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公开(公告)号：CN1189919C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN01808301.3
申请日：2001-04-20
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/203 , H01L23/00
CPC classification number: C30B23/02 , C23C14/0036 , C23C14/0617 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/0062
Abstract: 提出了一种适于用溅射法在基质上形成III族氮化物半导体层的优选条件。当用溅射法在基质上形成第一III族氮化物半导体层时，选择溅射装置的初始电压不高于溅射电压的110%。
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公开(公告)号：CN101055911B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200710090491.3
申请日：2007-04-12
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种发光元件，具有由GaN基半导体形成的阱层、由GaN基半导体形成的邻近所述阱层的势垒层和形成在所述阱层和所述势垒层之间的GaN基半导体层。所述GaN基半导体层具有掺杂剂，以消除在所述阱层和所述势垒层之间产生的压电场。
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公开(公告)号：CN101055911A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710090491.3
申请日：2007-04-12
Applicant: 丰田合成株式会社
Abstract: 一种发光元件，具有由GaN基半导体形成的阱层、由GaN基半导体形成的邻近所述阱层的势垒层和形成在所述阱层和所述势垒层之间的GaN基半导体层。所述GaN基半导体层具有掺杂剂，以消除在所述阱层和所述势垒层之间产生的压电场。
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公开(公告)号：CN1225032C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN00102851.0
申请日：2000-03-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007
Abstract: 通过不使用金属有机化合物作为原料的一种方法在一基片上形成一第一III族类氮化物层，其具有50埃到3000埃的一厚度，其中，不使用金属有机化合物作为原料的方法是从下面的组中选择的：直流磁电管溅射方法；蒸发方法；离子电镀方法；激光烧蚀方法；以及电子回旋共振方法；以及在所述第一III族类氮化物层上形成一第二III族类氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN100501951C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200580018798.1
申请日：2005-06-09
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1275293C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410003940.2
申请日：2000-06-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/86 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/32341 , Y10T428/265
Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(A1N)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。
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公开(公告)号：CN1525532A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410003940.2
申请日：2000-06-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/86 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/32341 , Y10T428/265
Abstract: 第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。
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公开(公告)号：CN101552193A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910133694.5
申请日：2005-06-09
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L29/772 , H01L29/778 , H01L29/12
Abstract: 一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
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公开(公告)号：CN1965400A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018798.1
申请日：2005-06-09
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 一种场效应晶体管，其包含缓冲层和阻挡层，各缓冲层和阻挡层均由III族氮化物化合物半导体制成，并且所述场效应晶体管在所述缓冲层至所述阻挡层的界面内部具有通道，其中所述阻挡层具有多层结构，包含突变界面供应层，其构成所述阻挡层中最下方的半导体层，并且其组成在所述缓冲层的所述界面上突然变化，和电极连接面供应层，其构成所述阻挡层中最上方的半导体层，并且其上表面形成为平坦的。
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公开(公告)号：CN1194385C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN00107888.7
申请日：2000-06-29
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/86 , H01L33/00 , H01S5/30
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01S5/32341 , Y10T428/265
Abstract: 一种第三族氮化物半导体器件和其半导体层的生产方法，其中第三族氮化物半导体器件具有基片和形成在基片上的氮化铝(AlN)单晶层。氮化铝单晶层的厚度从0.5微米到3微米，并基本上平整。氮化铝单晶层的X射线摆动曲线的半值宽度不大于50秒(sec)。在另外一个器件中，在蓝宝石基片上在1000摄氏度到1180摄氏度的温度生长厚度从0.01微米到3.2微米的第三族氮化物半导体层，其中蓝宝石基片的表面氮化物层的厚度不大于300埃。
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