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公开(公告)号：CN108337459A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810153221.0
申请日：2015-03-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N5/235 , H04N5/353
Abstract: 本发明涉及图像拾取装置和图像拾取系统。图像拾取装置执行多个像素的曝光时段相互一致的全局电子快门动作。在像素中的至少一个的光电转换单元存储电荷的第一时段中，基于存储于像素的保持单元中的电荷的信号被依次输出到输出线。在终止从像素输出信号之后的第二时段中，像素的保持单元保持电荷。
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公开(公告)号：CN104517983B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410499673.6
申请日：2014-09-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L29/06 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H04N5/23293 , H04N5/265 , H04N5/33 , H04N5/374
Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法和成像系统。固态成像装置包括：通过外延生长方法设置在基板上的第一导电类型的第一半导体区域；设置在第一半导体区域上的第一导电类型的第二半导体区域；和设置在第二半导体区域中以与第二半导体区域形成pn结的第二导电类型的第三半导体区域，其中，第一半导体区域被形成为使得杂质浓度从基板侧到第三半导体区域侧减小，并且第二半导体区域中的杂质浓度分布是通过离子注入方法形成的。
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公开(公告)号：CN104917942A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510110196.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14643 , H01L27/14656 , H04N5/3532 , H04N5/35581 , H04N5/3765
Abstract: 一种图像捕获装置和图像捕获系统。该图像捕获装置执行多个像素在同一曝光时间段期间曝光的全局电子快门操作。在第一时间段中，光电转换单元累积电荷。在第二时间段中，多个像素的累积单元累积电荷。光电转换单元的饱和电荷量与累积单元的饱和电荷量的比率同第一时间段的长度与第一时间段的长度和第二时间段的长度之和的比率具有某一关系。
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公开(公告)号：CN102714212B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201080058034.6
申请日：2010-12-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/1465
Abstract: 本发明涉及固态图像拾取装置。所述装置包括：第一衬底，包括光电转换元件和被配置为从所述光电转换元件传输电荷的传输栅电极；第二衬底，具有外围电路部分，所述外围电路部分包括被配置为读取基于所述光电转换元件中产生的电荷的信号的电路；所述第一衬底和所述第二衬底被层叠。所述装置进一步包括布置在所述第一衬底上的包括铝互连的多层互连结构和布置在所述第二衬底上的包括铜互连的多层互连结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102637704B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210027705.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 公开了光电转换装置和图像感测系统，该光电转换装置至少包括：绝缘膜；多个高折射率构件，配备成分别与各自光电转换部分相对应，被所述绝缘膜包围并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率；以及高折射率膜，配备在所述绝缘膜上以便相互连接所述多个高折射率构件，并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率，以及多个透镜部分当中彼此相邻的透镜部分彼此毗接。
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公开(公告)号：CN102301474B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201080006229.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/335
Abstract: 一种光电转换装置包括p型区域、在p型区域下面形成的n型埋置层、元件隔离区域、和至少覆盖元件隔离区域的下部部分的沟道阻断区域，其中，p型区域和埋置层形成光电二极管，并且，沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比埋置层的主要杂质的扩散系数小。
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公开(公告)号：CN102637702A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210024573.9
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及光电转换装置。该光电转换装置包括具有光电转换部分的半导体衬底。绝缘体被设置在所述半导体衬底上。所述绝缘体具有与所述光电转换部分对应的孔。波导部件被设置在所述孔中。层内透镜被设置在所述波导部件的较远离所述半导体衬底的一侧。第一中间部件被设置在所述波导部件与所述层内透镜之间。所述第一中间部件具有比所述层内透镜低的折射率。
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公开(公告)号：CN101059632A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710100804.9
申请日：2007-04-18
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 市川武史
IPC: G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/133
Abstract: 为了抑制由于只通过遮光不能阻止其进入的入射光产生的电子(空穴)的作用，针对多数载流子，除了晶体管的漏极区(34)，还提供了一个区(36)，其电压设定成低于漏极区的电压和Q(单位电荷)的乘积的基准值，或者可以在漏极区周围设置势垒。在这种结构中，通过控制连接到反射电极(30)的漏极区(34)的周围的电压处于浮置状态，使得半导体衬底中产生的光载流子几乎不会导向漏极区(34)中。
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公开(公告)号：CN1129065C
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN95121508.6
申请日：1995-10-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G06F7/48
CPC classification number: H03M1/804 , G06F7/02 , G06F7/607 , G06F2207/025 , G06T7/223 , G06T2207/10016 , H03M1/42
Abstract: 一种半导体器件，其中电容器201-1至201-n与多输入端Q1至Qn相连，并且每个电容器的一端与传感放大器205公共连接，该半导体器件包括用于复位公共连接电容端的复位单元207或位于电容器和开关之间的复位单元，和一输入复位驱动信号的反相信号的结构，用以减小电路尺寸、提高处理速度和降低功耗。
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