公开(公告)号：CN101615654A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910031857.9

申请日：2009-07-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 殷江 ,  朱颢 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/10

Abstract: 一种In2Te3相变记忆元件及其制备方法，采用In2Te3薄膜为相变记忆存储材料，所述In2Te3薄膜在室温下为非晶态，在经过450－470℃退火后变成结晶态，相变记忆元件的基本构型为三层结构，由一层In2Te3薄膜夹在顶电极膜与底电极膜之间构筑而成，由顶电极膜和底电极膜分别接出用金丝或铜丝制成引线。本发明在测试中实现了开关效应，具有如下特性：In2Te3薄膜结晶态与非晶态的电阻值差异明显，可以达到3～4个数量级；相变速度/读写速度快且工作电压低，所需的电压脉冲达到了ns量级；可以在高低阻态之间进行多次循环转变。

公开(公告)号：CN101752498A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910233902.9

申请日：2009-10-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 朱颢 ,  殷江 ,  夏奕东 ,  刘治国

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

Abstract: 一种Ga2Te3相变记忆元件及其制备方法，采用Ga2Te3薄膜为相变记忆存储材料，所述Ga2Te3薄膜在室温下为非晶态，在经过450℃退火后变成结晶态，相变记忆元件的基本构型为三层结构，由一层Ga2Te3薄膜夹在顶电极膜与底电极膜之间构筑而成，由顶电极膜和底电极膜分别接出用金丝或铜丝制成引线。本发明在测试中实现了开关效应，具有如下特性：Ga2Te3薄膜结晶态与非晶态的电阻值差异明显，可以达到3～4个数量级；相变速度/读写速度快且工作电压低，所需的电压脉冲达到了ns量级；可以在高低阻态之间进行多次循环转变。