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公开(公告)号：CN104917941B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201510110188.X
申请日：2015-03-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/225 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/2353 , H04N5/353 , H04N5/3532 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及图像拾取装置和图像拾取系统。图像拾取装置执行多个像素的曝光时段相互一致的全局电子快门动作。在像素中的至少一个的光电转换单元存储电荷的第一时段中，基于存储于像素的保持单元中的电荷的信号被依次输出到输出线。在终止从像素输出信号之后的第二时段中，像素的保持单元保持电荷。
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公开(公告)号：CN105789229A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610171227.1
申请日：2013-02-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L24/05 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/024 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。
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公开(公告)号：CN103296105B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310062459.X
申请日：2013-02-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L24/05 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/024 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。
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公开(公告)号：CN102668081B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN200980163052.8
申请日：2009-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/02 , H04N5/374 , H04N5/3742
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
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公开(公告)号：CN104917980A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510103714.X
申请日：2015-03-10
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/148
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H04N5/37452
Abstract: 本发明涉及固态成像设备和成像系统。固态成像设备包括多个像素，像素包括：光电转换部；电荷保持部，积聚从光电转换部转移的信号电荷；以及浮置扩散区，电荷保持部的信号电荷被转移到浮置扩散区，其中，光电转换部包括第一导电类型的第一半导体区以及在第一半导体区下面形成的第二导电类型的第二半导体区，电荷保持部包括第一导电类型的第三半导体区以及在第三半导体区下面形成的第二导电类型的第四半导体区，并且第三半导体区与第四半导体区之间的p-n结的位置比第一半导体区与第二半导体区之间的p-n结深。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104485340A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201410655549.4
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN102301477B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201080006236.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L29/7833
Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。
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公开(公告)号：CN103296105A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310062459.X
申请日：2013-02-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L24/05 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/024 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及光电转换装置、图像拾取系统以及制造光电转换装置的方法。一种光电转换装置，包括第一半导体衬底和第二半导体衬底，第一半导体衬底包括用于根据入射光生成信号电荷的光电转换单元，而第二半导体衬底包括用于处理基于在光电转换单元中生成的信号电荷的电信号的信号处理单元。该信号处理单元位于从光电转换单元到第二半导体衬底的正交投影区域中。包括多个绝缘体层的多层膜在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间设置。第二半导体衬底的厚度小于500微米。第二半导体衬底的厚度大于第二半导体衬底与第一半导体衬底的光接收表面之间的距离。
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公开(公告)号：CN102088026B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010570146.1
申请日：2010-12-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/1464 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取设备的制造方法，包括：根据离子注入方法从半导体基板的第一表面在半导体基板中形成第一导电类型的第一半导体区的步骤；在第一半导体区和半导体基板的第一表面之间形成多个光电转换区的步骤；通过从半导体基板的第二表面对半导体基板进行抛光的第一移除步骤；在第一移除步骤之后，通过以比第一移除步骤的速度低的速度从半导体基板的第二表面减小半导体基板的厚度的第二移除步骤，其中，直到第一半导体区露出之前，继续第二移除步骤。
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公开(公告)号：CN102668081A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200980163052.8
申请日：2009-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14634 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/02 , H04N5/374 , H04N5/3742
Abstract: 根据本发明的固态图像拾取装置通过层叠具有光电转换元件和传送晶体管的栅电极的第一基板与具有周边电路部的第二基板而被配置。第一基板不具有高熔点金属化合物层，而第二基板具有高熔点金属化合物层。此简单的配置使得周边电路部中的晶体管能够以高的速度操作，同时抑制光电转换元件的特性的劣化，由此使得能够进行高速的信号读出操作。
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