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公开(公告)号：CN118891405A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202380031929.8
申请日：2023-02-22
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是一种电子器件用基板，其在单晶硅的结合基板上形成有氮化物半导体膜，所述结合基板是隔着氧化膜将第一单晶硅基板与第二单晶硅基板结合而成的基板，其中，所述第一单晶硅基板的晶面取向是{111}，所述第二单晶硅基板的主面相对于晶面取向{100}具有偏角，在所述结合基板的所述第一单晶硅基板的表面上，形成有所述氮化物半导体膜。由此，提供一种滑移、破裂等的发生得到抑制、破坏强度高的电子器件用基板及其制造方法，该电子器件用基板在单晶硅上形成有氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN111941266B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202010355482.8
申请日：2020-04-29
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种稳定地测量覆盖物的厚度的覆盖物的厚度测量方法、及能够提高研磨后的晶圆的厚度精度的研磨方法。本发明的覆盖物的厚度测量方法通过将长条膜、树脂及晶圆按照该顺序进行层叠，进行按压使得所述膜与具有平坦面的平台接触并使所述树脂固化，从而形成包含所述膜及所述树脂且表面平坦的覆盖物与所述晶圆层叠而成的层叠体，在所述晶圆上的至少一个直径方向上，通过光学传感器在多个测量位置测量所述覆盖物的厚度，其中，将所述晶圆上的、测量所述覆盖物的厚度的所述至少一个直径方向设定为与所述长条膜的MD方向及TD方向不同的方向，而测量所述覆盖物的厚度。
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公开(公告)号：CN117561143A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280032299.1
申请日：2022-03-02
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明提供一种双面抛光方法，其特征在于，对晶圆进行第一抛光，在所述第一抛光后，使用含有水溶性聚合物的浆料对所述晶圆进行15秒以下的第二抛光，所述第一抛光中使用根据(通过动态散射法测定的以体积为基准的平均粒径)/(使用扫描电子显微镜测定的以个数为基准的平均实际粒径)求得的缔合度小于1.0的磨粒的浆料。由此，能够提供可获得背面经粗糙化的双面抛光晶圆的双面抛光方法及背部经粗糙化的双面抛光硅晶圆。
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公开(公告)号：CN116900925A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310358794.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/08 , B24B37/20 , B24B7/22 , B24B37/24 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，其能够利用现有的修整方法以外的手段来进行研磨布的起毛整形，而获得能够维持边缘平坦度且高平坦度的晶圆。一种晶圆的双面研磨方法，将晶圆夹持于分别贴附有研磨布的上平台与下平台之间，并使所述研磨布滑动接触于该晶圆的双面而实施双面研磨加工，其中，准备具有算术平均粗糙度Ra为100nm以上且负荷面积率Smr1为10％以上的表面形貌的晶圆，对该准备的晶圆实施所述双面研磨加工，由此一边利用所述晶圆的表面形貌来修整所述研磨布，一边对所述准备的晶圆的双面进行研磨。
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公开(公告)号：CN115427193A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180030308.9
申请日：2021-04-21
Applicant: 信越半导体株式会社
Inventor： 田中佑宜
IPC: B24B37/08 , B24B37/00 , B24B37/28 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种双面研磨方法，在具有平台中心的旋转平台的上平台与下平台之间设置多片载体，使多片载体分别保持1片以上的晶圆，一边以压送方式供给浆料一边研磨晶圆的双面，其特征在于，使保持于多片载体的晶圆的配置为：从多片载体中选择基准载体，以平台中心为角度中心将与该平台中心及基准载体一起所成的角α最大的1片或2片载体作为对称载体，使得配置于基准载体的晶圆的平均厚度Aμm与配置于对称载体的晶圆的平均厚度Bμm之差为1.0μm以下，而进行晶圆的双面研磨。由此，可提供一种能够提供降低了双面研磨后的平坦度的偏差的晶圆组的浆料压送方式的双面研磨方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108369908B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780004626.1
申请日：2017-02-01
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。由此，能够得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F‑ZDD
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公开(公告)号：CN108290268A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069349.8
申请日：2016-11-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/00 , B24B37/04 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种晶圆的双面研磨方法，于双面研磨机中，在贴附有研磨布的上下定盘间配设载体，形成于载体的支承孔支承晶圆，并将晶圆夹在上下定盘间而进行双面研磨，其中载体再被配设于双面研磨机之前，预先使用与用于双面研磨晶圆的双面研磨机相异的双面研磨机而予以进行以一次研磨及二次研磨所构成的两阶段双面研磨，一次研磨使用含有磨粒的泥浆，二次研磨使用不含磨粒的无机碱溶液，并将进行两阶段双面研磨的载体配设于用于双面研磨晶圆的双面研磨机而进行晶圆的双面研磨。因此能够抑制载体配设于上下定盘间后研磨晶圆的伤痕的产生。
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公开(公告)号：CN104968473B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201480006747.6
申请日：2014-01-15
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28
CPC classification number: B24B37/28 , B24B7/17 , B24B7/228 , B24B7/241 , B24B37/08 , H01L21/304 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具的制造方法，是将嵌件材料嵌合并粘结在保持孔中来进行制造，所述保持孔是在被配置于双面研磨装置的贴附有研磨布的上磨盘和下磨盘之间的载具主体上形成，且用于在研磨时保持晶圆，所述嵌件材料接触所保持的晶圆的周边部，其中，该双面研磨装置用载具的制造方法，对所述嵌件材料施行研光加工和研磨加工，之后，将该嵌件材料嵌合至载具主体的保持孔中，沿着与载具主体的主要表面垂直的方向，一边将负载施加至已嵌合的嵌件材料上一边进行粘结及干燥，由此来制造双面研磨装置用载具。由此，提供一种能够抑制在批次内的研磨晶圆的平坦度的偏差的双面研磨装置用载具的制造方法及晶圆的双面研磨方法。
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公开(公告)号：CN106061679A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011151.X
申请日：2015-02-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/20 , B24B37/28 , H01L21/02024 , H01L21/67092 , H01L21/6835
Abstract: 本发明为一种双面研磨装置用载体的制造方法，在将形成有用于支承半导体晶圆的支承孔的齿轮形的双面研磨装置用载体进行研磨加工，此发明的特征为：使双面研磨装置具有用于支承双面研磨装置用载体的洞，并备有较双面研磨装置用载体的尺寸为大的齿轮形的外载体，将外载体以洞之中心为相对于外载体的中心为偏心的方式而设置，借由将双面研磨装置用载体收纳于洞而支承双面研磨装置用载体，于洞的中心相对于外载体的中心为偏心的状态下进行双面研磨装置用载体的研磨加工。如此一来，能改善研磨双面研磨装置用载体的状况时其厚度分布不均的问题。
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公开(公告)号：CN105531799A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480050581.8
申请日：2014-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/11
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/20 , B24B49/12
Abstract: 本发明是一种研磨垫的评价方法，其评价用于研磨晶圆的研磨垫的使用期限，其特征在于，测定堆积在所述研磨垫上的研磨残渣的量，并基于该测定到的测定值来评价所述研磨垫的使用期限。由此，提供一种研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法，其能够实时地评价研磨垫的使用期限，且能够抑制研磨晶圆时的生产率及成品率的降低。
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