公开(公告)号：CN1553478A

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN03158766.6

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法。其中，GaN基化合物半导体中掺有p型杂质，并且在至少含有氧的气体中进行了热处理。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。

公开(公告)号：CN1271681C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN03158766.6

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法。其中，GaN基化合物半导体中掺有p型杂质，并且在至少含有氧的气体中进行了热处理。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。

公开(公告)号：CN1150632C

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN97129713.4

申请日：1997-11-29

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 上村俊也 ,  柴田直树 ,  野杁静代 ,  伊藤润 ,  村上正纪 ,  小出康夫

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 用汽相淀积在p+层上形成包括钴(Co)的层，并把包括金(Au)的层形成在其上。通过热处理将这两层合金化，以便形成透光电极。因此，透光电极有降低的接触电阻和改善的透光性，并长时间内提供稳定的发光图形。此外，由于钴(Co)是一种有较大功函数的元素，所以可获得令人满意的欧姆特性。