-
公开(公告)号：CN118588548A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410560920.2
申请日：2019-03-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 克伦·J·卡纳里克 , 萨曼莎·西亚姆-华·坦 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。
-
公开(公告)号：CN114999910A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210384497.6
申请日：2016-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/308 , C23C16/24 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
-
公开(公告)号：CN112530789A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011156060.4
申请日：2016-01-12
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
-
公开(公告)号：CN110379918A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910500208.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法。提供了蚀刻金属的方法，所述方法通过沉积可与待被蚀刻的金属和卤素反应以形成挥发性物质的材料以及将衬底暴露于含卤素的气体和活化气体以蚀刻衬底来进行。所沉积的材料可以包括硅、锗、钛、碳、锡、以及它们的组合。方法适合于制造MRAM结构并且可以包括在不破坏真空的情况下将ALD和ALE工艺结合。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109346393A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201810953048.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法。提供了蚀刻金属的方法，所述方法通过沉积可与待被蚀刻的金属和卤素反应以形成挥发性物质的材料以及将衬底暴露于含卤素的气体和活化气体以蚀刻衬底来进行。所沉积的材料可以包括硅、锗、钛、碳、锡、以及它们的组合。方法适合于制造MRAM结构并且可以包括在不破坏真空的情况下将ALD和ALE工艺结合。
-
公开(公告)号：CN104953026B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510072693.X
申请日：2015-02-11
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 一种蚀刻非挥发性金属材料的方法，特别是用于蚀刻带有含钌层的堆叠的方法，所述含钌层配置在硬掩膜的下方和带有针扎层的磁性隧道结(MTJ)堆叠的上方。所述硬掩膜被使用干法蚀刻进行蚀刻。所述含钌层被使用基于次氯酸盐和/或臭氧的化学物质进行蚀刻。所述MTJ堆叠被蚀刻。所述MTJ堆叠由电介质材料覆盖。所述针扎层紧接着所述MTJ覆盖被蚀刻。
-
公开(公告)号：CN106252222A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610393976.9
申请日：2016-06-06
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/263
CPC classification number: H01L21/30621 , H01J37/321 , H01J37/32706 , H01J2237/334 , H01L21/67207 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L21/3065 , H01L21/2633
Abstract: 本发明涉及GaN和其他III-V族材料的原子层蚀刻。本文提供了去除例如氮化镓(GaN)之类的III-V族材料的ALE方法和相关装置。在一些实施方式中，所述方法涉及将III-V族材料暴露于含氯等离子体而没有给衬底施加偏置以形成经修改的III-V族表面层；以及施加偏置电压至衬底，同时将经修改的III-V族表面层暴露于等离子体，由此去除经修改的III-V族表面层。所公开的方法适用于广泛范围的应用，包括用于沟槽和孔的蚀刻工艺、HEMT的制造、LED的制造以及在蚀刻工艺中的改进的选择性。
-
公开(公告)号：CN106067513A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610248296.8
申请日：2016-04-20
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L43/12 , H01J37/305
Abstract: 本发明涉及图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法。提供了蚀刻金属的方法，所述方法通过沉积可与待被蚀刻的金属和卤素反应以形成挥发性物质的材料以及将衬底暴露于含卤素的气体和活化气体以蚀刻衬底来进行。所沉积的材料可以包括硅、锗、钛、碳、锡、以及它们的组合。方法适合于制造MRAM结构并且可以包括在不破坏真空的情况下将ALD和ALE工艺结合。
-
公开(公告)号：CN101828252A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200880113115.4
申请日：2008-10-15
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·M·德拉里奥斯 , 埃里克·M·弗里尔 , 迈克尔·拉夫金 , 杰弗里·马克斯
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 提供用于清洁晶片表面、尤其是图案化晶片的表面的方法和设备。该清洁设备包括在面向该图案化晶片的表面上具有通道的清洁头，该晶片具有占主导地位的图案。流过该通道的清洁材料在图案化晶片的表面施加剪切力，其晶片的方位设为相对该清洁头的一定方向。该剪切力、该图案化晶片的一定方向和该清洁头提高该表面污染物的去除效率。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.031 seconds)
