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公开(公告)号：CN104485340B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410655549.4
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN102637711B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210028226.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14627
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像系统。一种聚光构件使入射在聚光构件的与绝缘膜的开口部分对应的第一区域上的光聚集在布置在所述开口部分内的光路构件的上部区域中，所述绝缘膜具有从所述开口部分延伸的上面，并且所述光路构件具有在与光电转换部分的光接收面对应的区域中的下面。
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公开(公告)号：CN1024730C
公开(公告)日：1994-05-25
申请号：CN91105290.9
申请日：1991-06-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/283 , H01L23/544
CPC classification number: H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , Y10S148/102 , Y10S438/975 , H01L2924/00
Abstract: 一种通过绝缘膜在导电性衬底表面上形成导电膜的半导体器件的对准方法，其特征在于包括：在所述绝缘膜上至少形成两个露出所述衬底表面的开孔的步骤；在所述开孔内选择地沉积导电材料，在所述开孔中至少一个内形成台阶差的步骤；以及至少在所述绝缘膜上形成所述导电膜的步骤；并且利用所述台阶差进行对准。
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公开(公告)号：CN102637711A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210028226.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14627
Abstract: 本发明涉及光电转换元件、及使用该元件的光电转换装置和成像系统。一种聚光构件使入射在聚光构件的与绝缘膜的开口部分对应的第一区域上的光聚集在布置在所述开口部分内的光路构件的上部区域中，所述绝缘膜具有从所述开口部分延伸的上面，并且所述光路构件具有在与光电转换部分的光接收面对应的区域中的下面。
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公开(公告)号：CN1415479A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02147153.3
申请日：2002-10-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2/1603 , B41J2/1628 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1642 , H01L23/481 , H01L29/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供的硅等基板上设置贯通孔的结构体，可以减少制造时的工序并提高可靠性。至少在贯通孔(120)的侧面部分连接氧化硅膜(103)的上面形成氮化硅膜(104)，改善氮化硅膜(104)的阶梯差的被覆性能。该氧化硅膜(103)及氮化硅膜(104)在从基板(100)内侧通过蚀刻形成贯通孔(120)时起着隔膜的作用。
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公开(公告)号：CN1413835A
公开(公告)日：2003-04-30
申请号：CN02147120.7
申请日：2002-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/14
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2202/03
Abstract: 本发明提供对于反复脉冲通电具有耐久性十分高的发热电阻器膜，以及使用了发热电阻器膜的记录头用基体、记录头和记录装置。在记录头用基体的热作用部(17)，通过布线(14)流动的电流使产生热能的发热电阻器膜(13)是由薄膜电阻为200Ω/□以上400Ω/□以下的非晶质氮化硅钽构成，膜厚在30nm以上80nm以下。
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公开(公告)号：CN102637702B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210024573.9
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN102637704A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210027705.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 公开了光电转换装置和图像感测系统，该光电转换装置至少包括：绝缘膜；多个高折射率构件，配备成分别与各自光电转换部分相对应，被所述绝缘膜包围并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率；以及高折射率膜，配备在所述绝缘膜上以便相互连接所述多个高折射率构件，并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率，以及多个透镜部分当中彼此相邻的透镜部分彼此毗接。
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公开(公告)号：CN1272176C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN02147120.7
申请日：2002-10-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41J2/05
CPC classification number: B41J2/14129 , B41J2202/03
Abstract: 本发明提供对于反复脉冲通电具有耐久性十分高的发热电阻器膜，以及使用了发热电阻器膜的记录头用基体和记录元件。在记录头用基体的热作用部(17)，使在布线(14)流动的电流产生热能的发热电阻器膜(13)是由薄膜电阻为200Ω/□以上400Ω/□以下的非晶质氮化硅钽构成，膜厚在30nm以上80nm以下。
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公开(公告)号：CN102637704B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210027705.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 公开了光电转换装置和图像感测系统，该光电转换装置至少包括：绝缘膜；多个高折射率构件，配备成分别与各自光电转换部分相对应，被所述绝缘膜包围并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率；以及高折射率膜，配备在所述绝缘膜上以便相互连接所述多个高折射率构件，并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率，以及多个透镜部分当中彼此相邻的透镜部分彼此毗接。
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