公开(公告)号：CN118476022A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280086119.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  崔起植 ,  S·戈什 ,  S·穆克什 ,  朱文熙 ,  杨敏贤 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  卜惠明 ,  赵凯 ,  J·C·阿诺德 ,  B·安德森 ,  郭德超

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种装置包括第一互连结构、第二互连结构、包括第一晶体管的第一单元、包括第二晶体管的第二单元、将第一晶体管的源极/漏极元件连接到第一互连结构的第一接触、以及将第二晶体管的源极/漏极元件连接到第二互连结构的第二接触。第一单元被设置为与第二单元相邻，第一晶体管被设置为与第二晶体管相邻。第一和第二单元设置在第一和第二互连结构之间。

公开(公告)号：CN116745915A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202180083336.7

申请日：2021-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 吴恒 ,  谢瑞龙 ,  沈添 ,  赵凯

IPC: H01L27/092

Abstract: 本发明的实施例可以包括垂直场效应晶体管(VFET)结构，以及制造该结构的方法，该结构具有第一VFET和第二VFET。第一VFET可以包括在第一源极/漏极外延体(200)和接触体(280)之间的单个衬垫(260)。第二VFET可以包括在第二源极/漏极外延体(225)和接触体(280)之间的两个衬垫(260)。这可以使不同的VFET器件具有适当的接触衬垫匹配。