公开(公告)号：CN101192520B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200710194088.5

申请日：2007-11-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤原伸介 ,  樱田隆 ,  木山诚 ,  善积祐介

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 提供一种半导体器件制造方法，从而以高成品率制造具有优异特性的半导体器件。该半导体器件制造方法包括：制备GaN衬底(10)的步骤，该GaN衬底具有反向域(10t)聚集面积(Stcm2)与GaN衬底(10)的主面(10m)的总面积(Scm2)的比率St/S，该比率不大于0.5，在沿着作为GaN衬底(10)主面(10m)的(0001)Ga面的反向域(10t)的密度为Dcm-2，其中在[0001]方向上的极性相关于矩阵(10s)反向的情况下的所述反向域的表面面积为1μm2或更大；以及在GaN衬底(10)的主面10m上生长至少单层半导体层(20)以形成半导体器件(40)的步骤，其中半导体器件(40)的主面40m的面积Sc和反向域(10t)的密度D的乘积Sc×D小于2.3。

公开(公告)号：CN101680109A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200980000432.X

申请日：2009-03-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  水原奈保 ,  谷崎圭祐 ,  宫永伦正 ,  樱田隆 ,  中幡英章

IPC: C30B23/08 ,  C23C14/28 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B23/066 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0254

Abstract: 一种化合物半导体单晶制造装置(1)，具有：激光源(6)，所述激光源(6)能通过将激光束照射到原料上而使得所述原料升华；具有激光入口(5)的反应容器(2)，从所述激光源(6)输出的所述激光束能透过所述激光入口(5)而导入到所述反应容器的内部，且所述反应容器(2)能保持起始衬底(3)，所述起始衬底(3)使所述升华的原料发生再结晶；以及加热器(7)，所述加热器(7)能加热所述起始衬底(3)。通过将所述激光束照射到所述反应容器(2)内部的所述原料上对原料进行加热，由此使其升华，并将所述升华的原料在所述起始衬底(3)上再结晶以生长化合物半导体单晶。然后，利用所述激光束将所述化合物半导体单晶与所述起始衬底(3)分离。

公开(公告)号：CN1993834A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200680000560.0

申请日：2006-01-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 三浦广平 ,  木山诚 ,  樱田隆

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/475

Abstract: 提供一种III族氮化物半导体器件，该半导体器件具有可以提高击穿电压的结构。肖特基二极管(11)由III族氮化物支撑衬底(13)、氮化镓区(15)以及肖特基电极(17)构成。III族氮化物支撑衬底(13)具有导电性。肖特基电极(17)在氮化镓区(15)上形成肖特基结。氮化镓区(15)被制造在III族氮化物支撑衬底(13)的主面(13a)上。氮化镓区(15)具有100秒以下的(1012)－面XRD半峰全宽。

公开(公告)号：CN1977367A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200680000432.6

申请日：2006-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田边达也 ,  木山诚 ,  三浦广平 ,  樱田隆

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L21/205 ,  H01L29/812

Abstract: 提供一种Ⅲ族氮化物半导体器件，其中可以减小来自肖特基电极的漏电流。在高电子迁移率晶体管1中，支撑衬底3由AlN、AlGaN或GaN构成。AlyGa1－yN外延层5具有0.25mm或以下的表面粗糙度(RMS)，其中表面粗糙度由每一侧测量1μm的正方形面积所得到。在AlyGa1－yN支撑衬底3和AlyGa1－yN外延层5之间设置GaN外延层7。在AlyGa1－yN外延层5上设置肖特基电极9。在AlyGa1－yN外延层5上设置第一欧姆电极11。在AlyGa1－yN外延层5上设置第二欧姆电极13。第一和第二欧姆电极11和13之一构成源电极以及另一个构成漏电极。肖特基电极9构成高电子迁移率晶体管1的栅电极。

公开(公告)号：CN115003866B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202180010974.6

申请日：2021-01-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 伊东洋典 ,  西口太郎 ,  樱田隆

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅外延衬底具有碳化硅衬底和碳化硅外延层。碳化硅外延层位于碳化硅衬底上。碳化硅外延层包括与碳化硅衬底接触的边界面和与边界面相对的主面。主面具有外周缘、与外周缘相距5mm以内的外周区域以及被外周区域包围的中央区域。在将外周区域中的双肖克莱型堆垛层错的面密度设为第一面密度、将中央区域中的双肖克莱型堆垛层错的面密度设为第二面密度的情况下，第一面密度为第二面密度的5倍以上。第二面密度为0.2个cm‑2以上。外周区域中的单肖克莱型堆垛层错的面密度为0.5个cm‑2以下。

