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公开(公告)号：CN119968943A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202380069615.7
申请日：2023-09-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： B·安德森 , 朱文熙 , 谢瑞龙 , N·朗西罗 , L·克莱文杰 , R·维加
IPC: H10D84/03
Abstract: VTFET在晶片上，并且背侧功率输送网络在晶片的背侧。第一背侧接触被连接到VTFET的栅极和背侧功率输送网络的第一部分。VTFET具有第一宽度，并且该第一宽度是接触式多晶间距(CPP)。第一背侧接触可以至少与VTFET相距第一宽度。第一背侧接触可以是与VTFET相距第一宽度的两倍。
