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公开(公告)号：CN119967860A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311473834.X
申请日：2023-11-07
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该横向扩散金属氧化物半导体器件包括至少一个元胞结构，元胞结构包括：衬底；N型的第一阱区，设于衬底内；第一阱区内设有沿第一方向依次排布的第一分区、隔断区和第二分区；P型的第一掺杂区和P型的第二掺杂区，第一掺杂区位于第一分区，第二掺杂区位于第二分区；P型的源区和P型的漏区，设于衬底内，且分别位于第一掺杂区沿第二方向的两侧；第一方向为导电沟道的宽度方向，第二方向为导电沟道的长度方向。本申请能够抑制开启状态下输出电流的迅速增大，从而改善器件输出电流的稳定性以及提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119153487A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202310713119.2
申请日：2023-06-15
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/329 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L27/06
Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅半导体元器件，包括：衬底；掩埋介质层，设于所述衬底上；第一电极；第二电极；漂移区，设于所述掩埋介质层上；所述漂移区的上表面形成落差结构，所述落差结构包括靠近所述第一电极的第一侧、靠近所述第二电极的第二侧、以及所述第一侧与第二侧之间的过渡区，所述第二侧的上表面高于所述第一侧的下表面，从而使所述漂移区在所述第二侧的厚度大于在所述第一侧的厚度；其中，所述第一电极和第二电极被配置为：在所述元器件被施加反向偏压时，第二电极施加的电压大于第一电极施加的电压。本发明可以将器件的击穿点控制在高压端的下方，使得漂移区能够完全耗尽，在不增加埋氧层厚度的前提下依然可以提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN117995534B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211333545.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种隔离变压器及半导体器件，所述隔离变压器包括：下线圈；主介质层，覆盖所述下线圈；氮氧化硅层，位于所述主介质层上；上线圈，位于所述氮氧化硅层上。本发明在主介质层和上线圈之间设置氮氧化硅层，在确保器件耐压的同时，能够减小高压区域对低压区域的影响，提升器件总体的寿命。
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公开(公告)号：CN117060081A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311255123.5
申请日：2023-09-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明属于太赫兹通信领域，公开了一种应用于太赫兹通信的矩形波导结构滤波天线和RFFE系统，包括：直线型矩形波导谐振腔耦合滤波器，在馈入D波段信号的同时实现滤波效果；矩形波导缝隙天线阵列，所述直线型天线阵替代了滤波器最后一阶谐振腔，避免了复杂匹配电路的设计；所述缝隙天线采用泰勒分布的形式进行激励，实现了增益的提高以及方向性的提升。本发明具体提出了一种应用于太赫兹通信的矩形波导结构滤波天线，其设计紧凑、制作简单、成本低廉，具备了滤波器的选频功能以及天线的辐射功能，可应用于太赫兹通信系统使得其硬件结构大大简化。
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公开(公告)号：CN116705609A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210181654.3
申请日：2022-02-25
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/266
Abstract: 本发明涉及一种P型横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取基底；图案化掩膜层，形成至少两个注入窗口；通过各注入窗口进行N型离子注入，在P型区内形成高压N阱掺杂区和低压N阱掺杂区；在各注入窗口表面形成氧化层；去除掩膜层；向P型区进行P型离子普注，在氧化层处P型离子的注入被阻挡；通过热退火使注入的P型离子扩散形成漂移区和P型阱区。本发明图案化的掩膜层形成分段的注入窗口，注入N型离子后通过在注入窗口表面覆盖氧化层，后续注入P型离子时该氧化层作为注入的阻挡层，因此P型离子注入无需单独准备一块光刻版，有效地简化了PLDMOS器件的制造工艺，使其能与NLDMOS的制造工艺兼容。
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公开(公告)号：CN115641734A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211263242.0
申请日：2022-10-15
Applicant: 河北省交通规划设计研究院有限公司 , 东南大学
IPC: G08G1/07 , G08G1/0967
Abstract: 本发明实施例公开了一种高速公路施工场景主线交通控制方法和系统，其中，方法包括：所述路端传感器实时获取高速公路的交通状态，并上传至所述云控平台；所述云控平台根据所述交通状态和预先存储的施工事件信息，实时计算施工场景下交通控制范围内的最优限速值，其中，所述控制范围包括时间范围和空间范围；所述云控平台根据所述最优限速值和所述施工事件信息，生成交通控制指令，并下发至所述控制范围内的路侧单元；所述路侧单元根据所述交通控制指令，向距离最近的车辆发布对应的控制信息；所述车辆将所述控制信息显示在车内的虚拟情报板。本实施例以虚拟情报板为载体，在车路协同环境下对高速公路施工区域进行精准有效的控制。
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公开(公告)号：CN113594244A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110829213.5
申请日：2021-07-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 一种具有高雪崩能力的氮化镓功率器件及其制备工艺，器件包括：P型硅衬底上设有氮化镓缓冲层，氮化镓缓冲层上设有铝镓氮势垒层，再上设有金属源极、金属漏极和P型氮化镓层及金属栅极；在P型硅衬底内设有N型区域，所述金属漏极延伸穿过铝镓氮势垒层和氮化镓缓冲层并连接于N型区域，在金属漏极与氮化镓缓冲层之间设有氮化物钝化层并用于隔离金属漏极与氮化镓缓冲层。制备工艺包括：一，在P型硅衬底中形成N型区域；二，在P型硅衬底上生长氮化镓缓冲层；三，在氮化镓缓冲层上生长铝镓氮势垒层；四，在铝镓氮势垒层上形成P型氮化镓层；五，形成氮化物钝化层；六，分别淀积金属以形成金属源极、金属漏极和金属栅极。
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公开(公告)号：CN112951923A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110337941.4
申请日：2021-03-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种提高碳化硅横向双扩散场效应管表面迁移率方法及器件，该方法引入一个电压偏置管，使碳化硅LDMOS在正向导通时漂移区表面电子浓度增大，单个电子被漂移区上方氧化层表面陷阱俘获的概率降低，电子迁移率提高；器件包括P型衬底，P型衬底上有P型隔离层将器件分为LDMOS和电压偏置管。LDMOS包括第一N型漂移区、第一源区、第一漏区、栅氧化层和多晶硅栅，其特征在于，栅氧化层上有4块相互分离的多晶硅场板。电压偏置管包括第二N型漂移区、第二源区、第二漏区，第二N型漂移区内有4个N+注入层。所述多晶硅栅与第二源区连接，第一漏区与第二漏区连接，4个多晶硅场板分别与4个N+注入层连接。
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公开(公告)号：CN112825301A
公开(公告)日：2021-05-21
申请号：CN201911149088.2
申请日：2019-11-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，该方法包括：获取衬底，所述衬底上形成有漂移区、栅极区、缓冲区、场氧层；去除所述漂移区上方位于栅极区与缓冲区之间区域的场氧层后形成第一沟槽，所述第一沟槽的一端与栅极区相邻；在所述衬底上形成具有第一内应力的氮化硅层，所述氮化硅层位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方。通过位于所述第一沟槽的上方并沿所述第一沟槽的侧壁向上延伸至所述栅极区的上方的氮化硅层，在绝缘栅双极型晶体管器件内引入内应力，从而提高了器件内载流子的迁移率，在突破硅材料的极限限制的同时提高了器件的电学特性。
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