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公开(公告)号：CN113491014A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080016969.1
申请日：2020-02-24
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管(FET)架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区域和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，非平面沟道区被形成为具有第一半导体层(208)、第二半导体层(206)以及位于第一半导体层(208)与第二半导体层(206)之间的鳍状桥接层。形成所述非平面沟道区可以包括：在衬底(204)之上形成纳米片堆叠体；通过去除所述纳米片堆叠体的一部分来形成沟槽(502)；以及在所述沟槽(502)中形成第三半导体层(602)。所述第一半导体层(208)、所述第二半导体层(206)和所述鳍状桥区的外表面限定所述非平面沟道区的有效沟道宽度。
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公开(公告)号：CN110892523A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880047408.0
申请日：2018-07-16
IPC: H01L21/8238
Abstract: 提供了通过在形成触点之前形成栅极侧壁间隔物和栅极来形成自对准触点的技术。在一个方面，一种形成自对准触点的方法包括以下步骤：在衬底上形成多个栅极侧壁间隔物；将栅极侧壁间隔物埋入电介质中；通过从栅极侧壁间隔物之间的将要形成栅极的区域选择性地去除电介质来形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极；通过选择性地从栅极侧壁间隔物之间的将要形成自对准触点的区域去除电介质来形成触点沟槽；在触点沟槽中形成自对准触点。还提供了具有自对准触点的器件结构。
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公开(公告)号：CN103811535B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310545981.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。
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公开(公告)号：CN103972236B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410044017.7
申请日：2014-01-30
IPC: H01L27/088 , H01L29/10 , H01L21/782
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L21/28 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/0653 , H01L29/41791 , H01L29/458 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及包含鳍式场效电晶体装置的集成电路及其制造方法，提供数种集成电路及用以制造集成电路的方法。在一实施例中，集成电路包含半导体基板。彼此毗邻地从该半导体基板延伸的第一鳍片及第二鳍片。该第一鳍片有第一上半段以及该第二鳍片有第二上半段。第一磊晶部覆于该第一上半段上以及第二磊晶部覆于该第二上半段上。第一硅化物层覆于该第一磊晶部上以及第二硅化物层覆于该第二磊晶部上。该第一及该第二硅化物层彼此隔开以定义横向间隙。介电间隔体由介电材料形成以及跨越该横向间隙。接触形成材料覆于该介电间隔体以及该第一及该第二硅化物层横向在该介电间隔体上方的部分上。
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公开(公告)号：CN104576370A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410551194.4
申请日：2014-10-17
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德半导体股份有限公司
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L21/823828 , H01L21/823437 , H01L21/823468 , H01L21/823864
Abstract: 提供了形成晶体管的方法。该方法包括形成多个晶体管结构以便在衬底上具有多个伪栅极。每个伪栅极由小于伪栅极并且对于不同晶体管结构不同的高度的侧壁间隔件围绕，结果得到侧壁间隔件之上的不同深度的凹坑。该方法然后在伪栅极之上以及在多个晶体管结构的凹坑内沉积保形的电介质层，其中该保形的电介质层的厚度为凹坑的宽度的至少一半，仅仅去除保形的电介质层的在伪栅极之上的部分来暴露伪栅极；以及用多个高k金属栅替换伪栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104009003A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410057501.3
申请日：2014-02-20
IPC: H01L21/8238 , H01L21/28 , H01L27/092
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/28088 , H01L21/28114 , H01L21/823437 , H01L21/823468 , H01L29/42376 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/6653 , H01L29/66545 , H01L29/66553 , H01L29/6656 , H01L29/788
Abstract: 本发明涉及集成电路及制造具有金属栅极电极的集成电路的方法，其提供的是集成电路及用于制造集成电路的方法。在示例性实施例中，用于制造集成电路的方法包括在半导体基板上方提供牺牲栅极结构。该牺牲栅极结构包括两间隔件及介于该两间隔件之间的牺牲栅极材料。该方法使介于该两间隔件之间的该牺牲栅极材料的一部分形成凹部。蚀刻该两间隔件的上方区域并使用该牺牲栅极材料当作掩模。该方法包含移除该牺牲栅极材料的留存部位并暴露该两间隔件的下方区域。在该两间隔件的下方区域之间沉积第一金属。在该两间隔件的上方区域之间沉积第二金属。
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公开(公告)号：CN119817187A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380059958.5
申请日：2023-08-15
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了一种铁电随机存取存储器(FeRAM)单元(10)。该FeRAM单元(10)包括在底部源极/漏极区域与顶部源极/漏极区域(630)之间的垂直通道(310)；围绕垂直通道(310)的栅极氧化(320)；以及围绕栅极氧化(320)的铁电层(400)，其中该铁电层(400)在底部源极/漏极区域与顶部源极/漏极区域(630)之间具有不同水平厚度的两个或两个以上区段。还提供了一种制造FeRAM单元(10)的方法。
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公开(公告)号：CN113498555B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202080016933.3
申请日：2020-02-24
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管(FET)架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，在衬底上形成纳米片堆叠。纳米片堆叠可以包括一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层。通过去除一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层的一部分来形成沟槽。所述沟槽暴露所述一个或多个第一牺牲层中的最底部牺牲层的表面。所述沟槽可填充有一或多个第二半导体层和一或多个第二牺牲层，使得所述一或多个第二半导体层中的每一个与所述一或多个第一半导体层中的一个的侧壁接触。
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公开(公告)号：CN118476022A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280086119.8
申请日：2022-11-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/528
Abstract: 一种装置包括第一互连结构、第二互连结构、包括第一晶体管的第一单元、包括第二晶体管的第二单元、将第一晶体管的源极/漏极元件连接到第一互连结构的第一接触、以及将第二晶体管的源极/漏极元件连接到第二互连结构的第二接触。第一单元被设置为与第二单元相邻，第一晶体管被设置为与第二晶体管相邻。第一和第二单元设置在第一和第二互连结构之间。
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公开(公告)号：CN117898042A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202280058006.7
申请日：2022-08-24
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种存储器器件，所述存储器器件包括定位在电极(55)上的磁阻随机存取存储器(MRAM)堆叠(50)、与所述电极接触的金属线(60)、以及邻接所述MRAM堆叠的侧壁间隔体(47)。该存储器器件还包括台阶形穿通导体(43)，该台阶形穿通导体具有位于定位在侧壁间隔体与金属线之间的底切区域中的台阶形穿通导体的第一高度部分、以及具有比第一高度部分更大的高度尺寸并邻接侧壁间隔体的外侧壁的第二高度部分。
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