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公开(公告)号：CN113263490B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202110053312.9
申请日：2021-01-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 揭示了一种机械手、机械手的刀片及其操作方法，用于转移一晶圆的机械手的一刀片包括处于该刀片的一上表面上的一第一感测器及处于该刀片的一后表面上的一第二感测器。该第一感测器可操作以将该刀片与一晶圆对准。该第二感测器可操作以将该刀片与固持该晶圆的一固持器对准。
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公开(公告)号：CN114921760B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110854811.8
申请日：2021-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种沉积方法、沉积缺陷侦测方法及沉积系统，沉积系统能够测量在沉积系统中的至少一种薄膜特性(例如：厚度、电阻和组成)。依照本揭露的沉积系统包含基材处理腔室。依照本揭露的沉积系统包含在基材处理腔室中的基材底座，基材底座是配置以支承基材；和封闭基材处理腔室的靶材。提供包含有原位(in situ)量测装置的遮盘。
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公开(公告)号：CN115305451B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210059810.9
申请日：2022-01-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供一种能够通过移除沉积在准直器的表面上的靶材料来清洁自身的沉积系统。根据本公开的沉积系统包括衬底处理室。所述沉积系统包括：衬底基座，位于衬底处理室中，所述衬底基座被配置成对衬底进行支撑；靶，包围衬底处理室；以及准直器，具有设置在靶与衬底之间的多个中空结构、振动产生单元、及清洁气体出口。
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公开(公告)号：CN112680707B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202010920153.3
申请日：2020-09-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/50 , H01L21/687
Abstract: 本揭露提供一种能够使一工件支撑表面倾斜的灵活工件托架和使用上述工作托架的薄膜沉积腔体及薄膜沉积方法。工件托架包括安装于工件支撑表面上的一加热器。加热器包括多个加热源。加热器中的多个加热源允许针对工件的不同区将工件加热至不同温度。通过使用工件托架的可调谐加热特征及倾斜特征，本揭露可减小或消除相关技术中相关工件托架的遮挡效应问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110176443B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810937686.5
申请日：2018-08-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 半导体器件包括位于衬底上方的有源区域；设置在有源区域上方的第一含钴部件；设置在第一含钴部件上方并且与第一含钴部件物理接触的导电帽；以及设置在导电帽上方并且与导电帽物理接触的第二含钴部件。本发明的实施例还涉及用于减小接触电阻的双金属通孔。
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公开(公告)号：CN115763425A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211627242.4
申请日：2018-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L23/538 , H01L21/48
Abstract: 本发明实施例提供了一种集成电路(IC)结构。IC结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底上的互连结构；以及形成在互连结构上的再分布层(RDL)金属部件。RDL金属部件还包括设置在互连结构上的阻挡层；设置在阻挡层上的扩散层，其中，扩散层包括金属和氧；以及设置在扩散层上的金属层。本发明实施例还提供另一种集成电路结构和一种制造集成电路结构的方法。
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公开(公告)号：CN115274720A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210722884.6
申请日：2022-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 半导体器件包括器件部件。半导体器件包括具有第一金属的第一硅化物层，其中，第一硅化物层嵌入在器件部件中。半导体器件包括具有第二金属的第二硅化物层，其中，设置在器件部件之上的第二硅化物层包括直接接触第一硅化物层的第一部分。第一金属与第二金属不同。本申请的实施例还涉及用于制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109767998B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201711096103.2
申请日：2017-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供处理腔室、半导体制造设备以及其校正方法。该半导体制造设备，包含一处理腔室、一影像撷取装置以及一控制装置。处理腔室包含有一承载台以及一校正器。承载台是用以承载一半导体元件。校正器是连接于承载台，其中校正器具有多个指标。影像撷取装置是用以撷取关于半导体元件以及校正器的一影像，以产生一影像信号。控制装置是用以根据些指标以及影像信号，决定半导体元件的中心是否对位于承载台的中心，并且当半导体元件的中心偏离承载台的中心时，控制装置决定半导体元件与承载台之间的一偏移位移。
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公开(公告)号：CN113265625A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110126895.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23C14/34 , H01L21/768
Abstract: 提供一种物理气相沉积标靶及形成半导体元件的方法，用于执行物理气相沉积(PVD)制程的PVD标靶包括背板及耦接至背板的标靶板。标靶板包括溅射源材料及掺杂剂，前提为此掺杂剂并非溅射源材料中的杂质。溅射源材料包括扩散阻障材料。
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