公开(公告)号：CN118476022A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280086119.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  崔起植 ,  S·戈什 ,  S·穆克什 ,  朱文熙 ,  杨敏贤 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  卜惠明 ,  赵凯 ,  J·C·阿诺德 ,  B·安德森 ,  郭德超

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种装置包括第一互连结构、第二互连结构、包括第一晶体管的第一单元、包括第二晶体管的第二单元、将第一晶体管的源极/漏极元件连接到第一互连结构的第一接触、以及将第二晶体管的源极/漏极元件连接到第二互连结构的第二接触。第一单元被设置为与第二单元相邻，第一晶体管被设置为与第二晶体管相邻。第一和第二单元设置在第一和第二互连结构之间。

公开(公告)号：CN119949043A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202380061558.8

申请日：2023-08-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·安德森 ,  H·贾甘纳坦 ,  王俊利 ,  朱文熙

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D84/00

Abstract: 一种形成半导体结构的方法，该半导体结构由下层半导体层中的第一多个垂直传输场效应晶体管(11B)和上层半导体层中的第二多个垂直传输场效应晶体管(11A)组成。第二多个垂直传输场效应晶体管从第一多个垂直传输场效应晶体管水平偏移了相同半导体层中相邻垂直传输场效应晶体管之间的半个触式栅极间距。

公开(公告)号：CN119968943A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202380069615.7

申请日：2023-09-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·安德森 ,  朱文熙 ,  谢瑞龙 ,  N·朗西罗 ,  L·克莱文杰 ,  R·维加

IPC: H10D84/03

Abstract: VTFET在晶片上，并且背侧功率输送网络在晶片的背侧。第一背侧接触被连接到VTFET的栅极和背侧功率输送网络的第一部分。VTFET具有第一宽度，并且该第一宽度是接触式多晶间距(CPP)。第一背侧接触可以至少与VTFET相距第一宽度。第一背侧接触可以是与VTFET相距第一宽度的两倍。

公开(公告)号：CN119968941A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202380068530.7

申请日：2023-09-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·安德森 ,  朱文熙 ,  谢瑞龙 ,  王俊利

IPC: H10D84/03

Abstract: 在晶圆上提供第一VTFET。第二VTFET与晶圆上的第一VTFET相邻。背面电力递送网络位于晶圆的背面上。共享正面接触在晶圆的正面上。共享正面接触连接到第一VTFET的第一顶部源极/漏极区域、第二VTFET的第二顶部源极/漏极区域和背面电力递送网络。

公开(公告)号：CN118435354A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202280084926.6

申请日：2022-10-25

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  崔起植 ,  B·安德森 ,  L·克莱文格 ,  J·阿诺德

IPC: H01L29/40

Abstract: 一种半导体结构包括场效应晶体管(FET)，该场效应晶体管包括第一源极‑漏极区、第二源极‑漏极区、在第一源极‑漏极区和第二源极‑漏极区之间的栅极、以及在栅极下方并且在第一源极‑漏极区和第二源极‑漏极区之间的沟道区。还包括在场效应晶体管的正面上的正面布线网络，其具有多个正面布线；正面导电路径，其将所述正面布线中的一个与所述第一源极‑漏极区电互连；背面电源轨，在所述FET的背面上；以及背面接触部，将所述背面电源轨与所述第二源极‑漏极区电互连。电介质衬垫和背面电介质填充物在栅极的背面上与背面接触部相邻，并且它们在交叉栅极方向上电限制背面接触部。

公开(公告)号：CN119817190A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202380062887.4

申请日：2023-08-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·安德森 ,  范淑贞 ,  J·W·斯特朗 ,  谢瑞龙

IPC: H10D30/67 ,  H10D84/03 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构，包括垂直晶体管结构的鳍、在鳍的顶侧上的顶部源漏区、在鳍的底侧上的底部源漏区、以及在底部源漏区下方并且与底部源漏区接触的背侧接触部。