公开(公告)号：CN109585472A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811113385.7

申请日：2018-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广田克范 ,  佐佐木圭一 ,  丹下勉 ,  田中芳荣 ,  大谷章

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

Abstract: 本申请涉及成像装置、成像装置的制造方法以及设备。一种成像装置，包括：基板，包括光电转换部分；以及氮化硅层，被布置为覆盖光电转换部分的至少一部分。氮化硅层包含氯。氮化硅层中的N/Si组成比不小于1.00且小于1.33。

公开(公告)号：CN102301477B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201080006236.6

申请日：2010-01-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  下津佐峰生 ,  市川武史 ,  池田一 ,  关根康弘 ,  大谷章 ,  小岛毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。

公开(公告)号：CN102301477A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080006236.6

申请日：2010-01-20

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边高典 ,  下津佐峰生 ,  市川武史 ,  池田一 ,  关根康弘 ,  大谷章 ,  小岛毅

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。

公开(公告)号：CN109585472B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201811113385.7

申请日：2018-09-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 广田克范 ,  佐佐木圭一 ,  丹下勉 ,  田中芳荣 ,  大谷章

IPC: H01L27/146 ,  H04N25/70

Abstract: 本申请涉及成像装置、成像装置的制造方法以及设备。一种成像装置，包括：基板，包括光电转换部分；以及氮化硅层，被布置为覆盖光电转换部分的至少一部分。氮化硅层包含氯。氮化硅层中的N/Si组成比不小于1.00且小于1.33。