公开(公告)号：CN1440578A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN01812310.4

申请日：2001-07-03

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 渡边大志 ,  伊藤润 ,  浅见慎也 ,  柴田直树

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/34333

Abstract: 在III族氮化物半导体发光器件中使用了发光层，该发光层有这样一个部分，在该部分，InGaN层插入位于其两侧的AlGaN层之间。通过控制作为阱层的InGaN层的厚度、生长速率和生长温度和作为阻挡层的AlGaN层的厚度，以优化这些因素，提高该发光器件的输出功率。

公开(公告)号：CN1425189A

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN01808301.3

申请日：2001-04-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千田昌伸 ,  伊藤润 ,  千代敏明 ,  柴田直树 ,  浅见静代

IPC: H01L21/203 ,  H01L23/00

CPC classification number: C30B23/02 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0062

Abstract: 提出了一种适于用溅射法在基质上形成III族氮化物半导体层的优选条件。当用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层时，选择溅射装置的初始电压不高于溅射电压的110％。

公开(公告)号：CN1290958A

公开(公告)日：2001-04-11

申请号：CN00107888.7

申请日：2000-06-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  柴田直树 ,  千田昌伸 ,  伊藤润 ,  浅见静代 ,  浅见慎也 ,  渡边大志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/265

Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(A1N)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米,并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中,在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层,其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。

公开(公告)号：CN1270420A

公开(公告)日：2000-10-18

申请号：CN00102851.0

申请日：2000-03-03

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 柴田直树 ,  伊藤润 ,  千代敏明 ,  浅见静代 ,  渡边大志 ,  千田昌伸 ,  浅见慎也

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007

Abstract: 一第一Ⅲ族类氮化物层,其是通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法形成在基片上,是在包含氢或氮气与氨气的混合气体气氛中被加热,以使形成在第一Ⅲ族类氮化物层上的第二Ⅲ族类氮化物半导体层的结晶度得到改善。当第一Ⅲ族类氮化物层通过溅射方法被形成在基片上时,第一Ⅲ族类氮化物层的厚度被设置为从50埃到3000埃的范围内。

公开(公告)号：CN104218131B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201410238906.7

申请日：2014-05-30

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  小盐高英 ,  柴田直树 ,  天野浩

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明涉及用于在凹凸衬底上生长第III族氮化物半导体晶体的方法以及第III族氮化物半导体。其中第一条纹的柱的第一处理侧表面形成为使得生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的最平行于第一处理侧表面的平面为m面(10-10)，并且通过将第一处理侧表面的法向矢量正交投影到主表面而得到的第一横向矢量与通过将m面的法向矢量正交投影到主表面而得到的m轴投影矢量之间的第一角度为从0.5°至6°。第二条纹的柱的第二处理侧表面形成为使得最平行于生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的第二处理侧表面的平面为a面(11-20)，并且第二横向矢量与a面的a轴投影矢量之间的第二角度为从0°至10°。

公开(公告)号：CN101410557B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200780008791.0

申请日：2007-03-15

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 柴田直树 ,  岩井真 ,  平田宏治 ,  佐佐木孝友 ,  山崎史郎 ,  森勇介 ,  今井克宏 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  H01L21/208 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供制造半导体衬底的方法，所述方法包括：在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中，使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合所述助熔剂混合物和所述III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体的基础衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在所述半导体晶体的生长期间，在所述III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度附近的温度下，所述助熔剂可溶材料溶解于所述助熔剂混合物中。

公开(公告)号：CN101410557A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780008791.0

申请日：2007-03-15

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 柴田直树 ,  岩井真 ,  平田宏治 ,  佐佐木孝友 ,  山崎史郎 ,  森勇介 ,  今井克宏 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  H01L21/208 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供制造半导体衬底的方法，所述方法包括：在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中，使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合所述助熔剂混合物和所述III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体的基础衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在所述半导体晶体的生长期间，在所述III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度附近的温度下，所述助熔剂可溶材料溶解于所述助熔剂混合物中。

公开(公告)号：CN1306560C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02802830.9

申请日：2002-09-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 村井俊介 ,  村上正纪 ,  小出康夫 ,  柴田直树

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/80 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的在于使n-电极和由第III族氮化物化合物半导体形成的n-型层之间的电阻极大地减少。根据本发明，n-电极是由下列电极材料形成的：第一电极材料，由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属构成；和第三电极材料，由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属构成。

公开(公告)号：CN1271681C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03158766.6

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法。其中，GaN基化合物半导体中掺有p型杂质，并且在至少含有氧的气体中进行了热处理。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。

公开(公告)号：CN1224114C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN02803594.1

申请日：2002-01-04

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小泽隆弘 ,  柴田直树

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/08 ,  H01L33/50 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041

Abstract: 本发明提供的III族氮化物半导体发光元件具有包括AlGaInN的组成比不同的两个层的发光层，该发光层能够发射发射峰的波长在紫外光区的光和发射峰的波长在可见光区的光。这样的发光元件和由紫外光区的光激发的荧光材料结合，构造成发光装置。