-
公开(公告)号：CN101562225B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910133163.6
申请日：2002-04-09
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/501 , H01L33/54 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光装置，它能稳妥且容易地使光的混合比达到所需平衡并具有稳定的发光特性。该发光装置具有能发出在小于400nm的波长有强峰的初次光的发光元件(106)、覆盖发光元件的硅氧烷树脂(111)和硅氧烷树脂是含的吸收初次光后发出可见光的荧光体(110)，即使发光元件波长偏移，色调也不变化。
-
公开(公告)号：CN101562225A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910133163.6
申请日：2002-04-09
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/501 , H01L33/54 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光装置，它能稳妥且容易地使光的混合比达到所需平衡并具有稳定的发光特性。该发光装置具有能发出在小于400nm的波长有强峰的初次光的发光元件(106)、覆盖发光元件的硅氧烷树脂(111)和硅氧烷树脂是含的吸收初次光后发出可见光的荧光体(110)，即使发光元件波长偏移，色调也不变化。
-
公开(公告)号：CN1155112C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN97122567.2
申请日：1997-10-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L33/32 , H01S5/0425 , H01S5/32341
Abstract: 一种有关GaN的材料的化合物半导体器件及其制造方法，其中在n型GaN化合物半导体层上，用选自V、Nb、Zr和Cr中的至少一种金属或含这些金属的合金制成基层。并在基层上形成由其它金属构成的主电极层。之后，将半导体层、基层和主电极层经热处理以制成n电极。
-
公开(公告)号：CN115298834A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022782.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/812 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。棒状形状的前端部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj2)为棒状形状的除前端部分以外的部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj1)以上。
-
公开(公告)号：CN115298833A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022817.7
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/808 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。位错密度为1×106cm‑2以上且1×1010cm‑2以下。第二半导体层(120)与第三半导体层(130)之间的接触面积在栅极宽度方向的每1μm为10μm2以上且200μm2以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1513211A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02811198.2
申请日：2002-06-03
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 上村俊也
CPC classification number: H01L33/42 , H01L21/28575 , H01L33/32
Abstract: p座电极层压到透光电极形成层后，进行第一个加热步骤和第二个加热步骤以合金化这两层。在第一个加热步骤中，在含氧气氛中在相当低的温度下进行热处理。在第二个加热步骤中，在不含氧的气氛中在相当高的温度下进行热处理。
-
公开(公告)号：CN1181636A
公开(公告)日：1998-05-13
申请号：CN97122567.2
申请日：1997-10-03
Applicant: 丰田合成株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L33/32 , H01S5/0425 , H01S5/32341
Abstract: 一种有关GaN的材料的化合物半导体器件及其制造方法,其中在n型GaN化合物半导体层上,用选自V、Nb、Zr和Cr中的至少一种金属或含这些金属的合金制成基层。并在基层上形成由其它金属构成的主电极层。之后,将半导体层、基层和主电极层经热处理以制成n电极。
-
公开(公告)号：CN116615804A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202180088463.6
申请日：2021-12-16
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/06
Abstract: 提供抑制电流崩塌并且实现薄层载流子浓度的提高的半导体元件以及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第一中间层(150)、第二中间层(160)、源极电极(S1)、漏极电极(D1)及栅极电极(G1)。第二半导体层(120)的带隙大于第一半导体层(110)及第三半导体层(130)的带隙。夹着第二半导体层(120)的第一中间层(150)及第二中间层(160)的带隙大于第二半导体层(120)的带隙。
-
公开(公告)号：CN115315813A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022787.X
申请日：2021-03-25
Applicant: 丰田合成株式会社 , 株式会社POWDEC
IPC: H01L29/778 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872
Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。将栅极电极(G1)与第四半导体层(140)接触的栅极电极接触区域(GC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域包围将源极电极(S1)与第二半导体层(120)接触的源极电极接触区域(SC1)投影到第二半导体层(120)而得的区域的周围。
-
公开(公告)号：CN103996775B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201410051573.7
申请日：2014-02-14
Applicant: 丰田合成株式会社
Inventor： 上村俊也
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
Abstract: 一种第III族氮化物半导体发光元件，包括：包括发光层、p型半导体层和n型半导体层的半导体层；接触p型半导体层的p接触电极；接触n型半导体层的n接触电极；以及支承半导体层的支承衬底。p接触电极和n接触电极设置在半导体层与支承衬底之间的位置处。在p接触电极和n接触电极被正投影在支承衬底的板表面上的情况下，p接触电极和n接触电极形成为所正投影的p接触电极和所正投影的n接触电极彼此不重叠的形状。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.035 seconds)
