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公开(公告)号：CN100347868C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410062177.0
申请日：2004-07-02
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/04 , B82Y20/00 , H01L33/28 , H01L2224/48463
Abstract: 一种半导体光学装置包括超晶格接触半导体区和金属电极。超晶格接触半导体区具有超晶格结构。超晶格接触半导体区包括II-VI化合物半导体区和II-VI化合物半导体层。II-VI化合物半导体区含有锌、硒和碲，II-VI化合物半导体层含有锌和硒。金属电极在所述超晶格接触半导体区上提供，金属电极与第一II-VI化合物半导体层电连接。
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公开(公告)号：CN100342557C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200410032570.5
申请日：2004-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种能够延长寿命的ZnSe基发光装置。此发光装置在化合物半导体上形成，它包括安置在n-型ZnMgSSe覆盖层(3)和p-型ZnMgSSe覆盖层(5)之间的有源层(4)，并具有阻挡层(11)，其带隙大于p-型ZnMgSSe覆盖层的带隙，阻挡层(11)被安置在有源层(4)和p-型ZnMgSSe覆盖层(5)之间。
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公开(公告)号：CN1241821A
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN99110302.5
申请日：1999-07-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 一种白色或中性色LED,具有掺杂I、Al、Cl、Br、Ga、In作为SA发射中心的n型ZnSe单晶衬底和包括ZnSe、ZnCdSe或ZnSeTe有源层和p－n结的外延膜结构。有源层发射蓝或蓝绿光。ZnSe衬底中的SA发射中心将蓝或蓝绿光转变为黄或橘黄SA光发射。来自外延膜结构的蓝或蓝绿光和来自ZnSe衬底的黄或橘黄光合成为白色光或红和蓝之间的中性色光。
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公开(公告)号：CN102668279B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201080058983.4
申请日：2010-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，为了利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光，而具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。角度α与角度β不同，角度α与角度β的差为0.1度以上。
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公开(公告)号：CN102460866B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201080026837.3
申请日：2010-06-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/2004 , B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/309 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2301/18 , H01S2302/00
Abstract: 提供一种可以低阈值进行激光振荡的III族氮化物半导体激光二极管。支撑基体(13)具有半极性或无极性的主面(13a)。III族氮化物的c轴(Cx)相对于主面(13a)倾斜。n型覆盖区域(15)及p型覆盖区域(17)设置于支撑基体(13)的主面(13a)上。芯材半导体区域(19)设置于n型覆盖区域(15)与p型覆盖区域(17)之间。芯材半导体区域(19)包含第1光导层(21)、活性层(23)及第2光导层(25)。活性层(23)设置于第1光导层(21)与第2光导层(25)之间。芯材半导体区域(19)的厚度(D19)为0.5μm以上。该构造不会令光逃泄到支撑基体(13)，可将光闭入于芯材半导体区域(19)内，因此可降低阈值电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102934301A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201080067313.9
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/32341
Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致，将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1、B1)为界将基板产物(SP)分为第1~第3区域(70a、70b、70c)。用支撑面(71a、71c)支撑基板产物(SP)的第1及第2区域(70a、70b)，并按压第3区域(70c)，从而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(S P1)及激光条(LB1)。在距离支撑面(70a、70c)的边缘(70b、70d)之间的中心线(CNT)SHFT的位置，将刮刀(69)抵压到基板产物。
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公开(公告)号：CN102549860A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043448.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
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公开(公告)号：CN102341977A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010475.9
申请日：2010-11-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体(13)中，第1面(13a)为第2面(13b)的相反侧的面，第1及第2割断面(27、29)从第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。而且，在例如第1割断面(27)的一端，具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的刻划痕(SM1)，刻划痕(SM1)等具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的凹形状。割断面(27、29)并非由干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面这些目前为止的裂面不同。可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。
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公开(公告)号：CN1855564B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200610077311.3
申请日：2006-04-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/10157 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种发光装置，包括：GaN衬底1；布置在GaN衬底1的第一主表面侧面上的n-型氮化物半导体衬底层(n-型AlxGa1-xN层3)；与n-型氮化物半导体衬底层相比更远离GaN衬底1布置的p-型氮化物衬底层(p-型AlxGa1-xN层5)；以及位于n-型氮化物半导体层和p-型氮化物半导体层之间的发光层(多量子阱(MQW)4)。p-型氮化物半导体层侧面被向下安装。此外，光从第二主表面1a发出，该第二主表面1a是与GaN衬底1的第一主表面相对的主表面。在GaN衬底的第二主表面上形成沟槽80。沟槽80的内周边表面包括其上执行表面处理以使该内周边表面光滑的部分(曲面部分)。
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公开(公告)号：CN102016136A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980115891.2
申请日：2009-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/02 , C30B19/00 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02628 , H01L33/0062 , H01L33/0079 , H01L33/30
Abstract: 本发明提供了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法、以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的特性的半导体器件。具体地，本发明涉及AlxGa(1-x)As衬底(10a)，其特征在于，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)具有AlxGa(1-x)As层(11)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中在所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可以包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。
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