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公开(公告)号：CN101003907B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200610161202.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 纳米银/二氧化硅金属介电复合颗粒的制备方法：采用超声电化学方法一步将银纳米粒子沉积到二氧化硅球的表面。首先采用氨催化水解正硅酸乙酯制备SiO2微球；取一定量的高氯酸银AgClO4，用去离子水配制不同浓度的高氯酸银电解液；将预制的SiO2微球加入到高氯酸银溶液中，在电解槽内超声分散10min；然后将两个电极插入电解槽，在持续超声振荡的情况下，通直流电电解得到反应产物；此产物经离心分离，用去离子水和乙醇反复洗涤，最后以30-50℃烘干。本发明以超声电化学一步法将纳米银离子沉积到二氧化硅介电球的表面，对产物具有可控性，制备的银纳米粒子在二氧化硅胶体表面分布非常均匀，具有很好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN101172607B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710133857.0
申请日：2007-10-10
Applicant: 南京大学
IPC: C01B33/021 , B82B3/00
Abstract: 本发明提供了一种非晶硅纳米颗粒的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)选用去离子水为溶液用以制备不含表面活性剂包覆的硅颗粒；或配置十六烷基三甲基溴化铵溶液用以制备表面活性剂包覆的硅量子点。(2)将硅靶置于盛有(1)所制备的溶液的烧杯中，然后用准分子激光束辐照硅靶。(3)取出硅靶，溶液中即含有所制备的非晶态硅量子点。本发明的有益效果是方法简单、易行、经济和快速；无毒性；有望成为新的生物传感器的基础材料；所获得的硅量子点可以在有无表面活性剂包覆间选择，从而有更大的应用灵活性和范围。
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公开(公告)号：CN100587995C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200810155732.2
申请日：2008-10-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为AgxGeyO1-x-y，简称Ag-Ge-O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。本发明的固体电解质薄膜Ag-Ge-O的制备方法，该方法是使用合适配比的Ag2O和GeO2粉末烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备固体电解质薄膜。固体电解质Ag-Ge-O薄膜有如下特点：其本身是一种固体电解质薄膜材料，具有离子导电性，在一定条件下可以可逆地转变为电子导电性，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。
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公开(公告)号：CN101615654A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910031857.9
申请日：2009-07-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种In2Te3相变记忆元件及其制备方法，采用In2Te3薄膜为相变记忆存储材料，所述In2Te3薄膜在室温下为非晶态，在经过450－470℃退火后变成结晶态，相变记忆元件的基本构型为三层结构，由一层In2Te3薄膜夹在顶电极膜与底电极膜之间构筑而成，由顶电极膜和底电极膜分别接出用金丝或铜丝制成引线。本发明在测试中实现了开关效应，具有如下特性：In2Te3薄膜结晶态与非晶态的电阻值差异明显，可以达到3～4个数量级；相变速度/读写速度快且工作电压低，所需的电压脉冲达到了ns量级；可以在高低阻态之间进行多次循环转变。
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公开(公告)号：CN101527349A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910029312.4
申请日：2009-04-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型阻变存储材料，非晶铟锡氧化物(ITO)薄膜，使用其制备非易失性存储器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶氧化物薄膜ITO有如下特点：其本身是一种氧化物薄膜材料，可见光区高度透明，具有一定电阻态，在一定条件下可以可逆地转变为与前不同的电阻态，在室温下，其结构为非晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非易失性阻变存储器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100417744C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510037895.7
申请日：2005-02-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 锆、铪及与钛复合无水硝酸盐的金属复合无机源，通式如下述：(ZrxTiy)(NO3)4，(HfxTiy)(NO3)4，x+y＝1，0.9≥x≥0.1，0.9≥y≥0.1。其合成方法是：以四氯化钛(TiCl4)，无水四氯化锆(ZrCl4)或四氯化铪(HfCl4)为原料，以四氧化二氮和金属氯化物充分反应，反应时在液氮的冷阱中，并以负压抽去系统中残存的氮氧化物，获得白色粉末状的初产物；然后分离提纯无水锆钛或锆铪硝酸盐，在100℃-120℃升华温度下升华，在-20至0℃“冷指”的容器壁得到白色晶状无水锆钛硝酸盐或无水铪钛硝酸盐。抽去系统中残存的氮氧化物，获得白色粉末状的初产物。
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公开(公告)号：CN101174673A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710131465.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硫化亚铜(Cu2S)和酞菁铜(Cu－Pc)的双层薄膜非挥发性记忆器件的制备。该器件总共包含五层结构，在镀有铂金电极(2)的基底(1)表面溅射一层绝缘阻隔层(3)，并通过FIB工艺刻蚀圆孔，在绝缘层表面沉积一层酞菁铜(Cu－Pc)，随后溅射沉积一层硫化亚铜(Cu2S)，接着在其表面沉积一层铜电极(5)，最后分别从电极引出导线(6)。该方法提供了一种新型有机记忆存储器件制备途径，具有工作电压低，体积小，成本低，非挥发，读写高低阻态高等优点。
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公开(公告)号：CN101003907A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610161202.X
申请日：2006-12-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 纳米银/二氧化硅金属介电复合颗粒的制备方法：采用超声电化学方法一步将银纳米粒子沉积到二氧化硅球的表面。首先采用氨催化水解正硅酸乙酯制备SiO2微球；取一定量的高氯酸银AgClO4，用去离子水配制不同浓度的高氯酸银电解液；将预制的SiO2微球加入到高氯酸银溶液中，在电解槽内超声分散10min；然后将两个电极插入电解槽，在持续超声振荡的情况下，通直流电电解得到反应产物；此产物经离心分离，用去离子水和乙醇反复洗涤，最后以30－50℃烘干。本发明以超声电化学一步法将纳米银离子沉积到二氧化硅介电球的表面，对产物具有可控性，制备的银纳米粒子在二氧化硅胶体表面分布非常均匀，具有很好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN1693533A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510037895.7
申请日：2005-02-28
Applicant: 南京大学
Abstract: 锆、铪及与钛复合无水硝酸盐的金属复合无机源，通式如下述：(ZrxTiy)(NO3)4，(HfxTiy)(NO3)4，x+y＝1，0.9≥x≥0.1，0.9≥y≥0.1。其合成方法是：以四氯化钛(TiCl4)，无水四氯化锆(ZrCl4)或四氯化铪(HfCl4)为原料，以四氧化二氮和金属氯化物充分反应，反应时在液氮的冷阱中，并以负压抽去系统中残存的氮氧化物，获得白色粉末状的初产物；然后分离提纯无水锆钛或锆铪硝酸盐，在100℃－120℃升华温度下升华，在－20至0℃“冷指”的容器壁得到白色晶状无水锆钛硝酸盐或无水铪钛硝酸盐。抽去系统中残存的氮氧化物，获得白色粉末状的初产物。
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公开(公告)号：CN1203527C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN03131923.8
申请日：2003-06-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/283 , H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/46
Abstract: 本发明公开了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应管的高介电系数栅电介质材料铝酸铪薄膜及其制备方法，该发明的技术方案是，把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后，再冷压成片，然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶。并利用脉冲激光沉积技术，在高真空低氧分压下，剥离铝酸铪陶瓷靶，产生激光等离子沉积在硅衬底上而制成非晶态的铝酸铪薄膜。该薄膜具有高的热力学稳定性，并有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已达到国际同类产品的先进水平，可满足功耗要求不高的半导体中场效应管的实际应用要求。
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