公开(公告)号：CN101872126A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200910225445.9

申请日：2009-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建惟 ,  张庆裕

IPC: G03F7/16 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/266 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/095 ,  H01L21/0332

Abstract: 一种在半导体衬底上形成湿溶性光刻层的系统，包括提供衬底，在衬底上淀积包括第一材料的第一层，在衬底上淀积包括第二材料的第二层。在一个实施例中，第一材料与第二材料包括不同的成分，第一层和第二层之一包括硅。

公开(公告)号：CN106876251B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201610785776.8

申请日：2016-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  王建惟

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。提供半导体基材。形成包含感光性添加剂成分的图案化层在半导体基材上。感光性添加剂成分包含金属阳离子。在金属阳离子及一或多个阴离子之间形成一或多个键。一或多个阴离子的每一者为保护基及高分子链键结成分的一者。高分子链键结成分与图案化层的高分子链键结。以辐射对半导体基材进行曝光。

公开(公告)号：CN106527046B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201610669564.3

申请日：2016-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  王建惟

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及光刻胶以及使用光刻胶实施光刻工艺的方法。光刻胶包括聚合物以及光生酸剂。光生酸剂包括感光剂组分、产酸剂组分和键合所述感光剂组分与所述产酸剂组分的键合组分。键合组分可为单键或共轭键。光刻工艺可为EUV光刻工艺或电子束光刻工艺。本发明涉及一种具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶。

公开(公告)号：CN106353969B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201610013802.5

申请日：2016-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑雅玲 ,  张庆裕 ,  王建惟 ,  陈彦豪

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明的更广泛形式之一涉及制造半导体器件的法。方法包括将光刻胶层曝光于辐射源以及将硬化剂应用于光刻胶层。因此，在应用硬化剂之后，光刻胶层的第一部分具有比光刻胶层的第二部分更高的玻璃化转变温度、更高的机械强度。本发明实施例涉及光刻工艺和材料。

公开(公告)号：CN110824858A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910748727.0

申请日：2019-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建惟 ,  赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/42 ,  H05K3/06

Abstract: 一种微影的方法、集成电路的制造方法及清洗溶液，提供在现有技术能达到高图案结构整合度的光刻胶清洗溶液及相应的微影技术。示范的微影方法包含在工作件上形成光刻胶层，将光刻胶层对辐射进行曝光，使用显影剂对曝光的光刻胶层进行显影，以移除曝光的光刻胶层的未曝光部分，借此形成图案化的光刻胶层，以及使用清洗溶液以清洗图案化的光刻胶层。显影剂为有机溶液，且清洗溶液包含水。

公开(公告)号：CN105895509B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201610054467.3

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦翰 ,  张庆裕 ,  王建惟

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 在衬底上方形成可图案化层。在可图案化层上方形成光敏层。光敏层包含添加剂。添加剂至少包含浮动控制化学成分和容量控制化学成分。对光敏层实施旋转干燥和/或烘烤工艺。浮动控制化学成分使添加剂在旋转干燥或烘烤期间上升。此后，作为远紫外(EUV)光刻工艺的部分，曝光光敏层。在曝光期间在光敏层内部生成一种或多种脱气化学物质。容量控制化学成分足够大量和致密以将脱气化学物质捕获在光敏层内部。本发明的实施例还涉及用于脱气减少和带外辐射吸收的新光刻胶添加剂。

公开(公告)号：CN108121154A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710344344.8

申请日：2017-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  赖韦翰 ,  王建惟 ,  林进祥

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明一些实施例提供提供光刻图案化的方法，包括形成光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包含聚合物、光敏剂、与光酸产生剂，其中光酸产生剂包含化学键合至硫的第一苯环与第二苯环，第一苯环与第二苯环更化学键合在一起，以增加光酸产生剂的敏感度；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。本发明提供敏感度增加的光致抗蚀剂材料，可增加光致抗蚀剂材料的敏感度。

公开(公告)号：CN107065439A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610919893.9

申请日：2016-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦翰 ,  张庆裕 ,  王建惟

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/075 ,  G03F7/095 ,  G03F7/32 ,  G03F7/70

Abstract: 本公开一些实施例提供的微影图案化方法，包括：形成光致抗蚀剂层于基板上，对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及显影光致抗蚀剂层，以形成图案化光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂层具有聚合物主链、键结至聚合物主链的酸活性基团(ALG)、键结至聚合物主链的第一光敏剂、未键结至聚合物主链的第二光敏剂、以及光酸产生剂(PAG)。

公开(公告)号：CN101930170B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201010142457.8

申请日：2010-04-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建惟 ,  黄俊清 ,  张庆裕

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0751 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/085 ,  G03F7/11 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明提供了用于蚀刻衬底的方法。该方法包括：在衬底上形成图样化感光层；对衬底施加蚀刻化学流体，其中，所述图样化感光层包括粘合增进剂和/或疏水添加剂；去除蚀刻化学流体；以及去除抗蚀剂图样。

公开(公告)号：CN102314085A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110025180.5

申请日：2011-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建惟 ,  黄俊清

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/091

Abstract: 一种图案化集成电路构件的光阻材料及方法，其使用紫外光以及极紫外光微影法。此方法包括提供基板；于基板上形成第一材料层；于第一材料层上形成第二材料层，第二材料层具有发光剂；以及曝光第二材料层的一或多个部分。