公开(公告)号：CN113498555B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202080016933.3

申请日：2020-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  J.弗鲁吉尔 ,  C.朴 ,  E.诺瓦克 ,  亓屹 ,  程慷果 ,  N.罗贝特

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D62/17 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管(FET)架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，在衬底上形成纳米片堆叠。纳米片堆叠可以包括一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层。通过去除一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层的一部分来形成沟槽。所述沟槽暴露所述一个或多个第一牺牲层中的最底部牺牲层的表面。所述沟槽可填充有一或多个第二半导体层和一或多个第二牺牲层，使得所述一或多个第二半导体层中的每一个与所述一或多个第一半导体层中的一个的侧壁接触。

公开(公告)号：CN113491014B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202080016969.1

申请日：2020-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  J.弗鲁吉尔 ,  C.朴 ,  E.诺瓦克 ,  亓屹 ,  程慷果 ,  N.罗贝特

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管(FET)架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区域和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，非平面沟道区被形成为具有第一半导体层(208)、第二半导体层(206)以及位于第一半导体层(208)与第二半导体层(206)之间的鳍状桥接层。形成所述非平面沟道区可以包括：在衬底(204)之上形成纳米片堆叠体；通过去除所述纳米片堆叠体的一部分来形成沟槽(502)；以及在所述沟槽(502)中形成第三半导体层(602)。所述第一半导体层(208)、所述第二半导体层(206)和所述鳍状桥区的外表面限定所述非平面沟道区的有效沟道宽度。

公开(公告)号：CN114946036A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202080092663.4

申请日：2020-12-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  程慷果 ,  J.弗鲁吉尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体结构和一种用于形成具有用于减小沟槽硅化物到栅极寄生电容的自对准电介质柱的半导体结构的方法。在衬底(204)之上形成纳米片堆叠(206)。电介质柱(402)邻近纳米片堆叠(206)定位，并且在衬底(204)的浅沟槽隔离区(212)上。使纳米片堆叠(206)凹陷以暴露浅沟槽隔离区(212)的表面，并且在浅沟槽隔离区(212)的暴露的表面上形成源极或漏极(S/D)区(602)。形成暴露S/D区(602)的表面和电介质柱(402)的表面的接触沟槽(802)。

公开(公告)号：CN113498555A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202080016933.3

申请日：2020-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  J.弗鲁吉尔 ,  C.朴 ,  E.诺瓦克 ,  亓屹 ,  程慷果 ,  N.罗贝特

IPC: H01L29/41

Abstract: 本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管(FET)架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，在衬底上形成纳米片堆叠。纳米片堆叠可以包括一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层。通过去除一个或多个第一半导体层和一个或多个第一牺牲层的一部分来形成沟槽。所述沟槽暴露所述一个或多个第一牺牲层中的最底部牺牲层的表面。所述沟槽可填充有一或多个第二半导体层和一或多个第二牺牲层，使得所述一或多个第二半导体层中的每一个与所述一或多个第一半导体层中的一个的侧壁接触。

公开(公告)号：CN113491014A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202080016969.1

申请日：2020-02-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  J.弗鲁吉尔 ,  C.朴 ,  E.诺瓦克 ,  亓屹 ,  程慷果 ,  N.罗贝特

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的实施例涉及用于提供新颖的场效应晶体管(FET)架构的技术，该FET架构包括中心鳍状物区域和一个或多个垂直堆叠的纳米片。在本发明的非限制性实施例中，非平面沟道区被形成为具有第一半导体层(208)、第二半导体层(206)以及位于第一半导体层(208)与第二半导体层(206)之间的鳍状桥接层。形成所述非平面沟道区可以包括：在衬底(204)之上形成纳米片堆叠体；通过去除所述纳米片堆叠体的一部分来形成沟槽(502)；以及在所述沟槽(502)中形成第三半导体层(602)。所述第一半导体层(208)、所述第二半导体层(206)和所述鳍状桥区的外表面限定所述非平面沟道区的有效沟道宽度。