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公开(公告)号：CN116745915A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202180083336.7
申请日：2021-12-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明的实施例可以包括垂直场效应晶体管(VFET)结构，以及制造该结构的方法，该结构具有第一VFET和第二VFET。第一VFET可以包括在第一源极/漏极外延体(200)和接触体(280)之间的单个衬垫(260)。第二VFET可以包括在第二源极/漏极外延体(225)和接触体(280)之间的两个衬垫(260)。这可以使不同的VFET器件具有适当的接触衬垫匹配。
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公开(公告)号：CN114641861A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080076297.3
申请日：2020-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/11 , H01L27/11517 , H01L27/11551 , G11C11/417
Abstract: 一种半导体器件，包括堆叠的晶体管存储器单元。所述堆叠的晶体管存储器单元包括含有多个底部晶体管的底部层级，所述多个底部晶体管包括至少一个非浮置晶体管和至少一个浮置晶体管。所述至少一个浮置晶体管具有与所述堆叠的晶体管存储器单元的其他晶体管电断开的至少一个端子。所述堆叠的晶体管存储器单元还包括含有至少一个顶部晶体管的顶部层级，以及交叉耦合部，所述交叉耦合部包括外延区域(epi)连接部和在所述顶部层级与所述底部层级之间的和栅极到epi连接部。
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公开(公告)号：CN118901101A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202380028735.2
申请日：2023-03-07
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 公开了一种系统的实施例。该系统包括半导体结构。半导体结构包括晶片、多个晶体管和设置在晶片背面上的磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。晶体管设置在晶片的前端线(FEOL)上。MRAM单元通过设置在晶片背面上的触点连接到晶体管的源极‑漏极。晶体管通过至少一个触点与MRAM单元直接电接触。
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公开(公告)号：CN117678022A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202280050907.1
申请日：2022-07-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 一种用于eFlash替换的嵌入式eMRAM设备，其包括位于顶部电极与底部电极之间以用于形成MRAM阵列的MTJ柱。底部电极被设置在衬底上方并且被第一电介质间隔件包围，而顶部电极被设置在MTJ柱上方并且被第二电介质间隔件包围。底部金属板被设置在第一电介质层与第二电介质层之间的底部电极的相对侧上，并且通过第一电介质间隔件与底部电极电隔离。顶部金属板被设置在第三与第四电介质层之间的顶部电极的相对侧上，并且通过第二电介质间隔件与顶部电极电隔离。被施加在顶部金属板和底部金属板的偏置电压在MTJ柱上生成外部电场以用于创建VCMA效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115004302A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202180010901.7
申请日：2021-01-26
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提出了一种用于改进相变存储器(PCM)单元结构的线性度的方法。所述方法包含：在衬底(10)上方形成底部电极(12)；在所述底部电极(12)上方构造包含多个PCM层的PCM堆叠体(20)，所述PCM层中的每一者具有不同结晶温度；以及在所述PCM堆叠体(20)上方形成顶部电极(32)。结晶温度从底部电极(12)到顶部电极(32)以升序变化。
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公开(公告)号：CN118202819A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280062445.5
申请日：2022-09-13
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 第二BEOL层，包括围绕过孔的过孔电介质层，以及在过孔上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠，过孔包括由衬垫分隔开的上金属柱和下金属柱。第一后段(BEOL)层，包括围绕BEOL金属层的BEOL电介质层；第二BEOL层，包括围绕过孔的过孔电介质层，过孔包括由衬垫分隔开的上金属柱和下金属柱；在过孔上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠。形成作为第二后段(BEOL)层的过孔电介质层、开口、开口中的下金属柱、下金属柱上和开口的暴露侧表面上的衬垫、所述开口的剩余部分中的上金属柱，以及形成在上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠。
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公开(公告)号：CN116601755A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180082374.0
申请日：2021-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，包括：半导体结构中的第一凹陷区域，第一凹陷区域限定具有第一正锥形轮廓的第一开口，作为第一正锥形轮廓的至少一部分，以第一锥角在朝向半导体结构的顶部源极/漏极区的方向上加宽第一开口；以及第一开口内的顶部源极/漏极接触体，顶部源极/漏极接触体围绕顶部源极/漏极区的表面。该半导体结构还包括保护衬垫，其位于顶部源极/漏极区的底部部分、与顶部源极/漏极区相邻的顶部间隔体和两个连续的顶部源极/漏极区之间的电介质材料之间的界面处，保护衬垫在接触体图案化期间保护顶部源极/漏极区。
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公开(公告)号：CN116569666A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180081422.4
申请日：2021-11-02
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： A·雷兹尼克 , B·赫克马特肖尔塔巴里 , 谢瑞龙 , 吴恒
IPC: H10B63/00
Abstract: 一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括电连接到双极结型晶体管的非本征基极区的电阻式随机存取存储器元件，该双极结型晶体管的非本征基极区由形成电阻式随机存取存储器元件的底部电极的外延生长材料构成。另外，一种写入存储器装置的方法包括在存储器装置的字线上施加第一电压以在电阻式随机存取存储器元件中形成细丝。可以向字线施加包括与第一电压相反极性的第二电压以去除电阻式随机存取存储器元件中的细丝的一部分。
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公开(公告)号：CN113228231A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201980085874.2
申请日：2019-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底；垂直鳍状物，所述垂直鳍状物设置在所述衬底的顶表面上方；第一垂直传输场效应晶体管(VTFET)，所述第一垂直传输场效应晶体管围绕所述垂直鳍状物的第一部分设置在所述衬底的所述顶表面上方；隔离层，所述隔离层围绕所述垂直鳍状物的第二部分设置在所述第一VTFET上方；以及第二VTFET，所述第二VTFET围绕所述垂直鳍状物的第三部分设置在所述隔离层的顶表面上方。垂直鳍状物的第一部分包括具有第一晶体取向的第一半导体层，第一晶体取向为第一VTFET提供第一垂直传输沟道，所述垂直鳍状物的所述第二部分包括绝缘体，并且所述垂直鳍状物的所述第三部分包括具有第二晶体取向的第二半导体层，所述第二晶体取向提供用于所述第二VTFET的第二垂直传输沟道。
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