公开(公告)号：CN102301474A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006229.6

申请日：2010-01-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田一 ,  蒲古欣尚 ,  渡边高典 ,  市川武史 ,  下津佐峰生

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/335

Abstract: 一种光电转换装置包括p型区域、在p型区域下面形成的n型埋置层、元件隔离区域、和至少覆盖元件隔离区域的下部部分的沟道阻断区域，其中，p型区域和埋置层形成光电二极管，并且，沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比埋置层的主要杂质的扩散系数小。

公开(公告)号：CN102301474B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201080006229.6

申请日：2010-01-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 池田一 ,  蒲古欣尚 ,  渡边高典 ,  市川武史 ,  下津佐峰生

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/335

Abstract: 一种光电转换装置包括p型区域、在p型区域下面形成的n型埋置层、元件隔离区域、和至少覆盖元件隔离区域的下部部分的沟道阻断区域，其中，p型区域和埋置层形成光电二极管，并且，沟道阻断区域的主要杂质的扩散系数比埋置层的主要杂质的扩散系数小。