公开(公告)号：CN1306560C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02802830.9

申请日：2002-09-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 村井俊介 ,  村上正纪 ,  小出康夫 ,  柴田直树

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/80 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的在于使n-电极和由第III族氮化物化合物半导体形成的n-型层之间的电阻极大地减少。根据本发明，n-电极是由下列电极材料形成的：第一电极材料，由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属构成；和第三电极材料，由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属构成。

公开(公告)号：CN1473356A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02802830.9

申请日：2002-09-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 村井俊介 ,  村上正纪 ,  小出康夫 ,  柴田直树

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/80 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的目的在于使n－电极和由第III族氮化物化合物半导体形成的n－型层之间的电阻极大地减少。根据本发明，n－电极是由下列电极材料形成的：第一电极材料，由至少一种选自钒(V)、钛(Ti)、锆(Zr)、和钨(W)的金属构成；第二电极材料，由至少一种选自钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)和铜(Cu)的金属构成；和第三电极材料，由至少一种选自铝(Al)、硅(Si)和锗(Ge)的金属构成。