Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN119817190A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380062887.4
申请日：2023-08-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： B·安德森 , 范淑贞 , J·W·斯特朗 , 谢瑞龙
IPC: H10D30/67 , H10D84/03 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体结构，包括垂直晶体管结构的鳍、在鳍的顶侧上的顶部源漏区、在鳍的底侧上的底部源漏区、以及在底部源漏区下方并且与底部源漏区接触的背侧接触部。
