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公开(公告)号：CN1937247A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610127814.7
申请日：2006-09-20
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003
Abstract: 一种场效应晶体管，包括具有沟道的沟道层和位于沟道层上的载流子供应层，所述载流子供应层含有由式AlxGa1－xN代表的半导体，其中x大于0.04并小于0.45。沟道在沟道层和载流子供应层之间的界面附近形成或被耗尽，载流子供应层具有大于沟道层的带隙能，式AlxGa1－xN中的x随与第一界面的距离增加而单调下降。沟道层可以是氮化镓结晶体。沟道层可以是未掺杂的。界面处的载流子供应层的式AlxGa1－xN中的x大于或等于0.15且小于或等于0.40。
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公开(公告)号：CN1941408A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610127080.2
申请日：2006-09-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L33/00 , H01L21/20
Abstract: 一种电子器件，包括衬底；位于衬底上的单晶体第一缓冲层，其包含由通式AlxGa1－xN代表的半导体；位于第一缓冲层上的非单晶体第二缓冲层，其包含由通式AlyGa1－yN代表的半导体；和位于第二缓冲层上的包含GaN的未掺杂基层，其中0＜x≤1且0≤y≤1。第一缓冲层在1000℃－1200℃温度下形成。第二缓冲层在350℃－800℃温度下形成。衬底包含SiC。第二缓冲层具有5－20nm的厚度。
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公开(公告)号：CN101461046A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780019660.2
申请日：2007-05-30
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/201 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7786 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003
Abstract: 提供一种具有包含AlGaN层和GaN层的AlGaN－GaN异质结结构的半导体器件，该器件显示出不随时间变化的薄层电阻。如图1所示，在具有包含AlGaN层1和GaN层2的AlGaN－GaN异质结结构的半导体器件中，当AlGaN的Al摩尔分数(x％)和AlGaN层的厚度(y nm)满足关系x+y＜55、25≤x≤40和y≥10时，y小于临界厚度，由此在AlGaN层中不产生裂缝。因此，本发明提供尽管Al摩尔分数较高但仍显示出几乎不随时间变化的薄层电阻的半导体器件。
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公开(公告)号：CN104051507B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201410046657.1
申请日：2014-02-10
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/66522 , H01L29/872
Abstract: 一种半导体装置，包括：直径为2英寸或更大的半导体衬底；以及堆叠在半导体衬底上的使用包含氮化镓（GaN）的材料的N型半导体层。在N型半导体层区域的面上的多个位置处，碳（C）浓度的多个测量值的中值等于或低于1.0×1016cm‑3。中值与其他测量值之差的最大值低于5×1015cm‑3。
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公开(公告)号：CN100501951C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580018798.1
申请日：2005-06-09
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100499162C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610127814.7
申请日：2006-09-20
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003
Abstract: 一种场效应晶体管，包括具有沟道的沟道层和位于沟道层上的载流子供应层，所述载流子供应层含有由式AlxGa1-xN代表的半导体，其中x大于0.04并小于0.45。沟道在沟道层和载流子供应层之间的界面附近形成或被耗尽，载流子供应层具有大于沟道层的带隙能，式AlxGa1-xN中的x随与第一界面的距离增加而单调下降。沟道层可以是氮化镓结晶体。沟道层可以是未掺杂的。界面处的载流子供应层的式AlxGa1-xN中的x大于或等于0.15且小于或等于0.40。
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公开(公告)号：CN104051507A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410046657.1
申请日：2014-02-10
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/2003 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/66522 , H01L29/872
Abstract: 一种半导体装置，包括：直径为2英寸或更大的半导体衬底；以及堆叠在半导体衬底上的使用包含氮化镓（GaN）的材料的N型半导体层。在N型半导体层区域的面上的多个位置处，碳（C）浓度的多个测量值的中值等于或低于1.0×1016cm-3。中值与其他测量值之差的最大值低于5×1015cm-3。
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公开(公告)号：CN101552193A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910133694.5
申请日：2005-06-09
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/772 , H01L29/778 , H01L29/12
Abstract: 一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
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公开(公告)号：CN100470835C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200610127080.2
申请日：2006-09-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L33/00 , H01L21/20
Abstract: 一种电子器件，包括衬底；位于衬底上的单晶体第一缓冲层，其包含由通式AlxGa1-xN代表的半导体；位于第一缓冲层上的非单晶体第二缓冲层，其包含由通式AlyGa1-yN代表的半导体；和位于第二缓冲层上的包含GaN的未掺杂基层，其中0＜x≤1且0≤y≤1。第一缓冲层在1000℃-1200℃温度下形成。第二缓冲层在350℃-800℃温度下形成。衬底包含SiC。第二缓冲层具有5-20nm的厚度。
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公开(公告)号：CN1965400A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018798.1
申请日：2005-06-09
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
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