公开(公告)号：CN104250853B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201410411963.0

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种具有主面的III族氮化物晶体衬底，所述主面具有选自{20‑21}、{20‑2‑1}、{22‑41}和{22‑4‑1}中的面取向，所述III族氮化物晶体衬底的特征还在于满足下列条件中的至少一种：1×1016cm‑3以上且4×1019cm‑3以下的氧原子浓度，和6×1014cm‑3以上且5×1018cm‑3以下的硅原子浓度。由此，本发明能够提供具有面取向不同于{0001}的主面的高结晶度III族氮化物晶体。

公开(公告)号：CN104022013B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410220580.5

申请日：2007-06-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 井尻英幸 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/673 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及GaN衬底储存方法。提供一种可以用于制造有利性能的半导体器件的储存GaN衬底的方法。在GaN衬底储存方法中，GaN衬底(1)储存在具有18vol.％或以下的氧浓度和/或12g/m3或以下的水蒸汽浓度的气氛中。在由储存方法储存的GaN衬底上的第一主面的表面粗糙度Ra和第二主面的表面粗糙度Ra分别不大于20nm和不大于20μm。另外，实施该GaN衬底以使得主面与上为0.05°到2°，以及在 方向上为0°到1°。(0001)面形成偏轴角，该偏轴角在 方向

公开(公告)号：CN1896343B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200610093296.1

申请日：2006-06-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  楫登纪子 ,  中畑成二 ,  西浦隆幸

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/08 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: G01N23/207 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  G01B15/08 ,  G01N2223/602 ,  G01N2223/634 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L22/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/2978

Abstract: 一种氮化物晶体的特征在于，关于氮化物晶体(1)的任意特定平行晶格平面(1d)的平面间距，由|d1-d2|/d2的值表示的所述晶体的表面层(1a)上的均匀畸变等于或低于2.1×10-3，其中在满足所述特定平行晶格平面(1d)的X-射线衍射条件的同时通过改变X-射线从晶体表面的穿透深度来进行X-射线衍射测量而获得所述平面间距，由在0.3μm的X-射线穿透深度处的平面间距d1和在5μm的X-射线穿透深度处的平面间距d2获得所述|d1-d2|/d2的值。上述构造提供了具有晶体表面层的氮化物晶体，该晶体表面层在不破坏晶体的情况下直接和可靠地被评估，因此它可以以优选方式用作半导体器件的衬底以及上述构造还提供氮化物晶体衬底、含有外延层的氮化物晶体衬底、半导体器件以及制备它们的方法。

公开(公告)号：CN101466878B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200680055009.6

申请日：2006-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永伦正 ,  水原奈保 ,  藤原伸介 ,  中畑成二 ,  中幡英章

IPC: C30B29/38

CPC classification number: C30B23/005 ,  C30B29/403 ,  C30B35/002 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明提供了生长结晶度良好的第III族氮化物单晶的方法，所述方法具有优良的再现性，并提供了通过所述生长方法形成的第III族氮化物晶体。本发明的一个方面是在晶体生长容器(11)内生长第III族氮化物单晶(3)的方法，所述方法的特征在于，由金属碳化物形成的孔隙率为0.1％～70％的多孔体被用作所述晶体生长容器(11)的至少一部分。使用晶体生长容器(11)，可将晶体生长容器(11)内1％～50％的原料气体(4)经由多孔体中的孔而排放至晶体生长容器(11)的外部。

公开(公告)号：CN102471932A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029618.0

申请日：2010-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B33/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提供一种GaN衬底保存方法，所述方法将GaN衬底(1)保存在氧浓度不大于15体积％且水蒸气浓度不大于20g/m3的气氛中，其中所述GaN衬底(1)具有平坦的第一主面(1m)，并且所述GaN衬底(1)的所述第一主面(1m)上的与其外部边缘隔开3mm以上的任意点(P)处的面取向，相对于任意指定的晶面(1a)的面取向具有-10°以上且10°以下的倾斜角Δα，所述晶面(1a)相对于通过所述任意点的面(1c)倾斜50°～90°，所述面(1c)为(0001)面或()面。以这种方式，可获得保存如下GaN衬底的方法，所述GaN衬底的主面面取向不同于(0001)或()，利用所述GaN衬底能够制造性能有利的半导体器件。

公开(公告)号：CN102414351A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018752.0

申请日：2010-06-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 长田英树 ,  上松康二 ,  中畑成二 ,  中西文毅

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/01 ,  C30B25/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406

Abstract: 提供一种抑制多晶生长、可高效制造以非极性面为主表面的氮化物半导体基板的制造方法，作为氮化物半导体基板的GaN基板的制造方法具有以下工序：准备衬底基板的工序(S10、S20)，该衬底基板由GaN构成，具有相对{1-100}面的偏离角为4.1°以上47.8°以下的主表面；在衬底基板的主表面上外延生长由GaN构成的半导体层的工序(S40)；从半导体层获取主表面是m面的GaN基板的工序(S50)。

公开(公告)号：CN102315103A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110308166.6

申请日：2006-12-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  冈久拓司 ,  藤田俊介 ,  松本直树 ,  井尻英幸 ,  佐藤史隆 ,  元木健作 ,  中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C16/303 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4488 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。

公开(公告)号：CN101024903B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710002371.3

申请日：2007-01-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B25/04

Abstract: 本发明公开了一种低变形的氮化镓晶体衬底，其包括低位错单晶区(Z)、C面生长区(Y)、庞大缺陷积聚区(H)和0.1/cm2至10/cm2的c轴粗大核区(F)，低位错单晶区(Z)具有确定的c轴和确定的a轴，C面生长区(Y)具有与低位错单晶区(Z)的c轴和a轴平行的c轴和a轴，庞大缺陷积聚区(H)具有与低位错单晶区(Z)的c轴反向的c轴和与低位错单晶区(Z)的a轴平行的a轴，c轴粗大核区(F)包括至少一个晶体，所述晶体具有与低位错单晶区(Z)的c轴平行的c轴和与低位错单晶区(Z)的a轴不同的a轴。

公开(公告)号：CN101503825A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910007530.8

申请日：2005-07-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B9/06 ,  C30B13/02 ,  C30B29/403

Abstract: 提供一种制造III族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种III族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)之间形成200μm以下厚度的液体层(3)，以及在衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)上生长III族氮化物单晶体(4)。在此，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)可以由III族氮化物单晶体形成，而III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物多晶体形成。而且，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物单晶体形成，而衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)可以被制成III族原子表面，以及III族氮化物源材料衬底(2)的液体层侧面上的表面(2s)可以被制成氮原子表面。

公开(公告)号：CN101345221A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810130233.8

申请日：2008-06-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 笠井仁 ,  石桥惠二 ,  中畑成二 ,  秋田胜史 ,  京野孝史 ,  三浦祥纪

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00 ,  C30B29/40

Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种GaN衬底，由该GaN衬底可以制造增强发射效率的发光及半导体器件，提供其中在GaN衬底主表面上形成外延层的外延衬底、半导体器件以及制造GaN衬底的方法。该GaN衬底是具有主表面的衬底，相对于其法线矢量，[0001]平面取向在两个不同的离轴方向上倾斜。