公开(公告)号：CN100501951C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580018798.1

申请日：2005-06-09

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 平田宏治 ,  小嵜正芳 ,  千田昌伸 ,  柴田直树

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。

公开(公告)号：CN101415868A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200780012537.8

申请日：2007-04-05

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 柴田直树 ,  平田宏治 ,  山崎史郎 ,  今井克宏 ,  岩井真 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  川村史朗

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  H01L33/0075 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/266

Abstract: 提供一种适于制造电子器件或光学器件的高质量的半导体衬底。本发明提供一种用于制造用于电子器件或光学器件的半导体衬底的方法，该方法包括在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合助熔剂混合物和III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长III族氮化物基化合物半导体晶体的基底衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在半导体晶体的生长期间或在半导体晶体的生长完成之后，在接近III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度的温度下，使助熔剂可溶材料溶于助熔剂混合物中。

公开(公告)号：CN100461475C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610067005.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 牛田泰久 ,  筱田大辅 ,  山崎大辅 ,  平田宏治 ,  池本由平 ,  柴田直树 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 ,  岛村清史

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/44

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃-550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。

公开(公告)号：CN1275293C

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200410003940.2

申请日：2000-06-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  柴田直树 ,  千田昌伸 ,  伊藤润 ,  浅见静代 ,  浅见慎也 ,  渡边大志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/265

Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(A1N)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。

公开(公告)号：CN1525532A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410003940.2

申请日：2000-06-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 千代敏明 ,  柴田直树 ,  千田昌伸 ,  伊藤润 ,  浅见静代 ,  浅见慎也 ,  渡边大志

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/86 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/265

Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。

公开(公告)号：CN1155112C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN97122567.2

申请日：1997-10-03

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种有关GaN的材料的化合物半导体器件及其制造方法，其中在n型GaN化合物半导体层上，用选自V、Nb、Zr和Cr中的至少一种金属或含这些金属的合金制成基层。并在基层上形成由其它金属构成的主电极层。之后，将半导体层、基层和主电极层经热处理以制成n电极。

公开(公告)号：CN1473355A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN02802829.5

申请日：2002-09-02

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 中琢理 ,  小西亮平 ,  安河内隆一 ,  小出康夫 ,  村上正纪 ,  柴田直树

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/80 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L29/1608 ,  H01L33/34 ,  H01L33/40

Abstract: 本发明的目的是提供一种用于p－型SiC的电极，它能够提供改良的表面形态和减少由于电极的形成而产生的对半导体晶层的热损害。本发明中制造的p－型电极包含选自镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)和铂(Pt)中的至少一种。

公开(公告)号：CN103985792B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410048430.0

申请日：2014-02-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  小盐高英 ,  柴田直树 ,  天野浩

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 提供了一种具有降低的穿透位错密度和均匀的Ga极性表面的第III族氮化物半导体。在比形成构成缓冲层的元素的氧化物的温度低的温度下，在包含作为必要元素的Al的缓冲层上形成盖层。在比体半导体的晶体生长的温度高的温度下，对缓冲层被盖层覆盖的衬底进行热处理而不露出缓冲层的表面。将衬底温度降低至体半导体的晶体进行生长的温度，并且生长所述体半导体。

公开(公告)号：CN104218131A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410238906.7

申请日：2014-05-30

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  小盐高英 ,  柴田直树 ,  天野浩

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/22 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02609 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明涉及用于在凹凸衬底上生长第III族氮化物半导体晶体的方法以及第III族氮化物半导体。其中第一条纹的柱的第一处理侧表面形成为使得生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的最平行于第一处理侧表面的平面为m面(10-10)，并且通过将第一处理侧表面的法向矢量正交投影到主表面而得到的第一横向矢量与通过将m面的法向矢量正交投影到主表面而得到的m轴投影矢量之间的第一角度为从0.5°至6°。第二条纹的柱的第二处理侧表面形成为使得最平行于生长的第III族氮化物半导体的低指数面之中的第二处理侧表面的平面为a面(11-20)，并且第二横向矢量与a面的a轴投影矢量之间的第二角度为从0°至10°。

公开(公告)号：CN103367589A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310086320.9

申请日：2013-03-18

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 奥野浩司 ,  小盐高英 ,  柴田直树 ,  天野浩

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02458 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

Abstract: 公开了一种用于制造具有降低的穿透位错的含Ga的第III族氮化物半导体的方法。在衬底上形成包括AlGaN的处于多晶、非晶、或多晶/非晶混合状态的缓冲层。在比在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体的单晶的温度高的温度下并且在含Ga的第III族氮化物半导体不生长的温度下，对其上形成有缓冲层的衬底进行热处理，以使得缓冲层的晶核密度相比热处理之前的密度降低。在热处理之后，将衬底的温度降低至含Ga的第III族氮化物半导体生长的温度，维持该温度，并且在缓冲层上生长含Ga的第III族氮化物半导体。