-
公开(公告)号：CN105280654A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510293932.4
申请日：2015-06-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/23212 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H04N5/3696 , H04N5/37457
Abstract: 本发明涉及图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置包括：具有二维布置的多个像素的像素区域，多个像素包含多个图像拾取像素和能够进行相位差检测的多个焦点检测像素；被布置为与相应的图像拾取像素的相应的光电转换单元对应的多个微透镜；和被布置为与相应的焦点检测像素的相应的光电转换单元对应的多个微透镜。当多个微透镜中的至少一个被正交投影到相应的光电转换单元上时，至少一个微透镜的顶点位置离开该至少一个微透镜的中心位置。
-
公开(公告)号：CN109686750A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811545570.3
申请日：2015-06-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/232 , H04N5/369 , H04N5/3745
Abstract: 本发明涉及图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置包括：具有二维布置的多个像素的像素区域，多个像素包含多个图像拾取像素和能够进行相位差检测的多个焦点检测像素；被布置为与相应的图像拾取像素的相应的光电转换单元对应的多个微透镜；和被布置为与相应的焦点检测像素的相应的光电转换单元对应的多个微透镜。当多个微透镜中的至少一个被正交投影到相应的光电转换单元上时，至少一个微透镜的顶点位置离开该至少一个微透镜的中心位置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101252102A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810080869.6
申请日：2008-02-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/768 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76828 , H01L27/14636 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是一种具有设置在半导体基板上的多层互连(布线)结构的光电转换装置的制造方法，该方法包括以下步骤：在层间绝缘膜的与晶体管的电极对应的区域中形成孔；在孔中埋入导电物质；形成氢供给膜；在第一温度下进行热处理以从氢供给膜向半导体基板供给氢；通过在布线材料中使用Cu形成多层互连结构；并且形成覆盖多层互连结构的保护膜，其中，在不高于第一温度的温度下进行形成多层互连结构的步骤和形成保护膜的步骤。
-
公开(公告)号：CN105280654B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201510293932.4
申请日：2015-06-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置包括：具有二维布置的多个像素的像素区域，多个像素包含多个图像拾取像素和能够进行相位差检测的多个焦点检测像素；被布置为与相应的图像拾取像素的相应的光电转换单元对应的多个微透镜；和被布置为与相应的焦点检测像素的相应的光电转换单元对应的多个微透镜。当多个微透镜中的至少一个被正交投影到相应的光电转换单元上时，至少一个微透镜的顶点位置离开该至少一个微透镜的中心位置。
-
公开(公告)号：CN101252102B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810080869.6
申请日：2008-02-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/768 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/76828 , H01L27/14636 , H01L27/14687
Abstract: 本发明是一种具有设置在半导体基板上的多层互连(布线)结构的光电转换装置的制造方法，该方法包括以下步骤：在层间绝缘膜的与晶体管的电极对应的区域中形成孔；在孔中埋入导电物质；形成氢供给膜；在第一温度下进行热处理以从氢供给膜向半导体基板供给氢；通过在布线材料中使用Cu形成多层互连结构；并且形成覆盖多层互连结构的保护膜，其中，在不高于第一温度的温度下进行形成多层互连结构的步骤和形成保护膜的步骤。
-
公开(公告)号：CN102301477B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201080006236.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L29/7833
Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。
-
公开(公告)号：CN102301477A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080006236.6
申请日：2010-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H01L29/7833
Abstract: 一种图像感测装置包括像素阵列和外围电路、列选择电路和读出电路，其中，各像素包含光电二极管、浮动扩散、向浮动扩散传送的传送PMOS晶体管、放大器PMOS晶体管和复位PMOS晶体管，放大器PMOS晶体管具有由n型导电图案形成的栅极，并且被第一元件隔离区域和至少覆盖第一元件隔离区域的下部的n型杂质区域隔离，并且，包含于列选择电路中的各PMOS晶体管具有由p型导电图案形成的栅极并且被第二元件隔离区域隔离，并且，与第二元件隔离区域的下部相邻的区域中的n型杂质浓度比n型杂质区域中的n型杂质浓度低。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.018 seconds)
