mg0.5Ti0.5。x表示0.01以上0.05以下的值。y表示0.05以上0.20以下的值。α表示0.20以上0.50以下的值。
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公开(公告)号：CN101981718B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980110747.X
申请日：2009-10-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/18 , H01L41/22 , C23C14/08 , C04B35/475 , G01C19/5607 , G01C19/5642
CPC classification number: C23C14/08 , C04B35/475 , C04B2235/3201 , C04B2235/3215 , C04B2235/3236 , G01C19/5607 , G01C19/5642 , H01L41/187 , H01L41/316 , Y10T29/42
Abstract: 本发明提供一种压电薄膜及其制造方法，该压电薄膜包含不含铅的强介电材料，变现出与PZT同等水平的高的压电性能。本发明的压电薄膜具有依次叠层有具有(100)的面方位的金属电极膜、(Bi，Na)TiO3膜和具有(001)的面方位的(Bi，Na，Ba)TiO3膜的叠层结构。本发明的压电薄膜能够应用于广泛的领域和用途，例如，能够利用本发明的压电薄膜形成传感灵敏度出色的本发明的角速度传感器以及发电特性出色的压电发电元件。
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公开(公告)号：CN102047458B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200980120313.8
申请日：2009-10-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/32
Abstract: 本发明的热发电器件具备：相互相对配置的第一电极和第二电极；和叠层体，其夹在第一电极和第二电极之间，与第一电极和第二电极的双方电连接，在与作为第一电极和第二电极相对的方向的电动势取出方向正交的方向上叠层。叠层体具有热电材料层和以夹着热电材料层的方式配置的第一夹持层和第二夹持层，第一夹持层和第二夹持层分别具有金属和绝缘体交替叠层的叠层构造，该叠层构造的叠层方向与叠层体的叠层面平行，并且是相对于电动势取出方向倾斜的方向，第一夹持层的绝缘体与第二夹持层的绝缘体按照在该叠层方向上交替出现的方式配置，通过在与叠层体的叠层方向正交并且与电动势取出方向正交的方向上产生温差，经第一电极和第二电极输出电力。
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公开(公告)号：CN101356658B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200780001279.3
申请日：2007-09-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/16 , H01L35/32 , H01L35/34 , Y10T156/1062
Abstract: 本发明提供比现有技术具有更高的热发电性能、能够应用于更多用途的，使用热发电元件的发电方法、热发电元件和热发电器件。该热发电元件包括：相互相对配置的第一电极和第二电极；和被第一和第二电极夹持，并且与第一和第二电极两者电连接的叠层体，叠层体具有交替地叠层有Bi2Te3层和含有Al、Cu、Ag或Au的金属层的结构，金属层与Bi2Te3层的厚度之比在金属层∶Bi2Te3层＝400∶1～20∶1的范围内，Bi2Te3层和金属层的叠层面相对于第一电极和第二电极相对的方向，以15°以上60°以下的倾斜角θ倾斜，在元件的与方向垂直的方向上产生温度差，由此，通过第一和第二电极获得电力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101032038B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200680000874.0
申请日：2006-07-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01G51/006 , C01G51/66 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/78 , C01P2004/41 , C01P2004/62 , C01P2006/40
Abstract: 本发明的热电转换器件包括：第一电极(21)；第二电极(23)；以及被夹在第一电极(21)和第二电极(23)之间的层状氧化物(22)。第一电极(21)、层状氧化物(22)和第二电极(23)依次配置，形成多层体。上述层状氧化物(22)由导电层(11)和电绝缘层(12)交替地配置而形成。层状氧化物(22)的c轴垂直于第一电极(21)与层状氧化物(22)之间的界面。第二电极(23)的面积小于第一电极(21)的面积。
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公开(公告)号：CN101032038A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200680000874.0
申请日：2006-07-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01G51/006 , C01G51/66 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/78 , C01P2004/41 , C01P2004/62 , C01P2006/40
Abstract: 本发明的热电转换器件包括：第一电极(21)；第二电极(23)；以及被夹在第一电极(21)和第二电极(23)之间的层状氧化物(22)。第一电极(21)、层状氧化物(22)和第二电极(23)依次配置，形成多层体。上述层状氧化物(22)由导电层(11)和电绝缘层(12)交替地配置而形成。层状氧化物(22)的c轴垂直于第一电极(21)与层状氧化物(22)之间的界面。第二电极(23)的面积小于第一电极(21)的面积。
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公开(公告)号：CN1914733A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003381.8
申请日：2005-09-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种即使在还原气氛下进行热处理时，电阻变化能力的降低也被抑制的变电阻元件和使用其的非易失性存储器。具体地说，本发明提供的非易失性存储器(1)由具有以化学式RMCoO3(其中：R代表稀土类元素、M代表碱土类元素)表示的钙钛矿结构的氧化物半导体构成的材料层，和与所述材料层电连接的作为两个电极的第一电极和第二电极构成，同时，(2)具有变电阻元件晶体管，所述变电阻元件与晶体管电连接。
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公开(公告)号：CN1898798A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200580001365.5
申请日：2005-09-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/31 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种具有与现有技术元件不同的结构，电阻变化特性优良的电阻变化元件。其存在电阻值不同的两种以上的状态，通过施加规定电压或者电流，可以从在上述两种以上的状态中选择的一种状态向另一种状态变化的电阻变化元件，其中，包括上部电极和下部电极以及由上述双方电极夹持的电阻变化层的多层构造体被配置在基板上，电阻变化层具有尖晶石结构，上述下部电极的上述电阻变化层的表面被氧化。这种电阻变化元件可在400℃以下的制造过程中制造。
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公开(公告)号：CN1820380A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200580000645.4
申请日：2005-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L35/32
CPC classification number: H01L35/32
Abstract: 本发明提供一种即使薄型化也能实现高效率的热电转换元件。在该热电转换元件中，在绝缘层的一面上配置有条纹状的p型热电转换部，在另一面上配置有条纹状的n型热电转换部。两种条纹形成重叠部，在该重叠部中，第一p型热电转换部和第一n型热电转换部通过配置在绝缘层内的第一导通部电连接，并且第二p型热电转换部和第二n型热电转换部通过配置在绝缘层内的第二导通部电连接，第一导通部与第二导通部电分离。在现有的元件中配置有一个接合的区域，本发明的元件配置有两个接合。
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