公开(公告)号：CN108495957A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201780007967.4

申请日：2017-01-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冲田恭子 ,  樱田隆 ,  高须贺英良 ,  上田俊策 ,  佐佐木将 ,  梶直树 ,  三岛英彦 ,  江口宽航

IPC: C30B29/36 ,  G01N23/207

CPC classification number: C30B29/36 ,  G01N23/207

Abstract: 在检测器6配置于[11-20]方向、在相对于[-1-120]方向在±15°以内的方向上用X射线照射包括主面11的中心O的第一测量区域31、以及使用所述检测器测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第一强度分布1的最大强度的比例大于或等于1500。在检测器6配置于[-1100]方向、在相对于[1-100]方向在±6°以内的方向上用X射线照射所述第一测量区域31、以及使用所述检测器6测量源自所述第一测量区域31的衍射X射线的情况下，第二强度分布2的最大强度的比例大于或等于1500。在所述第一强度分布1指示最大值时的能量的最大值EH1与最小值EL1之差的绝对值小于或等于0.06keV。

公开(公告)号：CN102471921B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201080033399.3

申请日：2010-07-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 樱田隆 ,  川濑智博

IPC: C30B11/06 ,  C30B29/44 ,  H01L21/208

CPC classification number: C30B15/02 ,  C30B11/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/002 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/44 ,  Y10T117/1024

Abstract: 提供一种制造半导体晶体的方法，该方法包括：准备具有用于放置籽晶(8)和含杂质熔体(9)的底部(1b)以及具有设置于上部(1a)中并用于悬置由杂质浓度小于含杂质熔体(9)的杂质浓度的半导体材料制成的滴落原料块(11)的悬置部(2)的纵向容器(1)的步骤，以及在纵向容器(1)的纵向上建立温度梯度以熔化滴落原料块(11)，以及从接触籽晶(8)的一侧开始固化含杂质熔体(9)，同时将所制造的熔体(13)滴入含杂质容器(9)中，由此制造半导体晶体(12)。

公开(公告)号：CN102084040A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125962.7

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02 ,  G02B3/00

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B3/00 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法生长AlxGa(1-x)N单晶(10)来制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括准备衬底的步骤、准备高纯度原料的步骤和升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶(10)的步骤。所述AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250至300nm的光显示2.4以上的折射率，并且对波长超过300nm并且短于350nm的光显示2.3以上的折射率，每个折射率都是在300K下测定的。

公开(公告)号：CN102084039A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980125958.0

申请日：2009-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 荒川聪 ,  樱田隆 ,  山本喜之 ,  佐藤一成 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  水原奈保 ,  宫永伦正

IPC: C30B29/38 ,  C30B23/06 ,  G02B1/02

CPC classification number: G02B1/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  G02B13/143 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/2973

Abstract: 本发明提供一种通过以升华法来生长AlxGa(1-x)N单晶而制造AlxGa(1-x)N单晶(10)(其中0＜x≤1)的方法，所述方法包括：准备衬底的步骤，所述衬底具有与所述AlxGa(1-x)N单晶的组成比相同的组成比(x)；准备高纯度原料的步骤；以及升华原料以在所述衬底上生长所述AlxGa(1-x)N单晶的步骤。AlxGa(1-x)N单晶(10)对波长为250nm至小于300nm的光显示100cm-1以下的吸收系数，并且对波长为300nm至小于350nm的光显示21cm-1以下的吸收系数，每个吸收系数是在300K下确定的。

公开(公告)号：CN100555659C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200510099023.3

申请日：2005-08-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  冈久拓司 ,  樱田隆

IPC: H01L29/38 ,  H01L29/417 ,  H01L29/861 ,  H01L29/772 ,  H01L29/732

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 在肖特基二极管11中，氮化镓支撑底板13包括第一表面13a和与第一表面相反的第二表面13b，其载流子浓度大于1×1018cm-3。氮化镓外延层15放置在第一表面13a上。欧姆电极17放置在第二表面13b上。肖特基电极19放置在氮化镓外延层15上。氮化镓外延层15的厚度D1至少是5微米，但不大于1000微米。另外，氮化镓外延层15的载流子密度至少是1×1014cm-3，但不大于1×1017cm-3。