公开(公告)号：CN118202819A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280062445.5

申请日：2022-09-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 吴恒 ,  D·侯萨梅丁 ,  黄淮 ,  周天骥

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 第二BEOL层，包括围绕过孔的过孔电介质层，以及在过孔上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠，过孔包括由衬垫分隔开的上金属柱和下金属柱。第一后段(BEOL)层，包括围绕BEOL金属层的BEOL电介质层；第二BEOL层，包括围绕过孔的过孔电介质层，过孔包括由衬垫分隔开的上金属柱和下金属柱；在过孔上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠。形成作为第二后段(BEOL)层的过孔电介质层、开口、开口中的下金属柱、下金属柱上和开口的暴露侧表面上的衬垫、所述开口的剩余部分中的上金属柱，以及形成在上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠。

公开(公告)号：CN117981070A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280064267.X

申请日：2022-07-19

Applicant: 朗姆研究公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 阿西什·帕尔巴塔尼 ,  巴特·J·范施拉文迪克 ,  巴德里·N·瓦拉达拉简 ,  耶瓦·纳克维丘特 ,  伊斯瓦·斯里尼瓦桑 ,  卡希什·沙玛 ,  伦道夫·科纳尔 ,  斯蒂芬·施米茨 ,  维纳亚克·拉玛南 ,  野上武 ,  阮松万 ,  黄淮 ,  浩沙杜尔迦·K·萨布哈 ,  李俊涛 ,  科尼利厄斯·布朗·佩瑟拉 ,  丹尼尔·C·艾德斯坦

IPC: H01L21/768 ,  C23C16/26 ,  C23C16/452 ,  H01L21/02 ,  H01L21/32

Abstract: 提供了一种用于在处理后端衬底中的双镶嵌结构的铜互连件上的钴覆盖体上选择性沉积石墨烯的方法。该方法包括提供包括第一介电层、第一介电层中的铜互连件、以及铜互连件上的钴覆盖体的半导体衬底，该钴覆盖体具有暴露的金属表面，其中暴露的金属表面包括钴，以及在暴露的金属表面上选择性地沉积碳层。

公开(公告)号：CN117355938A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202280037571.5

申请日：2022-06-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·兰兹罗 ,  H·施彼哈 ,  黄淮 ,  L·克莱文格

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种具有一个或多个背面金属层的半导体结构，所述一个或多个背面金属层包括由介电材料与背面金属层中的一个或多个电源线和地线分离的浮置金属层的多个部分。在一个或多个背面金属层中的每个背面金属层中的浮置金属层的多个部分中的每个部分的高度和在一个或多个背面金属层中的每个背面金属层中的浮置金属层的多个部分的相邻部分之间的距离与一个或多个背面金属层中的每个背面金属层的电容相关。

公开(公告)号：CN114127912A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080050904.9

申请日：2020-08-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·A·兰兹罗 ,  H·肖布哈 ,  黄淮 ,  王俊利 ,  本山幸一 ,  C·佩妮 ,  L·克莱文格

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了用于形成梯形互连的技术。在一个方面，一种用于形成互连结构的方法包括：在电介质中图案化具有V形轮廓的沟槽，V形轮廓具有圆形底部；使用PVD将衬垫沉积到沟槽中，PVD打开沟槽以在沟槽中产生梯形轮廓；相对于所述电介质选择性地从所述沟槽去除所述衬垫，由此在去除之后，具有所述梯形轮廓的所述沟槽保留在所述电介质中；将共形阻挡层沉积到具有所述梯形轮廓的所述沟槽中并对所述沟槽加衬；在所述共形阻挡层上沉积导体并填充具有所述梯形轮廓的所述沟槽；以及将所述导体和所述共形阻挡层向下抛光至所述电介质。还提供了一种互连结构。