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公开(公告)号：CN109342914A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811275513.8
申请日：2018-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R31/2619
Abstract: 本发明涉及一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备，其中，IGBT结温监控方法包括以下步骤：获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降；集电极电流为加热大电流或恒定小电流；基于结温和饱和导通压降拟合曲面，获取对应饱和导通压降的当前结温；在当前结温小于设定结温时，增大输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流；在当前结温大于设定结温，且未到达预设加热工作时间时，减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流；在当前结温大于设定结温，且到达预设加热工作时间时，向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流，并冷却待测IGBT器件。本发明实施例能够实现对待测IGBT器件结温的实时监控，提高了IGBT结温监控精度，以及提高了IGBT结温监控可靠性。
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公开(公告)号：CN119416720A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411483652.5
申请日：2024-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/36 , G06F119/02 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种双极型运算放大器的可靠性预计模型的构建方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。方法包括：对晶体管进行恒定应力加速寿命试验，获得归一化β值随时长的变化关系数据，对变化关系数据进行参数拟合，获得晶体管的加速退化系数、时间幂系数和待定系数，并建立晶体管的退化轨迹模型，建立差分输入结构的电路仿真模型，正交试验获得归一化β值对双极型运算放大器的输入失调电压的影响数据；根据影响数据，建立归一化β值与双极型运算放大器的输入失调电压之间的映射关系；利用退化轨迹模型和映射关系，建立双极型运算放大器的可靠性预计模型。采用本方法能够提高双极型运算放大器的可靠性预计准确率和效率。
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公开(公告)号：CN114034524B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202111226491.8
申请日：2021-10-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开一种样气采样装置及气密封元器件内部气氛分析设备。样气采样装置包括上压块和下压块，上压块设有进气通道，下压块设有用于储存样气的样气腔，下压块与上压块连接，进气通道与样气腔连通，样气腔的体积大小可调；或上压块设有用于与下压块可拆卸连接的连接部，当上压块通过连接部与下压块连接时，进气通道与样气腔连通。气密封元器件内部气氛分析设备包括该样气采样装置。使用样气采样装置进行气体采样时，将下压块与上压块连接以使进气通道与样气腔连通，标准样气通过进气通道进入样气腔内部以使样气腔中储存一定体积的标准样气，气密封元器件内部气氛分析设备的取样装置伸入样气腔，即可获取一定体积的标准样气进行下一步的校准。
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公开(公告)号：CN115238484A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210807809.X
申请日：2022-07-11
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种板级组件寿命预测方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，通过获取板级组件的可靠度函数以及板级组件中各单元的重要度因子，根据重要度因子以及预设可靠度数值能够确定各单元的分担可靠度数值，进而计算板级组件中各单元的单元寿命，并根据各单元的单元寿命预测板级组件的板级组件寿命，能够适应不同类型的电子元器件的寿命评估，且根据构成板级组件器件的重要程度分配相应的单元可靠度，能够在保证寿命评估准确度的同时，降低寿命评估过程的复杂度。
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公开(公告)号：CN114371384A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111575063.6
申请日：2021-12-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供了一种电迁移测试电路，包括测试模块、数据采集模块及控制模块，其中，测试模块用于根据输出控制信号对待测样品施加预设参数的测试信号；数据采集模块与测试模块连接，用于根据开关动作信号动作，控制待测样品接入对应的测试回路，并采集待测样品的电迁移试验参数信息；控制模块，与测试模块及数据采集模块均连接，用于根据接收的测试触发信号生成输出控制信号，以控制测试模块生成测试信号；及/或根据测试触发信号生成开关动作信号，以控制数据采集模块动作，使待测样品接入对应的测试回路。上述测试电路中，基于控制模块与数据采集模块生成待测样品的寿命预测方程，能相对准确的评估样品使用寿命，大大提高了测试效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114324546A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111557134.X
申请日：2021-12-18
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种真空封装器件内部气氛的检测方法、气密容器及检测设备。上述真空封装器件内部气氛的检测方法通过将真空封装器件置于气密容器中，并破坏真空封装器件的气密性，使真空封装器件的内部气氛与气密容器的内部气氛混合，使真空封装器件内部极少的气氛混合进足够多的气氛中。气密容器的内部气压高于真空封装器件的内部气压，可以用常规方法对混合气氛进行检测，由于气密容器的内部气氛已知，检测出混合气氛后，即能够推算出真空封装器件的内部气氛的成分及其含量。上述检测方法可以打破现有检测设备的局限，实现对真空封装器件内部气氛的定量测试，可有效支撑真空封装器件工艺的提升以及DPA、失效分析、机理分析可靠性研究等工作。
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公开(公告)号：CN113611686A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110764829.9
申请日：2021-07-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体测试结构及其制造方法、测试方法。半导体测试结构包括基底，包括半导体衬底以及介质层，所述基底内具有至少两个间隔设置的通孔；硅通孔结构，形成于所述通孔内；至少两个焊盘，分别位于所述硅通孔结构上，所述焊盘靠近所述基底的一侧与所述硅通孔结构相连接。通过设置两个硅通孔结构，从而利用一个硅通孔代替传统绝缘层测试结构中的导电材料层形成电容式测试结构。在制造该半导体测试结构时只需改变掩模板即可，不需要如传统测试结构中一样向衬底嵌入环绕着硅通孔的导电材料层。使用上述半导体测试结构对TSV绝缘层的可靠性进行测试时，制造整个测试结构所需的工艺步骤少，且结构简单、易于测试。
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公开(公告)号：CN109596860B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811306136.X
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01P21/02
Abstract: 本申请涉及一种加速度计故障诊断方法、装置、电路和计算机设备。所述方法包括：获取第一电压信号、第二电压信号和电流信号；第一电压信号为加速度计检测电路中的C/V转换电路输出的电压信号；第二电压信号为加速度计输出的电压信号；电流信号为加速度计检测电路上的电流信号；根据第一电压信号、第二电压信号、电流信号、第一饱和电压、第二饱和电压和标准电流，获取加速度计的故障类型；第一饱和电压为C/V转换电路输出的最大电压；第二饱和电压为加速度计输出的最大电压；标准电流为加速度计正常时加速度计检测电路上的电流，从而本申请能够依据获取的信号来判断加速度计出现的故障类型，使得更加全面地监控加速度计的工作状态。
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公开(公告)号：CN109743857A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910011059.3
申请日：2019-01-07
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H05K5/00
Abstract: 本发明涉及一种抗振电子元器件封装结构，包括管壳基座及密封盖板，所述管壳基座内设有封装腔体，所述管壳基座上设有与所述封装腔体连通的安装口，所述密封盖板覆盖所述安装口，所述管壳基座面向所述密封盖板的一侧设有用于防应力集中的凹槽，所述密封盖板面向所述管壳基座的一侧上设有用于防应力集中的凸块，所述凸块位于所述凹槽内并与所述凹槽密封配合，所述密封盖板面向所述管壳基座的一侧与所述管壳基座面向所述密封盖板的一侧焊接。上述抗振电子元器件封装结构，有利于降低焊接界面出现拉脱失效现象的几率，避免焊接界面开裂从而保证电子元器件的气密性。
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公开(公告)号：CN114563675B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202110428993.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
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